Пешев Владимир Викторович

Ф.И.О: Пешев Владимир Викторович. Дата и место рождения: 11 апреля 1948г., Амурская обл., г. Свободный.

Образование. Получил высшее образование в 1970г. в Томском политехническом институте (ТПИ) по специальности "Физика твердого тела". Направление научной деятельности: Занимался проблемой взаимосвязи внешних и встроенных электрических полей с особенностями разделения, стабилизации, преобразования френкелевских дефектов и с особенностями экспериментального наблюдения дефектов в полупроводниках. Особенно актуальна эта проблема для полупроводников, так как сама специфика этого класса материалов и область их применения обуславливают наличие источников внутренних и внешних электрических полей, а именно, наличие областей пространственного заряда (ОПЗ). Это и дислокации, и кластеры основных элементов в сложных полупроводниках, и области разупорядочения в полупроводниках, облученных нейтронами, а также приборы с p n-переходами и барьерами Шоттки.

Научные достижения: Впервые установлены закономерности образования и отжига радиационных дефектов в области пространственного заряда (ОПЗ) полупроводниковых соединений GaAs и InP, радикально отличающиеся от указанных процессов в нейтральном объеме (НО). Разработаны физические модели этих процессов и их математическое описание. Полученные закономерности и модели являются научным вкладом в раздел физики твердого тела "Дефекты кристаллической решетки", а именно: развиты новые представления о процессах образования и отжига радиационных дефектов в соединениях A3B5 с учетом влияния зарядовых состояний компонентов пар Френкеля и динамики перезарядки дефектов. Новые знания, полученные в данной работе, используются в теоретических и экспериментальных исследованиях по физике твердого тела.

Функционирование практически всех полупроводниковых приборов определяется свойствами барьеров Шоттки и p n – переходов. Эти приборы содержат ОПЗ. Поэтому техническое приложение результатов работы также может быть использовано для разработки новых радиационных технологических процессов в п/п производстве, для прогнозирования радиационной стойкости полупроводниковых приборов, содержащих области пространственного заряда.

Научные публикации:

Общее число публикаций: 101.

Основные публикации:

Characterization of W-defect in electron-irradiated InP. / V.N. Brudnyi, V.V. Peshev, S.V. Smorodinov. / Physica status solidi (a), 1991, V.128, P.311-317.

Радиационное дефектообразование в электрических полях: GaAs и InP/Брудный В.Н., Пешев В.В, Суржиков А.П. -Новосибирск: Наука, 2001. -136 с.

The broad midgap deep-level transient spectroscopy band in proton (63 MeV) and fast neutron-irradiated n-GaAs. / V.V. Peshev, V.N. Brudnyi, A.V. Gradoboev. / Phys. stat. sol.(b), 1999, V.212, P.229-239.

Influence of Electronic (Charge) State of E Traps on Their Introduction Rate in Irradiated n-GaAs. / V.N. Brudnyi, V.V. Peshev. / Semiconductors. – 2003. – V. 37. – N. 1. – P. 20-27.

The U-Peak in the DLTS Spectra of n-GaAs Irradiated with Fast Neutrons and 65-MeV Protons. / V.N. Brudnyi, V.V. Peshev. / Semiconductors. – 2003. – V. 37. – N. 2. – P. 140-144.

Annealing of radiation-induced defects in n-GaAs. / V.V. Peshev / Russian Physics Journal. 2004. –V. 47, –N 10. –P. 1087–1090.

A bistable defect in InP. / V.V. Peshev / Russian Physics Journal. 2005. –V. 48, –N 4. –P. 417 422.

E10 center (EC – 0.62 eV) in InP irradiated by gamma-quanta and electrons. / V.V. Peshev / Russian Physics Journal. 2005. –V. 48, –N 5. –P. 541 543.

Некоторые сопутствующие технические результаты научной работы:

1). Создан экспрессный неразрушающий метод определения ширины запрещенной зоны твердых растворов полупроводников на основе GaAs, InP. 2). Заложены физические основы метода измерения профиля концентрации свободных носителей в многослойных полупроводниковых структурах на контакте "хим. травитель полупроводник". 3). На основе известных (но только физических) принципов метода нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (НЕСГУ) была разработана и изготовлена установка, реализующая этот метод. Установка НЕСГУ, изготовленная Пешевым, была второй или третьей по счету, изготовленной в СССР. 4). Создан экспрессный неразрушающий метод измерения удельного электрического сопротивления полуизолирующих подложек GaAs. 5). Создан и апробирован метод отжига ионно легированных структур GaAs пучком электронов с энергией 1 МэВ. Метод имеет значительные преимущества перед традиционными способами.

Должность и место работы: Профессор кафедры естественно-научного образования (ЕНО) Юргинского технологического института (филиал) Томского политехнического университета.

---