Казаров Бениамин Агопович

Казаров Бениамин Агопович, 1983 года рождения, с отличием окончил Северо-Кавказский государственный технический университет по специальности «Автоматизация технологических процессов и производств» с присвоением квалификации «инженер» от 17 июня 2005 года, диплом ВСА 0087544. Научно-педагогический стаж – 8 лет, в сфере высшего профессионального образования – 8 лет.

С 1 июля 2005 года Казаров Б.А. поступил в очную аспирантуру Пятигорского государственного технологического университета (ПГТУ) на кафедру управления и информатики в технических системах. Обучаясь в аспирантуре в 2005 – 2007 г., Казаров Б.А. участвовал в выполнении хоздоговорных работ (заказчик – кафедра экспериментальной физики Дагестанского государственного университета) по проекту: «Моделирование тепловых, диэлектрических и релаксационных свойств твердых растворов и керамики на основе карбида кремния».

В мае 2007 года успешно защитил (научный руководитель – доктор физико-математических наук, профессор, действительный член РАЕН Алтухов В.И.) кандидатскую диссертацию на тему «Моделирование и расчет тепловых, электрических свойств сегнетоэлектрических и полупроводниковых материалов твердотельной электроники» в специализированном совете по защите докторских диссертаций при Дагестанском государственном университете. В октябре 2007 года решением Президиума ВАК присуждена ученая степень кандидата физико-математических наук (диплом ДКН №038759).

С сентября 2007 года по настоящее время работает доцентом кафедры математических и естественнонаучных дисциплин Кавминводского института (филиала) ФГБОУ ВПО Южно-Российского государственного технического университета (Новочеркасского политехнического института).

С сентября 2009 года исполняет обязанности ученого секретаря Ученого совета института.

Казаров Б.А. ведет лекционные и практические занятия по следующим дисциплинам: «Линейная алгебра и аналитическая геометрия», «Математика», «Математический анализ», «Теория графов и математическая логика», «Математическая логика и теория алгоритмов», «Информатика», «Информационные технологии в экономике» и др.

Основное научное направление: «Моделирование тепловых, электрических свойств полупроводниковых материалов наноэлектроники».

Б.А. Казаров участвует в работе международных, всероссийских и региональных конференций.

Казаров Б.А. является соавтором семи научных публикаций в рецензируемых журналах, входящих в перечень ВАК и рекомендованных для опубликования основных результатов диссертаций.

За период с 2005 г. по 2011 г. Казаровым Б.А. подготовлено и издано более 60 научных и учебно-методических работ, а также 2 монографии.

В 2008 году Б.А. Казаровым в соавторстве с В.И. Алтуховым и Н.В. Баландиной подготовлена и издана монография «Моделирование и расчет тепловых, электрических свойств широкозонных полупроводников и диэлектриков (с дефектами, фазовыми переходами и нанокластерами)».

В 2011 году Б.А. Казаров в соавторстве с профессором В.И. Алтуховым и доцентом А.В. Санкиным подготовил и издал монографию «Функциональные материалы наноэлектроники – новые свойства и методы их описания», которая посвящена новым подходам и методам моделирования тепловых, электрических свойств реальных кристаллов и широкозонных полупроводников.

В июне 2011 года решением Рособрнадзора Минобрнауки присвоено ученое звание доцента по кафедре "Прикладная математика".

В августе 2011 года решением Президиума РАЕ присвоено почетное звание "Заслуженный работник науки и образования".

В январе 2012 года Президиум РАЕ принял решение о присвоении Казарову Б.А. звания "Профессор Российской академии естествознания".

В сентябре 2012 года Казаров Б.А. на Сессии Российской Академии Естествознания избран Почетным доктором наук (DOCTOR OF SCIENCE, HONORIS CAUSA).

Научные публикации

1.Казаров Б.А., Алтухов В.И. Компьютерные системы, сети и технологии в банковской деятельности // Материалы IV рег. науч. конф. Математическое моделирование и информационные технологии. 16-17 апреля 2004 г., Георгиевск.- Ставрополь: СевКавГТУ, 2004 г., с. 109-110.

