Бейсенханов Нуржан Бейсенханович

Бейсенханов Нуржан Бейсенханович родился 07.09.1961 г в г. Шар (Чарск) Восточно-Казахстанской области. 21.06.1983 г. окончил физический факультет Казахского государственного университета. 21.10.1994 г защитил кандидатскую диссертацию в Институте проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (Московская обл., г.Черноголовка). 27.09.2011 г защитил докторскую диссертацию в ИПТМ РАН. 22.02.2017 приказом № 255 Комитета по контролю в сфере образования и науки МОН РК присвоено ученое звание профессора физики (Full professor). В настоящее время заместитель руководителя научно-образовательного центра альтернативной энергетики и нанотехнологий Казахстанско-Британского технического университета (г.Алматы, Казахстан). По приглашению общественных организаций Бейсенханов Н.Б. является членом The American Association for the Advancement of Science (AAAS, USA, No. 20315243), The American Chemical Society (ACS, USA, No.30096232), The International Union of Crystallography (IUCr, No. 29376), академик Российской Академии Естествознания (диплом No. 8073 от 19.05.2015 г.).

Индекс Хирша h8. Научные публикации – 169, включая 73 журнальных научных статей, 3 главы в 3 книгах дальнего зарубежья издательства InTech, 1 монографию в Германии, 19 статей с импакт-фактором Thomson Reuters (0,116-2,117) и, в целом, 27 публикаций в базе данных Web of Sciences Core Collection (Beisenkhanov N* OR Bejsenkhanov N*, количество внешних цитирований – 135, в 9 статьях из 27 «Corresponding author»), 22 журнальных статей – в Российской Федерации из списка ВАК РФ, 34 журнальных статей в изданиях РК из списка ККСОН РК на дату издания), 1 патент РК, 1 Международный патент Евросоюза, 1 Международный патент США и научные труды (2 автореф. диссертаций). Подготовлены 2 кандидата физ.-мат.наук и 2 PhD. Был соавтором либо непосредственно участвовал с докладом (Япония, Россия, Бельгия, Германия и др.) в 31 Международных и Региональных научных конференциях в дальнем и ближнем зарубежье.

Бейсенханов Н.Б. имеет опыт по экспертизе научных статей, проектов и отчетов в качестве эксперта Национального центра государственной научно-технической экспертизы Республики Казахстан, эксперта Elsevier (сертификат имеется), эксперта Всемирной конференции по материаловедению и инженерии (CMSE), иностранного эксперта диссертаций PhD Пакистанского Института инженерии и прикладных наук (Pakistan Institute of Engineering and Applied Sciences, Islamabad, 45650 Pakistan), эксперта 6 европейских научных журналов с импакт-фактором выше 1 – Journal of Applied Crystallography (Wiley-Blackwell, IF 2018 2.867), Journal of Magnetism and Magnetic Materials (IF2018-2,683), Applied Surface Science (Elsevier, Impact factor 2009 - 1.406), Journal of Materials Science (Springer US, IF 2007 - 1.081), Solid State Sciences (Elsevier, IF 2007 - 1.698), Materials Science and Engineering B (Elsevier, IF 2004 - 1.330), и бразильского научного журнала Tecnologia em Metalurgia, Materiais e Mineracao (декларация от 2016 г. имеется), рецензента диссертаций и авторефератов в РК, РФ и др.

С 1997 года под руководством Бейсенханова Н.Б. проводятся исследования по грантам и разделам исследовательских программ МОН РК. В настоящее время занят чтением лекций для магистрантов и докторантов АО КБТУ, разработкой технологий по синтезу и исследованию материалов для нано- и микроэлектроники, включая диффузионные барьеры на основе TiNх и других соединений между медной металлизацией и кремниевой подложкой, низкоомные нанослои TiSi2 для контактной системы, синтез многослойной контактной системы и просветляющих покрытий солнечных элементов, разработку методик определения толщин, химического состава и структуры слоев.

Награды: Юбилейная медаль «Қазақстан Республикасы Тәуелсіздігіне 25 жыл» 29.11.2016 г., награды общественных научных организаций и университетов за циклы публикаций в рейтинговых изданиях (включая награду «За академическую честность», 2018 г., gold medal “European Quality” (2014, No.237), орден Александра Великого (Сертификат AG 060, Москва 2015), medal “Wilhelm Leibniz” (2015, No.516), Благодарственное письмо АО «КБТУ» (2019, 2021 гг.). Женат, имеет троих детей.

