Козловский Виталий Васильевич

Козловский Виталий Васильевич родился 9 февраля 1953 года в Ленинграде. В 1976 году окончил физико-механический факультет ЛПИ по специальности ''Дозиметрия и защита от излучений" и поступил на работу в физический отдел НИИ "Гириконд" НПО "Позитрон". Работал инженером (1976-1983), м.н.с. (1983-1987), н.с. (1987-1989), с.н.с. (1989-1994) и вед.н.с. (1994-1996). С 1993 года работает в СПбГТУ на кафедре "Экспериментальная физика" физико-механического факультета. Занимал должность доцента (в 1993-1996 годах- по совместительству), с 1996 года - зам. заведующего кафедрой по научной работе. С 1997 года - профессор, В 1983 году защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата, в 1996 году - доктора физико-математических наук. Основные работы В.В. Козловского посвящены вопросам радиационной модификации полупроводниковых материалов. Им создано новое направление радиационной физики твердого тела - радиационное легирование полупроводниковых материалов под действием заряженных частиц. Под его руководством выполнен большой цикл экспериментальных исследований трех направлений радиационного легирования полупроводниковых материалов с использованием заряженных частиц (радиационно-стимулированная диффузия, легирование радиационными дефектами и трансмутационное легирование) и разработаны теоретические модели ряда радиационно-стимулированных эффектов. Основным практическим результатом работ В.В. Козловского является разработка новых способов радиационного легирования материалов, обоснование перспектив их применения для серийного изготовления и улучшения характеристик высоковольтных, СВЧ и оптоэлектрснных приборов. Читает курс общей физики для студентов факультета технической кибернетики. Внес существенный вклад в методическое обеспечение учебных лабораторий физики. "Член двух докторских диссератационных Советов при СПбГПУ и ФТИ им.А.Ф.Иоффе" .

Научные публикации

Автор более 150 научных трудов, в том числе 13 изобретений, 1 монографии, 4 учебных пособий. Основные научные труды:

V. V. Kozlovski, L.F. Zakharenkov "Transmutation Doping of Semiconductors by Charged Particles" - in " Semiconductors Technology Processing and novel Fabrication Techniques", John Wiley & Sons, New York, 1997. P. 17-46 (Ch. 2).

В.В.Козловский Модифицирование полупроводников пучками протонов. Санкт-Петербург. Издательство Наука. 2003 г. 268 с.

Радиационные процессы в технологии материалов и изделий электронной техники: Учеб. пособие / Под ред. B.C. Иванова и В.В. Козловского. М.: Энергоатомиздат, 1997. 84 с.

---