Гурин Нектарий Тимофеевич

Гурин Нектарий Тимофеевич первый проректор — проректор по учебной работе Ульяновского государственного университета, заведующий кафедрой радиофизики и электроники, Заслуженный работник высшей школы Российской Федерации, действительный член РАЕН.

Сфера научных интересов — оптоэлектроника, полупроводниковая электроника.

Основные биографические данные

1949 Год рождения

1971 Окончание с отличием радиотехнического факультет Ульяновского политехнического института

1973-1976 Аспирантура Ужгородского государственного университета по специальности «Физика полупроводников и диэлектриков»

1988 — работа в филиале Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова в г.Ульяновске (с 1996г.— Ульяновский государственный университет)

1995 Защита докторской диссертации

1996 Присвоение ученого звания профессора.

За разработку «Фотоприемник с отрицательной проводимостью на основе полупроводниковой структуры» награжден с соавторами золотой медалью «Международного салона изобретений» (г.Женева, Швейцария, 2007г.) и дипломом 58-й международной выставки «Идеи-изобретения-инновации» — «IENA2006» (г.Нюрнберг, Германия, 2006г.).

Научные публикации

Автор более 350 научных трудов, включая монографию

«Перспективные средства отображения информации» (Саратов, изд. Саратов. гос. ун-та, 1986.— 116 с.),

учебное пособие «Основы организации и функционирования многоэлементных плоских индикаторов» (Ульяновск, изд. Средневолжского научного центра, 1996.— 84с.),

49 патентов и авторских свидетельств на изобретения.

Последние публикации в рецензируемых журналах с 1990 года:

Люминесценция и индикаторы

Н.Т.Гурин, К.В.Паксютов, М.А.Терентьев, А.В.Широков. Широкополосная фотолюминесценция в системе (CaO-Al2O3-SiO2):Eu.— Письма в ЖТФ.— 2009.— Т.35.— Вып. 15.— с.41-49

Н.Т.Гурин, К.В.Паксютов, М.А.Терентьев, А.В.Широков. Оптимизация состава и условий синтеза синих люминофоров [(B2O3)0,5(Al2O3)0,5]-2SiO2: Eu2+.— Журнал технической физики.— 2009.— Т.79.— Вып. 9.— с.152-154

Н.Т.Гурин, К.В.Паксютов, М.А.Терентьев, А.В.Широков. Интенсивная синяя и фиолетовая люминесценция в системе (B2O3-Al2O3-SiO2):Eu2+.— Письма в ЖТФ.— 2008.— Т.34.— Вып. 21.

Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Релаксация параметров тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS:Mn при выключении. Физика и техника полупроводников.— 2008.— Т. 42.— № 6.— с.692–705.

Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Релаксация параметров тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе ZnS:Mn при выключении. Письма в ЖТФ.— 2008.— Т. 34.— № 7.— с.14–22.

Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов, А.М.Афанасьев. Характеристики туннелирования и ударной ионизации в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS:Mn. Физика и техника полупроводников.— 2007.— Т.41.— № 10.— с.1168–1177.

Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Определение параметров и характеристик электролюминесценции в тонкопленочных излучателях на основе ZnS:Mn. Журнал технической физики.— 2006.— Т.76.— № 8. -с.50–62.

Н.Т.Гурин, А.М.Афанасьев, О.Ю.Сабитов, Д.В.Рябов. Туннелирование и ударная ионизация в тонкопленочных структурах на основе ZnS:Mn. Физика и техника полупроводников.— 2006.— Т.40.— № 8. -с.949–961.

Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Новый метод определения параметров электролюминесценции в тонкопленочных излучателях на основе ZnS:Mn. Письма в ЖТФ.— 2005.— Т.31.— № 22.— с.17–23.

Н.Т.Гурин, Д.В.Рябов, О.Ю.Сабитов, А.М.Афанасьев. Туннелирование электронов в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе ZnS:Mn. Письма в ЖТФ.— 2005.— Т.31.— № 3.— с.79–85.