2.Ростова А.Т., Казаров Б.А., Алтухов В.И. Эффект биений различных каналов теплового сопротивления вблизи Тс в сегнетоэлектриках с кластерами и наноструктурами // Материалы V Международной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». – Кисловодск: СевКавГТУ, 2005 г., с.138-139.

3.Алтухов В.И., Казаров Б.А., Ростова А.Т. Критические индексы и математическое моделирование типичных особенностей теплового сопротивления в фононной модели сегнетоэлектрика // Материалы VII Международного симпозиума «Математическое моделирование и компьютерные технологии», Кисловодск, 2005 г. С.142-144.

4.Сафаралиев Г.К., Алтухов В.И., Билалов Б.А., Казаров Б.А. Модели механизмов проводимости, диэлектрической проницаемости и оптические свойства твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x с дефектами и нановключениями// Материалы VIII Международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» - Ульяновск, 2006 г. С.110.

5.Сафаралиев Г.К., Алтухов В.И., Билалов Б.А., Казаров Б.А. Модели механизмов проводимости твердых растворов на основе карбида кремния (SiC)1-x (AlN)x с примесями и нановключениями // Материалы VI Международной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» – Кисловодск: СевКавГТУ, 2006 г. С.444-446.

6.Казаров Б.А. Моделирование особенностей теплового сопротивления и управление проявлением эффекта биений в сегнетоэлектриках // Материалы II Международной научно-технической конференции «Инфокоммуникационные технологии в науке и технике». – Ставрополь, 2006 г. С.183-185.

7.Алтухов В.И., Казаров Б.А., Баландина Н.В. Модель флуктуационного эффекта и особенности теплового сопротивления кристаллов с дефектами и их комплексами-наноструктурами // Труды 9-го Международного симпозиума «Упорядочение в металлах и сплавах». – Ростов-на-Дону – п.Лоо, 2006. С. 212-215.

8.Алтухов В.И., Казаров Б.А. Модель проводимости твердых растворов и пленок на основе карбида кремния с управляемым фазовым переходом типа «металл», полуметалл – изолятор // Межвузовский научный сборник «Управление и информационные технологии». - Пятигорск, 2005 г. С.100-102.

9.Алтухов В.И., Казаров Б.А., Ростова А.Т. Модель эффекта биений теплового сопротивления около Тс и реализация управления условиями его проявления в кристаллах типа KDP // Межвузовский научный сборник «Управление и информационные технологии». – Пятигорск, 2005 г. С.97-99.

10. Казаров Б.А., Алтухов В.И., Билалов Б.А. Модели механизмов проводимости твердых растворов на основе карбида кремния // Межвузовский научный сборник «Управление и информационные технологии». - Пятигорск, 2006 г. С.85-87.

11. Алтухов В.И., Казаров Б.А., Тимченко О.В. Оценка критического показателя теплопроводности в фоннонной модели структурного фазового перехода // Межвузовский научный сборник «Управление и информационные технологии». - Пятигорск, 2006 г. С.83-85.

12. Алтухов В.И., Казаров Б.А., Сафаралиев Г.К., Билалов Б.А., Шабанов Ш.Ш. Гигантское усиление диэлектрической проницаемости твердых растворов на основе карбида кремния // Межвузовский научный сборник «Управление и информационные технологии». - Пятигорск, 2006 г. С.90-97.

13. Алтухов В.И., Казаров Б.А. Эффекты биений теплового сопротивления кристаллов в когерентной области с сильными флуктуациями около ТС // Сб. докл. межд. науч. конф. «Системный синтез и прикладная синергетика», Пятигорск, 2006, С.248.

14. Алтухов В.И., Казаров Б.А., Тимченко О.В. Транспортное уравнение Бете-Солпитера и уравнения ренормгруппы для систем с когерентными состояниями и фазовым переходом // Сб. докл. межд. науч. конф. «Системный синтез и прикладная синергетика», Пятигорск, 2006, С.245.

15. Билалов Б.А., Казаров Б.А., Шабанов Ш.Ш., Сафаралиев Г.К., Алтухов В.И. Проводимость и модель эффекта усиления диэлектрической проницаемости твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x // Материалы IV Всероссийской конф. по физической электронике. Махачкала, 2006, С.160-163.

