Логинов Юрий Юрьевич

Ю.Ю.Логинов - доктор физико-математических наук (1997), профессор (1999), член корреспондент РАЕ (2007), проректор по международным связям Красноярского государственного университета, зав.кафедрой современного естествознания. Специалист в области электронной микроскопии и структурных свойств полупроводников. Автор 6 учебно-методических и более 100 научных работ, в том числе монографии «Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках» - Москва: Логос, 2003 г. – 304 с.

В 1988, 1989, 1991, 1994 и 1995 гг. стажировался и работал по контракту в университетах г. Кембридж и г. Дарэм в Великобритании. В 2004 г. – в университете штата Техас, США. Основные исследования по докторской диссертации проведены в Кавендишской лаборатории университета г. Кембридж (Великобритания).

Лауреат гранта Британского совета (1988); лауреат гранта им. П. Капицы Королевского общества Великобритании (1994); лауреат профессорской премии главы г. Красноярска (2005); член правления Региональной общественной организации «Профессорское собрание Красноярского края» (с 2004); действительный член Русской академии наук и искусств (2000); Соросовский доцент (1995, 1998); Соросовский профессор (2001); председатель ученого совета Лесосибирского педагогического института (1999-2004). Отмечен благодарственным письмом губернатора Красноярского края (2001) и Грамотой министерства образования РФ (2004).

Научные публикации

Основные публикации

1). TEM study of sub-threshold electron irradiation damage in II-VI compounds // Phys.Stat.Sol.(a). - 1991. V.126. - P.63-83.

2). 100 keV electron beam induced decomposition of II-VI compounds // Phys.Stat.Sol.(a).- 1992. - V.132. - P.323-337.

3). Microtwin nucleation and propagation in heteroepitaxial II-VI compounds on (001)-oriented GaAs substrates // Phil.Mag.(a).-1995.-V.72, N1.-P.39-57.

4) Формирование структурных дефектов в гетероэпитаксиальных слоях CdTe и CdZnTe, выращенных на GaAs // ФТТ.-1996.-Т.38, N2.-С.496-506.

5). Влияние легирующей примеси на образование структурных дефектов в CdTe, облученном электронами и ионами // ФТТ.-1996.-Т.38, N4.-С.1251-1261.

Монография:

Логинов Ю.Ю., Браун П.Б., Дьюроуз К. Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках А2В6 // Москва: Логос, 2003. – 304 с.

---