Коноров Павел Павлович

Павел Павлович Коноров родился 3 декабря 1926 г. в Казани. До 1948 г. проживал в пос. Санчурск Кировской области. Там окончил среднюю школу и в 1946 г. поступил на заочное отделение физико-математического факультета Казанского госуниверситета. В 1948 г. был принят в порядке перевода на третий курс физического факультета Ленинградского университета, который окончил с отличием в 1951 г. и был оставлен в аспирантуре при кафедре электрофизики. После защиты кандидатской диссертации в марте 1955 г. работал на этой кафедре (впоследствии — кафедра электроники твердого тела) в должности ассистента, старшего научного сотрудника, доцента. В 1970 г. защищал докторскую диссертацию по специальности «Физика твердого тела». С 1972 по 1992 г. профессор, заведующий кафедрой электроники твердого тела физического факультета ЛГУ—СПбГУ. Одновременно с 1973 по 1982 г. в трудное время переезда факультета из Ленинграда в Петродворец был деканом физического факультета. В 1976 г. избирался депутатом Петродворцового райсовета. С 1992 г. по настоящее время профессор кафедры электроники твердого тела. Научная деятельность П. П. Конорова в университете началась в период его дипломной работы, которую он выполнял в Физико-техническом институте РАН им. А. Ф. Иоффе под руководством крупного ученого и замечательного человека Бориса Иосифовича Болтакса. Эта работа была продолжена в аспирантуре под руководством академика А. А. Лебедева и была посвящена изучению электрофизических свойств полупроводников. В те годы фундаментальные исследования свойств полупроводников только начинали приобретать широкий размах. Изобретение в 1949 г. американцами В. Шокли, Дж. Бардиным и В. Братайном транзистора явилось крупнейшим открытием ХХ в. и показало важность и практическую значимость исследований электронных процессов в приповерхностных и приконтактных областях полупроводников, которые в дальнейшем легли в основу современной электроники и в значительной мере определили область научных интересов П. П. Конорова. В качестве направления своих дальнейших научных исследований им было выбрано изучение электрофизических процессов в полупроводниках на границе с электролитами. Эти исследования позволили сформировать новое научное направление «Физика поверхности полупроводниковых электродов», представляющее значительный научный и практический интерес. По результатам этих исследований П. П. Коноро-вым была защищена докторская диссертация. Ему была присуждена ученая степень доктора физико-математических наук (1971) и присвоено звание профессора (1973). П. П. Коноровым был предложен принципиально новый подход к изучению поверхностных явлений в полупроводниках, основанный на использовании границы полупроводник—электролит, позволяющий в широких пределах направленно модифицировать поверхность полупроводника и управлять такими важными ее характеристиками, как плотность и параметры поверхностных состояний, величина и знак области пространственного заряда у поверхности, характер переноса носителей тока через поверхность и т. д. Важным достижением в этой области явились разработка и обоснование новых методов изучения поверхности полупроводников, использующих контакт полупроводник—электролит, которые включали в себя метод эффекта поля в электролитах, поглощение ИК-излучения на свободных носителях, электроотражение, ряд фотоэлектрических и других методов. В результате исследований, выполненных на широком классе полупроводниковых материалов, включающих Ge, Si< соединения А3В5, А2В6 и другие, был обнаружен и исследован ряд новых эффектов, характерных для поверхности полупроводников, таких как эффект стационарного неравновесного обеднения, необычное поведение фотоэлектрических характеристик в условиях сильных приповерхностных изгибов зон и эффект появления гигантских поверхностных фотоэдс в условиях неравновесного обеднения. Выявлены важные закономерности в формировании поверхностных состояний и в ряде случаев установлена их физико-химическая природа. Продолжение и развитие этих исследований учениками П. П. Конорова (проф. О. В. Романов и проф. А. М. Яфясов) и распространение их на свойства узкозонных и бесщелевых полупроводников и полуметаллов выявили принципиально новые возможности системы полупроводник—электролит для изучения поверхностных явлений, которые невозможно было исследовать при существовавших подходах. К таким возможностям относятся возможности наблюдения и исследования эффектов вырождения и двумеризации электронного газа при комнатной температуре, плотности электронных состояний, законов дисперсии и эффективной массы в приповерхностной области полупроводника, влияния на электронные свойства поверхности неквадратичных законов дисперсии и т. д. Важным этапом в рамках этого направления стало изучение электрофизических свойств системы электролит—диэлектрик—полупроводник. Эти исследования показали уникальность такой системы для изучения электронных и ионных процессов в диэлектрических слоях на поверхности полупроводников за счет возможности создания в диэлектрических слоях сверхсильных электрических полей, реализации условий монополярной инжекции в диэлектриках, а также за счет возможностей широкого применения оптических методов исследования, обусловленных прозрачностью электролитического контакта (проф. А. П. Барабан). Высокая чувствительность поверхности полупроводника к составу электролита позволила предложить новые типы датчиков и сенсоров, имеющих применение в экологии, на разных стадиях технологических процессов в микроэлектронике, а обнаруженная необычность поведения поверхности полупроводников в органических растворах и электролитах, содержащих биологически активные вещества, показала большие возможности использования систем полупроводник—электролит в биологии, медицине, а также для моделирования различных биологических процессов (проф. А. М. Яфясов и доц. В. Б. Божевольнов). Основные результаты этих исследований были опубликованы в монографии П. П. Конорова (совместно с профессором А.М. Яфясовым) «Физика поверхности полупроводниковых электродов» (50 п. л.), выпущенной в Издательстве СПбГУ в 2003 г., которая была удостоена первой премии на конкурсе научных работ университета за 2005 г. Другая монография, посвященная этой тематике, — «Field E&#64256;ect in Semiconductor — Electrolyte Interface» (подготовленная совместно с проф. А. М. Яфясовым и доц. В. Б. Божевольным) в 2006 г. была опубликована на английском языке в издательстве «Princeton University Press» (США) и получила высокую оценку зарубежных специалистов. П. П. Коноровым организована лаборатория физики межфазовых процессов, которой он руководит более 40 лет. Исследования, выполненные в лаборатории за эти годы, внесли фундаментальный вклад в физику процессов в полупроводниковых структурах, составляющих основу элементной базы современной микро- и наноэлектроники. П. П. Коноров является автором более 250 научных работ и трех монографий. П. П. Коноровым разработаны и читаются основные спецкурсы кафедры, включая курс «Физика твердого тела», который является поточным для студентов IIIкурса «твердотельных» кафедр физического факультета. П. П. Коноров подготовил 27 кандидатов наук и принимал непосредственное участие в подготовке 7 докторов наук, из которых четверо являются его прямыми учениками, продолжающими научные исследования, начатые под руководством П. П. Коноро-ва. П. П. Коноров был дважды удостоен премии Ленинградского (Санкт-Петербургского) университета. В 2000 г. Павел Павлович Коноров был избран действительным членом Российской академии естественных наук. Он является членом Экспертного совета «Фундаментальные исследования новых материалов», программы «Университеты России» и членом редколлегии журнала «Известия вузов». П. П. Коноров заместитель председателя специализированного совета по присуждению докторских степеней. В 1999 г. П. П. Конорову присвоено почетное звание «Заслуженный работник высшей школы Российской Федерации».