16. Алтухов В.И., Казаров Б.А., Баландина Н.В. Модель теплового сопротивления кристаллов ZnSe, ZnS, SiC c дефектами, их комплексами и нанокластерами // Материалы IV Всероссийской конф. по физической электронике. Махачкала, 2006, С.164-166.

17. Алтухов В.И., Билалов Б.А., Казаров Б.А., Сафаралиев Г.К. Модели проводимости, эффекта усиления диэлектрической проницаемости и оптические свойства нитрида алюминия в карбиде кремния (SiC)1-x(AlN)x // Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы», г.Москва, МГУ им. Ломоносова, 31 января – 02 февраля 2007 г. С.143-144.

18. Б.А. Казаров. Моделирование тепловых и электрических свойств сегнетоэлектрических и полупроводниковых материалов твердотельной электроники. Материалы ХIV Международной научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов 2007», Москва, МГУ им. Ломоносова, 10 – 15 апреля 2007.

19. В.И. Алтухов, Н.В. Баландина, Б.А. Казаров, А.Т. Ростова. Расчет теплопроводности политипов β – SiC, поликристаллов и твердых растворов карбида кремния с фазовыми превращениями. Материалы 10-го Международного симпозиума «Порядок, беспорядок и свойства оксидов», г.Ростов-на-Дону – пос.Лоо. 2007 г. С.18-22.

20. В.И. Алтухов, Н.В. Баландина, Б.А. Казаров, О.А. Митюгова. Моделирование механизмов рассеяния фононов на дефектах, нанокластерах и тепловые, оптические свойства широкозонных полупроводников (А2В6, SiC) // Труды X международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» - Ульяновск, 2008 г. С.181

21. Сафаралиев Г.К., Билалов Б.А., Алтухов В.И., Казаров Б.А., Санкин А.В. Проводимость и моттовский переход в твердых растворах карбида кремния с нанокластерами // Труды форума и выездного заседания экспертного совета по проблемам интеграции образования, науки и промышленности, Пятигорск, 2009. С. 111-114

22.Ростова А.Т., Казаров Б.А., Алтухов В.И. Математические модели и типичные особенности теплового сопротивления сегнетоэлектриков // Известия вузов Северо-Кавказский регион. Технические науки. Приложение №2. г. Ростов – на – Дону, 2005. С.36-40.

23.Алтухов В.И., Ростова А.Т., Казаров Б.А. Рассеяние фононов на точеч¬ных дефектах структуры, комплексах-наночастицах и типичные осо¬бенности теплового сопротивления реальных кристаллов и сегнетоэлектриков. Часть I. Квазиупругое рассеяние фононов и критические показатели для сегнетоэлектриков // Нано- и микросистемная техника. №3. 2006. С.19-25.

24.Алтухов В.И., Ростова А.Т., Казаров Б.А. Рассеяние фононов на точеч¬ных дефектах структуры, комплексах-наночастицах и типичные осо¬бенности теплового сопротивления реальных кристаллов и сегнетоэлектриков. Часть II. Роль точечных дефектов, наночастиц и флуктуационный эффект биений // Нано- и микросистемная техника. №4. 2006. С.14-21.

25.Казаров Б.А., Алтухов В.И. Математические модели проводимости твердых растворов на основе карбида кремния с дефектами, их комплексами и нановключениями // Обозрение прикладной и промышленной математики. Т.13, Вып. 4. 2006. С. 648.

26.Казаров Б.А., Алтухов В.И. Моделирование флуктуационного эффекта биений в кристаллах Hg2Cl2 // Вестник Воронежского государственного технического университета. Т.2, №8. 2006. С. 131-132.

27.Алтухов В.И., Казаров Б.А., Баландина Н.В., Тимченко О.В. Модели особенностей теплового сопротивления кристаллов с фазовыми переходами и дефектами // Известия Самарского научного центра РАН. Т.9, №3, 2007. С.640.

28.Алтухов В.И., Казаров Б.А., Алтухова П.В. Модели особенностей кривой теплопроводности К(Т) и гигантского теплосопротивления W с учетом фазовых переходов, дефектов и нанокластеров в сегнетоэлектриках и кристаллах А2В6 // Обозрение прикладной и промышленной математики. Т.15, Вып. 5. 2008. С. 851 – 852.

Казаров Бениамин Агопович имеет награды

---