Научные публикации

Основные публикации:

1. Бейсенханов Н.Б. Структурный анализ слоев кремния с концентрацией имплантированного углерода SiC0,7 // Известия МОН РК−НАН РК, серия физ.-мат. Алматы. − 2009. − №1. − С. 35−39.

2. Бейсенханов Н.Б. Кристаллизация слоев карбида кремния, полученных методом ионной имплантации // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – Москва. − 2010.− №10.− С.73-78.

3. Optical, structural and electrical properties of tin oxide films prepared by magnetron sputtering By: Karapatnitski, IA; Mit´, KA; Mukhamedshina, DM; Beisenkhanov, NB. Conference: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society Location: STRASBOURG, FRANCE Date: JUN 05-08, 2001 Sponsor(s): European Mat Res Soc SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY Volume: 151 Pages: 76-81 Article Number: PII S0257-8972(01)01611-5 Published: MAR 1 2002 Total Citations 21

4.Investigation of properties of thin oxide films SnOx annealed in various atmospheres By: Mukhamedshina, DM; Beisenkhanov, NB; Mit´, KA; et al. Conference: Symposium on Synthesis, Characterization and Applications of Mesostructured Thin Layers Location: Strasbourg, FRANCE Date: MAY 31-JUN 03, 2005

Sponsor(s): E-MRS THIN SOLID FILMS Volume: 495 Issue: 1-2 Pages: 316-320 Published: JAN 20 2006 Total Citations 19

5.Investigation of the Formation of Si and SiC Crystalline Phases in Room-temperature C+ Implanted Si By: Nussupov, KK; Sigle, VO; Bejsenkhanov, NB NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS Volume: 82 Issue: 1 Pages: 69-79 Published: JUL 1993 Total Citations 18

6.Study of structural, optical and electrical properties of ZnO and SnO2 thin films By: Mukashev, B. N.; Aimagambetov, A. B.; Mukhamedshina, D.M.; Beisenkhanov, NB, et al. Conference: Symposium on ZnO and Related Materials held at the 2006 EMRS Spring Meeting Location: Nice, FRANCE Date: MAY 29-JUN 02, 2006 Sponsor(s): European Mat Res Soc SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES Volume: 42 Issue: 1-6 Pages: 103-109 Published: JUL-DEC 2007 Total Citations 16

7.Influence of structure changes of oxide films on their physical properties Mukashev, BN; Tokmoldin, SZ; Beisenkhanov, NB; (...); Veremenithev, BM Symposium on Functional Oxides for Advanced Semiconductor Technologies Apr 25 2005. MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY 118 (1-3) , pp.164-169. 13

8.Investigation of structure and phase-transformations in silicon implanted with c-12(+) at room-temperature By: NUSSUPOV, KK; Bejsenkhanov, NB; TOKBAKOV, J NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS Volume: 103 Issue: 2 Pages: 161-174 Published: OCT 1995 Total Citations 12

9.Structure and composition of silicon carbide films synthesized by ion implantation By: Nussupov, K. Kh.; Beisenkhanov, N. B.; Zharikov, S. K.; et al. PHYSICS OF THE SOLID STATE Volume: 56 Issue: 11 Pages: 2307-2321 Published: NOV 2014 Total Citations 10

10.Electrical and optical properties of zinc oxide thin films grown by reactive magnetron sputtering method By: Abdullin, KA; Aimagambetov, AB; Beisenkhanov, NB; et al. Conference: Symposium on Functional Metal Oxides - Semiconductor Structures held at the E-MRS 2003 Meeting Location: Strasbourg, FRANCE Date: JUN 10-13, 2003 Sponsor(s): European Mat Res Soc MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY Volume: 109 Issue: 1-3 Pages: 241-244 Published: JUN 15 2004 Total Citations 9

11.Structural properties and parameters of epitaxial silicon carbide films, grown by atomic substitution on the high-resistance (111) oriented silicon By: Kukushkin, S.A.; Nussupov, K.Kh.; Osipov, A.V.; Beisenkhanov, N.B.; Bakranova, D.I. Superlattices and Microstructures Volume: 111 Pages: 899-911. Published: NOV 2017. Total Citations 8

