Чалдышев Владимир Викторович

Образование: 1981 год — окончил Ленинградский Политехнический Институт, физико-механический факультет, кафедра физики металлов 1984 год — защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидат физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников в ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН; 1999 год — защитил диссертацию на соискание ученой степени доктор физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников. Основное место работы: Ведущий научный сотрудник ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН. Область научных интересов: нанофотоника, наноэлектроника, наномеханика, физика и материаловедение полупроводников. Текущая научная работа: Резонансные фотонные кристаллы на основе структур с квантовыми ямами; Самоорганизация нанокластеров полуметаллов в кристаллических слоях полупроводников III-V; Релаксация механических напряжений в наногетероструктурах; Электронные и фотонные приборы на основе наногетероструктур.

Научные публикации

V.V. Chaldyshev and S.V. Novikov, "Isovalent impurity doping of direct-gap III-V semiconductor layers", in: Semiconductor Technology: Processing and Novel Fabrication Techniques. Eds. M. Levinshtein and M. Shur. (Wiley-Interscience, New York, USA, 1997).

L.G. Lavrentieva, M.D. Vilisova, V.V. Preobrazhenskii, V.V. Chaldyshev, "Molecular-beam epitaxy of GaAs at low temperature: influence of excess arsenic on the structure and properties of the layers", in: Nanotechnology in Semiconductor Electronics. Ed. A.L. Aseev (Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia, 2004).

M.G. Milvidskii and V.V. Chaldyshev, "Nanoscale atomic clusters in semiconductors as a new approach to tailoring the materials properties" (Review), Semiconductors, v.32, No.5, pp.513-522 (1998).

L.G. Lavrentieva, M.D. Vilisova, V.V. Preobrazhenskii, V.V. Chaldyshev, "Low-temperature molecular-beam epitaxy of GaAs: Effect of excess arsenic on the structure and properties of the GaAs layers" (Review), Russian Phys.J., v.45, No.8, pp.735-752 (2002).

V.V. Chaldyshev, Two-dimensional organization of As clusters in GaAs, Materials Science & Engineering B, 2002, V. 88, N.2-3, P. 85-94.

---