Ежевский Александр Александрович

Область научных интересов: Физика конденсированного состояния, физика полупроводников. Электронный парамагнитный резонанс дефектов в полупроводниках. Изотопические эффекты в ЭПР. Формирование наноструктур в кремнии при воздействии ионными пучками. Окончил физический факультет Горьковского государственного университета в 1974 г. по специальности физика полупроводников и диэлектриков. Тема докторской диссертации “Магнитный резонанс точечных дефектов и их комплексов в полупроводниках”. Прошел научную стажировку в 1986 г. в физической лаборатории Амстердамского университета (Нидерланды). Научно-исследовательская работа по контракту с FOM – центром фундаментальных исследований Нидерландов – 1991 г.: лаборатория Ван-дер-Ваальса и Зеемана Амстердамского университета.

Научные публикации

1. D.I. Tetelbaum, A.A. Ezhevskii, S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov, A.Yu. Azov, A.K. Mukhamatullin, S.E. Akis, D.M. Gaponova. The room temperature photoluminescence of Si nanocrystals in a-Si matrix composite system produced by the irradiation of silicon with ions of high and medium masses.Material Science and Engineering B 101(1-3), 279 (2003)

2. Д.И. Тетельбаум, А.А. Ежевский, А.Н. Михайлов. Экстремальное поведение концентрации парамагнитных центров, обусловленных оборванными связями в Si, при ионном облучении, как свидетельство наноструктурирования. ФТП 11 (2003)

3. М.Ю. Лебедев, А.А. Ежевский, Г.А. Максимов, А.Ф. Хохлов. Вестник Нижегородского Университета. Изд. ННГУ. Нижний Новгород. 2002

4. Г.Г. Девятых, А.В. Гусев, А.Ф. Хохлов, Г.А. Максимов, А.А. Ежевский, Д.В. Гусейнов, Е.М. Дианов. Изотопные эффекты в электронном парамагнитном резонансе кремния. Неорганические материалы. Т.32, № 4, с. 403-408, 2002

5. Девятых Г.Г., Гусев А.В., Хохлов А.Ф., Максимов Г.А., Ежевский А.А. Гусейнов Д.В., Дианов Е.М. “Электронный парамагнитный резонанс в моноизотопном высокочистом кремнии-28” // Доклады АН, 2001, том 376, №1, с. 62-65

6. А.А. Ежевский, А.Ф. Хохлов, Г.А. Максимов, Д.О. Филатов, Р.В. Кудрявцева, Е.А. Питиримова, М.Ю. Лебедев. Исследование кремниевых наноструктур, полученных ионной бомбардировкой, методами АСМ, ЭПР и дифракции электронов. Вестник Нижегородского Университета, Изд. ННГУ, Нижний Новгород. (2001)

7. S.J.C.H.M. van Gisbergen, A.A. Ezhevskii, N.T. Son, T.Gregorkiewicz, and C.A.J. Ammerlaan. Ligand ENDOR on substitutional manganese in GaAS. Phys Rev. B49, 10999 (1994).

8. S.J.C.H.M. van Gisbergen, A.A. Ezhevskii, M. Godlevsky, and C.A.J. Ammerlaan, Interstitial and substitutional manganese in GaAs and GaP Mater. Sci. Forum, vols. 83-87, 701 (1992).

9. А.А. Ежевский С.И.К.Х.М. ван Гизберген, К.А.И. Аммерлаан. Аномальное возбуждение в спектре ЭПР иона Fe3+ в GaAs. ФТП, 30, 1039, (1996).

10. A.A. Ezhevskii, S.J.C.H.M. van Gisbergen, C.A.J. Ammerlaan, Electrical Quadrupole Excitation in EPR for Fe3+:GaAs spin system. Proc. IC-SLCS-7, Amsterdam, 17-19 July (1996), p. 70, and in Shallow-Level Centers in Semiconductors, edited by C.A.J. Ammerlaan and B. Pajot, World Scientific Publishing Company Singapore(1997), p. 459-465.

11. А.А. Ежевский, К.А.И. Аммерлаан, ФТП. Электронный парамагнитный резонанс комплексов FeFeB в кремнии. 24, 1354 (1990).

12. A.A. Ezhevskii, N.T. Son, and C.A.J. Ammerlaan. Electron paramagnetic resonance of FeFeAl complexes in silicon. Solid State Communication, 81, 955 (1992).

13. А.А. Ежевский. Электронный спиновый резонанс комплексов FeFeB и FeFeAl различных типов симметрии в кремнии. Материалы I-ой национальной конференции «Дефекты в полупроводниках» С.Петербург, 166 (1992).

14. A.A. Ezhevskii, C.A.J. Ammerlaan. Reactions of interstitial iron with shallow acceptors in silicon. Proc. IC-SLCS-7, Amsterdam 17-19 July, (1996), p. 48, and in Shallow-Level Centers in Semiconductors, edited by C.A.J. Ammerlaan and B. Pajot, World Scientific Publishing Company (1997), p. 345-350.

15. А.А. Ежевский, Реакции железа с точечными дефектами в кремнии. Высокочистые вещества, вып. 2, 61, (1995).

---