Карпович Игорь Алексеевич

Профессор кафедры полупроводников и оптоэлектроники ННГУ им. Лобачевского. Область научных интересов: фотоэлектрические явления на поверхности и гетерограницах полупроводников, в квантово-размерных гетероструктурах. Игорь Алексеевич Карпович. Родился в 1931 г. в г. Исилькюль Омской области. Окончил с отличием Ленинградский государственный университет в 1953 г., аспирантуру при университете в 1956 г. Ассистент кафедры электрофизики ЛГУ (1956-1959), доцент кафедры физики диэлектриков и полупроводников Нижегородского государственного университета (1959-1963), заведующий кафедрой физики диэлектриков и полупроводников ННГУ (1963-1997), директор Научно-исследовательского физико-технического института ННГУ (1975-1985), профессор кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники (с 1997). Кандидат физ.-мат. наук (1958), доктор физ.-мат. Наук (1974), профессор (1975 ). Количество опубликованных работ - 202 Количество учебно-методических работ - 2 Защитивших диссертации под его руководством - 31 Количество изобретений и патентов - 3

Научные публикации

Гетероэпитаксиальная пассивация поверхности GaAs / И. А. Карпович, Б. И. Бедный, Н. В. Байдусь, Л. М. Батукова, Б. Н. Звонков, М. В.Степихова//ФТП, 1993, т. 27, с. 1736.

Применение размерно-квантовых структур для исследования дефекто-образования на поверхности полупроводников / И. А. Карпович, А. В. Аншон, Н. В. Байдусь, Л. М. Батукова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, С. М. Планкина //ФТП, 1994, т. 28, с. 104.

Диагностика квантовых структур с квантовыми ямами методом спектроскопии поверхностной фотоэдс /И. А. Карпович, Д. О. Филатов //ФТП, 1996, т.30, 1745.

Фотопроводимость, фотомагнитный и магниторезистивный эффекты в полуизолирующем GaAs. Определение рекомбинационных параметров./ И. А. Карпович, М. В. Степихова //ФТП, 1996, т. 30, с. 1785.

---