Нусупов Каир Хамзаевич

Нусупов Каир Хамзаевич, доктор физ.-мат. наук (ФИАН, Москва, 1996), профессор, академик Российской Академии Естествознания (диплом № 9342 от 01.06.2017 г.), заслуженный деятель науки и образования РАЕ (сертификат № 01434 , Москва 2014), основатель научной школы РАЕ (сертификат № 00839, Москва 2014), член Нью-Йоркской Академии наук. Индекс Хирша – 6. Имеет стаж работы в США (г.Нью-Йорк и др.) – 10 лет, в России (г.Москва) – 5 лет, в военно-промышленном комплексе СССР – 15 лет. В Казахстане им разработаны, спроектированы и изготовлены уникальный ускоритель тяжелых ионов для создания высококачественных наноструктур и p-n-переходов, партия детекторов ядерных излучений для космического спутника специального назначения, проработавших в открытом космосе более 20000 часов (официальное подтверждение имеется), имеет патент США по ускорительной технике, три патента по ветроэнергетике, авторское свидетельство СССР для служебного пользования по детекторам и ряд публикаций в солидных изданиях дальнего и ближнего зарубежья.

Нусупов Каир Хамзаевич родился 26.12.1940 г в г. Алма-Ата (Казахстан). 21.12.1965 г. окончил Новосибирский электротехнический институт по специальности «Полупроводниковые приборы». После обучения в 1967-1973 гг. в аспирантуре Физического института им. П.Н.Лебедева АН СССР (г.Москва) Нусупов К.Х. в 1973 году успешно защищает кандидатскую диссертацию в этом учреждении. В институте ядерной физики Казахстана (1973-1976) Нусупов К.Х. впервые в СССР осуществляет перевод линейного ускорителя тяжелых ионов (ИЛУ-4) на низкие энергии (см. «Ионно-лучевая модификация материалов. Аналитический обзор.» Москва, 1987). В 1976-1996 гг. в Институте физики высоких энергий АН КазССР Нусупов К.Х., будучи заведующим лабораторией детекторов частиц высоких энергий, разрабатывает и создает полупроводниковые детекторы ядерных частиц, которые после испытаний как лучшие в СССР были установлены на борту космического летательного аппарата. Докторская диссертация: «Имплантация кремния высокими дозами углерода: структурные особенности и фазовые превращения» по специальности “01.04.07 – физика конденсированных сред” защищена 15.04.1996 г. в Специализированном Совете Д.002.39.02 Лауреата Нобелевской премии Басова Н.Г. Физического института им. П.Н.Лебедева Российской Академии наук (г. Москва, Россия).

Имеет 133 научных публикаций, включая 2 главы в книгах дальнего зарубежья, опубликованных издательством InTech, на которые зарегистрировано 4667 запросов специалистов из 194 стран, включая 1208 из США, 457 из Китая, 178 из Германии, 155 из Индии, 121 из Японии, 115 из России и др. на июль 2017. Является руководителем гранта Комитета науки МОН РК. Им подготовлены 3 кандидата физико – математических наук и 1 доктор наук, которые защитили диссертаций в престижных научных институтах г.Москвы.

Научные публикации

Имеет цикл работ по ионной имплантации, структуре и физическим свойствам тонких пленок, в том числе:

главы в европейских книгах:

1. Kair Nussupov and Nurzhan Beisenkhanov. The Formation of Silicon Carbide in the SiCx Layers (x = 0.03-1.4) Formed by Multiple Implantation of C Ions in Si. // In book: Silicon Carbide - Materials, Processing and Applications in Electronic Devices. Moumita Mukherjee (Ed.). 2011. Chapter 4. InTech. P. 69-114. ISBN: 978-953-307-968-4. Available from: http://www.intechopen.com/books/silicon-carbide-materials-processing-and-applications-in-electronic-devices/the-formation-of-silicon-carbide-in-the-sicx-layers-x-0-03-1-4-formed-by-multiple-implantation-of-c-Ions in Si. // 3556 зарегистрированных InTech запросов специалистов из 194 стран мира (США - 813, Китай - 291, Индия 155, Германия - 129, Япония - 88, Россия – 86 и др.) на июль 2017.

2. Kair Kh. Nussupov and Nurzhan B. Beisenkhanov. Ion Synthesis of SiC and Its Instability at High Temperatures // In book: Physics and Technology of Silicon Carbide Devices. Dr. Yasuto Hijikata (Ed.). 2013. Chapter 3. InTech. PP.47-96. ISBN: 978-953-51-0917-4. DOI: 10.5772/51389. Available from: http://www.intechopen.com/books/physics-and-technology-of-silicon-carbide-devices/ion-synthesis-of-sic-and-its-instability-at-high-temperatures, // 1353 зарегистрированных запросов специалистов из 69 стран (395 из США, 166 из Китая, 49 из Германии, 35 из Англии, 34 из Юж.Кореи, 33 из Японии, 29 из России и др.) на июль 2017.