Н.Т.Гурин, Д.В.Рябов. Инфракрасное тушение электролюминесценции тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS:Mn. Журнал технической физики.— 2005.— Т.75.— № 1.— с.45–54.

Н.Т.Гурин, Д.В.Рябов. Инфракрасное тушение электролюминесценции тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе ZnS:Mn. Письма в ЖТФ.— 2004.— Т.30.— Вып.9.— с.88–95.

Н.Т.Гурин, А.В.Шляпин, О.Ю.Сабитов. Квантовый выход и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка. Журнал технической физики.— 2003.— Т.73.— № 4.— с.100–112.

Н.Т.Гурин, А.В.Шляпин, О.Ю.Сабитов, Д.В.Рябов. Влияние фотовозбуждения на электрические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS:Mn. Журнал технической физики.— 2003.— Т.73.— № 4.— с.90–99.

Н.Т.Гурин, А.В.Шляпин, О.Ю.Сабитов, Д.В.Рябов. Влияние фотовозбуждения на электрические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе ZnS:Mn. Письма в ЖТФ.— 2003.— Т.29.— № 4.— с.14–21.

Н.Т.Гурин, А.В.Шляпин, О.Ю.Сабитов. Изменение спектра электролюминесценции тонкопленочных излучателей на основе ZnS:Mn в зависимости от уровня возбуждения. Письма в ЖТФ.— 2002.— Т.28.— № 15.— с.24–32.

Н.Т.Гурин, А.В.Шляпин, О.Ю.Сабитов. Кинетика электролюминесценции тонкопленочных излучателей на основе сульфида цинка на ультранизких частотах. Журнал технической физики.— 2002.— Т.72.— № 2.— с.74–83.

Н.Т.Гурин, А.В.Шляпин, О.Ю.Сабитов. Формирование вольт-яркостной характеристики тонкопленочных излучателей на основе сульфида цинка. Письма в ЖТФ.— 2001.— Т.27.— № 22.— с.52–57.

Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов, А.В.Шляпин Влияние объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка. Журнал технической физики.— 2001.— Т.71.— № 8.— с.48–58.

Н.Т.Гурин, А.В.Шляпин, О.Ю.Сабитов. Отрицательное дифференциальное сопротивление в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе сульфида цинка. Журнал технической физики.— 2001.— Т.71.— № 3.— с.72–75.

Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов, А.В.Шляпин, А.В.Юденков. Кинетика мгновенной яркости свечения тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка. Письма в ЖТФ.— 2001.— Т.27.— № 4.— с.12–18.

Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Кинетика электролюминесценции в пленочных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем. Журнал технической физики.— 1999.— Т.69.— № 5.— с.65–73.

Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Влияние формы возбуждающего напряжения на яркость свечения тонкопленочных электролюминесцентных излучателей. Журнал технической физики.— 1999.— Т.69.— № 2.— с.64–69.

Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Исследование тонкопленочных электролюминесцентных излучателей при возбуждении линейно нарастающим напряжением. Журнал технической физики.— 1999.— Т.69.— № 2.— с.58–63.

Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Пленочные электролюминесцентные структуры на подложках с шероховатыми поверхностями. Журнал прикладной спектроскопии.— 1998.— Т.65.— № 5.— с.787–793.

Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Пленочные электролюминесцентные структуры на подложках с диффузно-рассеивающей поверхностью. Письма в ЖТФ.— 1997.— Т.23.— № 20.— с.1–7.

Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов, И.Ю.Бригаднов. Пленочные электролюминесцентные излучатели на шероховатых подложках. Письма в ЖТФ.— 1997.— Т.23.— № 15.— с.7–12.

Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Пленочные электролюминесцентные структуры на шероховатых подложках. Журнал прикладной спектроскопии.— 1997.— Т.64.— № 4.— с.507–512.

Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Гибридный пленочный электролюминесцентный излучатель переменного тока. Журнал технической физики.— 1996.— Т.66.— № 11.— С.201–202.

Н.Т.Гурин. Энергетический анализ тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов. Журнал технической физики.— 1996.— Т.66.— № 5.— с.77–85.