Научные публикации

Photoinjection from Si into SiO2 After Irradiation Oxidized Si with Electrons or Positive Ions of Nit-rogen // Radiation E&#64256;ects. 1985. Vol. 90. N 1–2 (в соавторстве).

Эллипсометрические исследования пассивиру-ющей пленки на железе в кислых сульфатных растворах. Влияние потенциала и рН // Электрохимия. 1986. Т. 22. № 7 (в соавторстве).

Электролюминесценция пленок SiN x // Физика твердого тела. 1987. Т. 29. № 11 (в соавтор-стве).

Изучение процессов деградации структур кремний—двуокись кремния в системе электролит—диэлектрик—полупроводник // Микроэлектроника. 1987. Т. 16. № 4 (в соавторстве).

Электроника слоев SiO2 на кремнии. Л., 1988 (в соавторстве).

Параметры разогрева электронов в слоях SiO2 в кремнии // Письма в журнал технической физики. 1988. Т. 14. Вып. 5 (в соавторстве).

Dimentional E&#64256;ects in Electron Heating and Defect Formation Processes in SiO2 Layers on Silicon // Physics of Low Dimentional Structures. 1994. Vol. 4–5 (в соавторстве).

Low Dimentional E&#64256;ects on the GaSb Semicondac-tor Interface// Low Dimentional Structures. 1995. Vol. 2–3 (в соавторстве).

Электролюминесценция ионноимплантированных структур кремний—двуокись кремния // Журнал технической физики. 2000. Т. 70. Вып. 8 (в соавторстве).

Явления пространственной и временной самоорганизации в системе полупроводник— электролит // Неорганические материалы. 2001. Т. 37. № 1 (в соавторстве).

Физика поверхности полупроводниковых электродов. СПб., 2003 (в соавторстве).

Эффекты самоорганизации при формировании твердофазных наноструктур на поверхности CdHgTe материалов // Физическая мысль России. 2003 (в соавторстве).

Электролюминесценция в слоях SiO2 в различных структурах // Физика твердого тела. 2004. Т. 46. № 4 (в соавторстве).

Формирование двумерных и одномерных твердофазных квантовых наноструктур в системе CdHgTe—электролит // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. Вып. 11 (в со-авторстве).

Field E&#64256;ect in Semiconductor—Electrolyte inter-face. Princeton, 2006 (в соавторстве).

---