Статьи в европейских журналах:

1. On the Identification of the Vibrational-Spectra in Hydrogen Implanted Crystalline Silicon Mukashev BN; Nussupov KH; Tamendarov MF; et al. // Physics Letters. A. Vol. 87. Iss. 7. P. 376-380. 1982. Total Citations 31

2. New Infrared-Absorption Bands in Hydrogen-Implanted Silicon Mukashev BN; Nussupov KH; Tamendarov MF. // Physics Letters. A. Vol. 72. Iss. 4-5. P. 381-383. 1979. Total Citations 31

3. Investigation of the Formation of Si and SiC Crystalline Phases in Room-Temperature C+ Implanted Si Nussupov KK; Sigle VO; Bejsenkhanov NB. // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Vol. 82. Iss. 1. P. 69-79. 1993. Total Citations 16

4. Investigation of Structure and Phase-Transformations in Silicon Implanted with C-12(+) at Room-Temperature Nussupov KK; Bejsenkhanov NB; Tokbakov J. // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Vol. 103. Iss. 2. P. 161-174. 1995. Total Citations 12

5. Divacancy in Silicon Irradiated by Protons Mukashev BN; Nussupov KH; Tamendarov MF. // Physica Status Solidi. B. Vol. 96. Iss. 1. P. K17-K19. 1979. Total Citations 11

6. Study of Primary and Secondary Radiation Defects Formation and Annealing in Para-type Silicon Mukashev BN; Kolodin LG; Nussupov KH; et al. // Radiation Effects and Defects in Solids. Vol. 46. Iss. 1-2. P. 79-84. 1980. Total Citations 6

7. Influence of Acceptor Impurity Concentration and Irradiation Temperature on Defect Formation in Para-type Silicon Irradiated with Electrons Mukashev BN; Kolodin LG; Nussupov KH; et al. // Soviet Physics Semiconductors – USSR. Vol. 12. Iss. 5. P. 551-553. 1978. Total Citations 3

8. Structure Properties of Carbon Implanted Silicon Layers Nussupov K.Kh.; Beisenkhanov N.B.; Valitova I. V.; et al. // Journal of Materials Science - Materials in Electronics. Vol. 19. Supplement. 1. P. S254-S262. 2008. Total Citations 2

9. Electrical-Properties of Shallow Implanted Layers in Silicon Mukashev BN; Kusainov ZA; Nussupov KH; et al. // Physica Status Solidi. A. Vol. 78. Iss. 1. P. K19-K22. 1983. Total Citations 2

10. Characteristic Features of Implantation of Low-Energy Phosphorus Ions in Silicon Akhmetov MA; Kusainov ZA; Mukashev BN; et al. // Soviet Physics Semiconductors – USSR. Vol. 14. Iss. 4. P. 477-478. 1980. Total Citations 2

11. Kinetics of Annealing of Radiation Defects in P-type Silicon at Temperatures of 150-300-Degrees-K Mukashev BN; Kolodin LG; Nussupov KH; et al. // Soviet Physics Semiconductors – USSR. Vol. 12. Iss. 6. P. 697-699. 1978. Total Citations 2

12. Radiation Defects in P-type Silicon Irradiated with 30 MEV Protons Grigoreva GM; Kolodin LG; Kreinin LB; et al. // Soviet Physics Semiconductors – USSR. Vol. 11. Iss. 11. P. 1278-1280. 1977. Total Citations 2

13. Orientational Dependence of Defect Formation in N-type Gallium-Arsenide Irradiated with 30 MEV Protons Tamendarov MF; Kusainov ZA; Mukashev BN; et al. // Soviet Physics Semiconductors – USSR. Vol. 11. Iss. 10. P. 1144-1146. 1977. Total Citations 1 .

14. Structure and Composition of Silicon Carbide Films Synthesized by Ion Implantation By: Nussupov, K. Kh.; Beisenkhanov, N. B.; Zharikov, S. K.; et al. // Physics of the Solid State –Vol. 56. Iss. 11 P. 2307-2321. 2014.

15. An Influence of Plasma Treatment on Structure Properties of Thin SiC Films on Si Nussupov K.Kh; Beisenkhanov N.B.; Mit K.A.; et al. // High Temperature Material Processes. Vol. 14. Iss. 1-2. P. 193-203. 2010. Total Citations 0.