Н.Т.Гурин. Оценка энергетических параметров тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов. Лазерная техника и оптоэлектроника.— 1995. -№ 3–4.— с.64–67.

И.Ю.Бригаднов, Н.Т.Гурин, Е.Б.Рябинов. Исследование тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов с композиционным жидким диэлектриком. Журнал прикладной спектроскопии.— 1993.— Т.59.— № 1–2.— с.175–181.

Н.Т.Гурин. Анализ параметров тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов с разными диэлектрическими слоями. Лазерная техника и оптоэлектроника.— 1992.— № 3–4 (64-65).— с.61–64.

Н.Т.Гурин. Анализ методов адресации плоских индикаторов. Известия вузов. Приборостроение.— 1991.— № 10.— с.53–61.

И.Ю.Бригаднов, Н.Т.Гурин, М.К.Самохвалов, И.А.Шабалов. Электрофизические свойства тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов. Электронная техника. Сер.4.Электровакуумн. и газоразр. приборы.— 1990.— № 1(128).— с.86. Деп. ЦНИИ "Электроника № Р-5268.

Н.Т. Гурин. Взаимосвязь параметров диэлектрических слоев и порогового напряжения тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов. Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника.— 1990.— № 1(135).— с.88–90.

И.Ю.Бригаднов, Н.Т.Гурин. Тонкопленочные электролюминесцентные структуры с композиционным жидким диэлектриком. Письма в ЖТФ.— 1990.— Т.16.— № 23.— с.71–74.

Полупроводниковые и оптоэлектронные приборы

С.Г.Новиков, Н.Т.Гурин, И.В.Корнеев, М.А.Терентьев. Устройство позиционирования на базе полупроводникового позиционно-чувствительного фотодатчика с отрицательной проводимостью. Нано- и микросистемная техника.— 2007.— № 12.— с.58–60.

И.А.Каштанкин, Н.Т.Гурин. Фоточувствительные полупроводниковые N-приборы с симметричной вольт-амперной характеристикой. Нано- и микросистемная техника.— 2007.— № 9.— с.35–38.

А.В.Косихин, С.Б.Бакланов, С.Г.Новиков, Н.Т.Гурин. Влияние ионизирующих излучений на магниточувствительные свойства планарных симисторов. Журнал технической физики.— 2007.— Т.77.— № 1.— с.121–123.

И.А.Каштанкин, Н.Т.Гурин. N-транзисторные оптроны. Нано- и микросистемная техника.— 2006.— № 8.— с.37–39.

С.Г.Новиков, Н.Т.Гурин, И.В.Корнеев. Моделирование фотоприемника с отрицательной проводимостью на основе полупроводниковой структуры. Известия вузов. Электроника.— 2006.— № 4.— с.88–89.

И.А.Каштанкин, Н.Т.Гурин. Температурные характеристики биполярных N-приборов с управляемой вольт-амперной характеристикой. Нано- и микросистемная техника.— 2006.— № 6.— с.41–43.

Н.Т.Гурин, И.А.Каштанкин. Динамические характеристики фоточувствительных биполярных N-приборов с управляемой вольт-амперной характеристикой. Нано- и микросистемная техника.— 2005.— № 10.— с.35–39.

И.А.Каштанкин, Н.Т.Гурин. Фоточувствительные кремниевые биполярные N-приборы с управляемой вольт-амперной характеристикой. Нано- и микросистемная техника.— 2005.— № 6.— с.39–42.

И.А.Каштанкин, Н.Т.Гурин. Фоточувствительный кремниевый биполярный N-прибор с управляемой вольт-амперной характеристикой. Письма в ЖТФ.— 2005.— Т.31.— № 13.— с.46–49.

С.Г.Новиков, Н.Т.Гурин. Схемотехнические аналоги симметричных негатронов. Микросистемная техника.— 2004.— № 12.— с.27–30.