16. Structural Studies of Thin Silicon Layers Repeatedly Implanted by Carbon Ions Nusupov K.Kh.; Beisenkhanov N.B.; Valitova I. V.; et al. // Physics of the Solid State. Vol. 48. Iss. 7. P. 1255-1267. 2006. Total Citations 0.

17. Ion Implantation Apparatus Comprises Ion Implantation Unit and Target Presentation Unit Including Lateral Loading Chamber, Screw Conveyors, Doors, Docking Mechanism, Looped Chain Conveyor, Motor, Heater, Cooler, and Sensors Patent Number US6414328-B1; CA2388400-A1. Patent Assignee Nussupov K. Inventor(s): Nussupov K. 2002. Total Citations 0.

18. Distribution Profiles of Phosphorus in Silicon after Ion-Implantation Mukashev BN; Nussupov KH; Kusainov ZA; et al. // Soviet Physics Semiconductors – USSR. Vol. 16. Iss. 1. P. 69-72. 1982. Total Citations 0.

19. Recombination Properties of Silicon Doped by Implantation of Hydrogen-Ions Mukashev BN; Nussupov KH; Tamendarov MF.; et al. // Soviet Physics Semiconductors – USSR. Vol. 14. Iss. 9. P. 1069-1070. 1980. Total Citations 0.

20 Бейсембетов И.К., Бейсенханов Н.Б., Дощанов А.М., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Нусупов К.Х. Синтез β-SiC в слоях SiCx (x = 0,03-1,4) многократной имплантацией ионов С в Si // Вестник ННГУ. Нижний Новгород. 2011. 2. С. 38-45.

21. И.К.Бейсембетов, К.Х.Нусупов, Н.Б.Бейсенханов, С.К.Жариков, Б.К.Кенжалиев, Т.К.Ахметов, Р.Ивлев. Структура наноразмерных пленок углерода и карбида кремния на кремнии, полученных магнетронным и ионно-лучевым распылением мишени // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. Изд. "Радиотехника" (Москва). 2012. 3(4). С. 30-35.

22. И.К.Бейсембетов, Н.Б.Бейсенханов, С.К.Жариков, Б.К.Кенжалиев, К.Х.Нусупов, Т.К.Ахметов, Б.Ж.Сеитов. Инфракрасная спектроскопия ионно-синтезированных тонких пленок карбида кремния // Вестник ННГУ. Нижний Новгород. 2013. 4(1). С. 42-55. http://cyberleninka.ru/article/n/infrakrasnaya-spektroskopiya-ionno-sintezirovannyh-tonkih-plenok-karbida-kremniya

23. Бейсенханов Н.Б., Мукашев Б.Н., Нусупов К.Х., Токмолдин С.Ж., Валитова И.В., Глазман В.Б., Аймагамбетов А.Б., Дмитриева Е.А. Исследование структурных превращений в тонких пленках SnOx // Поверхность. 10. (Москва). 2005. С.93-100.

24. Бейсембетов И.К., Бейсенханов Н.Б., Дощанов А.М., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Нусупов К.Х. Синтез пленок со структурой типа алмаза (С, SiC) на кремнии осаждением либо имплантацией ионов 12C // Вестник ННГУ. Нижний Новгород. 2011. 3(1). С. 50-55.

25 Нусупов К.Х., В.О.Сигле, Бейсенханов Н.Б., Токбаков Дж. Неразрушающий метод измерения концентрации электрически активных центров в области p-n перехода.- Электронная техника. 1990, серия 7, ТОПО, вып.5 (162), С. 67-70.

26 И.К.Бейсембетов, К.Х.Нусупов, Н.Б.Бейсенханов, С.К.Жариков, Б.К.Кенжалиев, Т.К.Ахметов, Б.Ж.Сеитов. Формирование и структура наноразмерного слоя карбида кремния на кремнии при имплантации ионов углерода высоких доз // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. – Изд. "Радиотехника" (Москва). 2013. 4(2). С. 36-42.

27 Нусупов К.Х., Евдокимов С.Г. Кассета для жидкостной обработки полупроводниковых пластин. //Авторское свидетельство № 1253382. Госкомитет СССР по делам изобретений и открытий. 1986.

28 Нусупов К.Х., Часникова С.С., Ахметов М.А. Полупроводниковые ионно-легированные детекторы заряженных частиц. Международная выставка «Наука-83», Проспект.

29 Нусупов К.Х., Сигле В.О., Ахметов М.А., Сенин Н.А., Бетекбаев А.А., Ахметов Х.Г. Расширение энергетического диапазона ускорителя ИЛУ-4 в сторону низких энергий и перспективы развития установки. Труды института атомной энергии им. И.В.Курчатова. (Для служебного пользования). М., 1982, с.94-99.

30 Нусупов К.Х., Сигле В.О., Сенин Н. А., Анзон В.П., Евдокимов С.Г., Ахметов М.А., Бетекбаев А.А., Тажибаев Б.С. Вакуумная система и мишенный узел ионно-лучевого ускорителя. Труды института атомной энергии им. И.В.Курчатова. (Для служебного пользования). М., 1982, с.43-45.

31 Нусупов К.Х., Сигле В.О., Анзон В. П., Сенин Н.А., Евдокимов С.Г., Бетекбаев А.А., Тажибаев Б.С., Ахметов М.А., Егоров А.Б. Каскадные генераторы для расширения энергетического диапазона ускорителя ИЛУ-4 до 240 кэВ. Труды института атомной энергии им. И.В.Курчатова. (Для служебного пользования). М., 1982, с.28-32.

32 Мукашев Б.Н., Нусупов К.Х., Тамендаров М.Ф. Электрические свойства крем-ния, легированного внедрением ионов водорода. // Физика и техника полупроводников, 1981, т.15, с.2089. «Электроника» № Р-3186.

33 Мукашев Б.Н., Нусупов К.Х., Тамендаров М.Ф. Радиационные эффекты в кремнии, легированном внедрением ионов водорода. // Вопросы атомной науки и техники. Серия: физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. 1981, вып.3 (17), с.17-20.

34 Нусупов К.Х., Ахметов М.А., Кусаинов Ж.А., Мукашев Б.Н. Особенности легирования кремния ионами фосфора низких энергий. // Физика и техника полупроводников, 1980, т.14, в.4, с.812-814.

35 Нусупов К.Х., Ахметов М.А., Кусаинов Ж.А., Мукашев Б.Н. Особенности легирования кремния ионами фосфора низких энергий. // Физика и техника полупроводников, 1980, т.14, в.4, с.812-814.

36 Колодин Л.Г., Мукашев Б.Н., Иванов М.С., Нусупов К.Х. Влияние концентрации акцепторной примеси и температуры облучения на процессы дефектообразования в кремнии р-типа, облученном электронами. // Физика и техника полупроводников, 1978, 12, №5, 934.

37 Баядилов Е.М., Вавилов В.С., Кацуров Л.Н., Нусупов К.Х., Краснопевцев В.В., Милютин Ю. З. Перераспределение концентрации внедренных ионов Li в Si при термообработке. (По материалам диссертации). //Физика и техника полупроводников, том 7, 1973 г.

38 Нусупов К.Х. Имплантация кремния высокими дозами углерода: структурные особенности и фазовые превра-щения. // Автореферат докторской диссертации, Физический институт им.П.Н.Лебедева РАН, Москва. 1996. 43 с.

39 Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Бейсембетов И.К., Кенжалиев Б.К., Сейтов Б.Ж., Бакранова Д.И. ИК-исследование ионно-синтезированных пленок карбида кремния на кремнии // Фундаментальные исследования. − 2015. − №.9(1) − С. 50-55. http://www.rae.ru/fs/?section=content&op=show_article&article_id=10008232

40 I.K. Beisembetov, K.Kh. Nusupov, N.B. Beisenkhanov, S.K. Zharikov, B.K. Kenzhaliev, T.K. Akhmetov, and B.Zh. Seitov. Synthesis of SiC Thin Films on Si Substrates by Ion-Beam Sputtering // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2015. Vol. 9, No.2. pp. 392-399.

41 Бейсембетов И.К., Кенжалиев Б.К., Нусупов К.Х. Многоступенчатая ветровая установка // Патент, (19) KZ (13) B (11) 29908, 2015г.

42 Нусупов К.Х., Бейсембетов И.К., Кенжалиев Б.К. Многоступенчатая энергетическая установка // Патент, (19) КZ (13) B (11) 30610, 2015 г.

43. Dina I. Bakranova, Sergey A. Kukushkin, Kair Kh. Nussupov, Andrey V. Osipov, Nurzhan B. Beisenkhanov. Epitaxial silicon carbide films grown by new method of replacement of atoms on the surface of high-resistivity (111) oriented silicon // MATEC Web of Conferences. 43. 2016. 01003. P. 1-4. (Web of Science, Scopus, Conference Proceedings Citation Index (Web of Science).

44. Кукушкин С.А., Нусупов К.Х., Осипов А.В., Бейсенханов Н.Б., Бакранова Д.И. Рентгеновская рефлектометрия и моделирование параметров эпитаксиальных пленок SiC на Si(111), выращенных методом замещения атомов // Физика твердого тела. 2017. Т.59, в.5. С. (Physics of the Solid State, 59(5), 2017. P. Импакт-фактор 2015 - 0.831. SCOPUS, Thomson Reuters) и другие

Нусупов Каир Хамзаевич имеет награды

---