Н.Т.Гурин, И.А.Каштанкин, А.Ю.Новоселов. Моделирование и исследование маломощного биполярно-полевого N-транзистора с шунтированием эмиттерного перехода. Известия вузов. Электроника.— 2004.— № 5.— с.40–45.

С.Б.Бакланов, Н.Т.Гурин, Е.В.Лычагин, С.Г.Новиков, А.В.Картавенко, М.А.Костылов. Полярно-чувствительные N-образные входные вольт-амперные характеристики симисторной структуры. Известия вузов. Электроника.— 2003.— № 6.— с.17–21.

Т.А.Воробьева, Н.Т.Гурин. Моделирование полупроводниковых приборов на основе многослойных структур с комбинированным полевым управлением. Известия вузов. Электроника.— 2003.— № 4.— с.56–63.

С.Б.Бакланов, Н.Т.Гурин, Е.В.Лычагин, С.Г.Новиков, А.В.Картавенко, М.А.Костылов. Формирование полярно-чувствительных входных вольт-амперных характеристик симисторной структуры. Журнал технической физики.— 2003.— Т.73.— № 9.— с.141–142.

Т.А.Воробьева, Н.Т.Гурин. Комбинированное полевое управление процессом переноса носителей заряда в многослойных полупроводниковых структурах. Известия вузов. Электроника.— 2002.— № 5.— с.22–30.

С.И.Воронцов, С.Б.Бакланов, Н.Т.Гурин, С.Г.Новиков. Облучение рентгеновским излучением планарно-диффузионных симисторных структур как метод повышения магниточувствительности. Письма в ЖТФ.— 2002.— Т.28.— № 19.— с.37–42.

С.И.Воронцов, С.Б.Бакланов, Н.Т.Гурин, С.Г.Новиков Экспериментальное исследование магниточувствительных свойств радиационно-модифицированных планарных симисторов. Микросистемная техника.— 2001.— № 10.— с.3–6.

С.Г.Новиков, С.Б.Бакланов, Н.Т.Гурин, С.И.Воронцов. Повышение магниточувствительности планарных симисторов путем радиационной модификации структуры. Письма в ЖТФ.— 2001.— Т.27.— № 8.— с.53–57.

С.Г.Новиков, А.Ю.Новоселов, С.Б.Бакланов, Н.Т.Гурин. Схемотехническое моделирование и исследование мощных N-транзисторов. Известия вузов. Электроника.— 1999.— № 1–2.— с.86–90.

С.Г.Новиков, С.Б.Бакланов, Н.Т.Гурин. Исследование полупроводниковых самосканирующих устройств с шунтирующим методом управления. Известия вузов. Электроника.— 1998.— № 4.— с.31–36.

С.Б.Бакланов, Н.Т.Гурин, В.В.Кузнецов, С.Г.Новиков. Трехтранзисторные схемы замещения в моделировании МДП-симисторов и симисторных оптопар. Известия вузов. Электроника.— 1998.— № 1.— с.71–78.

С.Б.Бакланов, Н.Т.Гурин, С.Г.Новиков. Моделирование и исследование планарно-диффузионных симисторов малой мощности и оптопар на их основе. Известия вузов. Электроника.— 1997.— № 6.— с.49–59.

С.Г.Новиков, С.Б.Бакланов, Н.Т.Гурин, Г.В.Кудасов. Трехтранзисторная модель планарно-диффузионного симистора. Известия вузов. Электроника.— 1997.— № 3–4.— с.60–63.

С.Б.Бакланов, Н.Т.Гурин. Моделирование работы сдвигового регистра на основе интегральных линеек объемно-связанных тиристоров. Электронное моделирование.— 1993.— № 4.— с.63–68.

С.Б.Бакланов, В.В.Гайтан, Н.Т.Гурин, А.В.Никанова. Симисторные оптопары. Электронная промышленность.— 1992.— № 1.— с.51.

С.Б.Бакланов, Н.Т.Гурин. Моделирование механизма распространения возбуждения в светоизлучающих нейристорах на основе интегральных линеек тиристоров. Электронное моделирование.— 1991.— Т.13.— № 6.— с.59–64.

---