12.Structure properties of carbon implanted silicon layers By: Nussupov, K. Kh.; Beisenkhanov, N. B.; Valitova, I. V.; et al. Conference: 12th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors Location: Berlin, GERMANY Date: SEP 09-13, 2007 Sponsor(s): Max Born Inst; Ferdinand Braun Inst JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS Volume: 19 Supplement: 1 Pages: S254-S262 Published: DEC 2008 Total Citations 8

13.Structural studies of thin silicon layers repeatedly implanted by carbon ions By: Nusupov, K. Kh.; Beisenkhanov, N. B.; Valitova, I. V.; et al. PHYSICS OF THE SOLID STATE Volume: 48 Issue: 7 Pages: 1255-1267 Published: JUL 2006 Total Citations 8

14.Influence of plasma treatments on the properties of SnO(x) thin films By: Mukhamedshina, D. M.; Beisenkhanov, N. B.; Mit´, K. A.; et al. HIGH TEMPERATURE MATERIAL PROCESSES Volume: 10 Issue: 4 Pages: 603-615 Published: 2006 Total Citations 7

15.Synthesis of SiC Thin Films on Si Substrates by Ion-Beam Sputtering By: Beisembetov, I. K.; Nusupov, K. Kh.; Beisenkhanov, N. B.; Zharikov, S. K.; Kenzhaliev, B. K.); Akhmetov, T. K.; Seitov, B. Zh. Journal of Surface Investigation Volume: 9 Issue: 2 Pages: 392-399 Published: MAR 2015 Total Citations 6 .

16.Influence of plasma treatments on the microstructure and electrophysical properties of SnO(x) thin films synthesized by magnetron sputtering and sol-gel technique By: Mukhamedshina, D. M.; Mit´, K. A.; Beisenkhanov, N. B.; et al. Conference: 12th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors Location: Berlin, GERMANY Date: SEP 09-13, 2007 Sponsor(s): Max Born Inst; Ferdinand Braun Inst JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS Volume: 19 Supplement: 1 Pages: S382-S387 Published: DEC 2008 Total Citations 7

17.The effect of NH4F and NH4OH on the structure and physical properties of thin SnO2 films synthesized by the sol-gel method By: Dmitrieva, E. A.; Mukhamedshina, D. M.; Beisenkhanov, N. B.; et al. GLASS PHYSICS AND CHEMISTRY Volume: 40 Issue: 1 Pages: 31-36 Published: JAN 2014 Total Citations 5

18.The Formation of Silicon Carbide in the SiCx Layers (x=0.03-1.4) Formed by Multiple Implantation of C Ions in Si. Nussupov, KK and Beisenkhanov, NB. 2011 | SILICON CARBIDE - MATERIALS, PROCESSING AND APPLICATIONS IN ELECTRONIC DEVICES , pp.69-114. 5

19.X-Ray Reflectometry and Simulation of the Parameters of SiC Epitaxial Films on Si(111), Grown by the Atomic Substitution Method By: Kukushkin, S. A.; Nussupov, K. Kh.; Osipov, A. V.; et al. PHYSICS OF THE SOLID STATE Volume: 59 Issue: 5 Pages: 1014-1026 Published: MAY 2017 Total Citations 4

20.The formation of TixNy and TaxNy-based diffusion barriers By: Nussupov, K. Kh; Beisenkhanov, N. B.; Beisembetov, I. K.; Kenzhaliev, B.K., Seitov, B.Z.; Dulatuly, E. ; Bakranova, D.I. 4th International Conference on Nanomaterials and Advanced Energy Storage Systems (INESS). 2017 | MATERIALS TODAY-PROCEEDINGS 4 (3) , pp.4534-4541. Total Citations 4

21.Influence of treatment in the (O-2,H-2) plasma on the structure and physical properties of SnO (x) films By: Beisenkhanov, N.B. PHYSICS OF THE SOLID STATE Volume: 53 Issue: 2 Pages: 390-397 Published: FEB 2011 Total Citations 4

22.Influence of hydrogen plasma treatment on the structure and optical properties of tin oxide thin film produced by magnetron sputtering By: Mukhamedshina, DM; Beisenkhanov, NB; Mit, KA; et al. HIGH TEMPERATURE MATERIAL PROCESSES Volume: 9 Issue: 2 Pages: 307-319 Published: 2005 Total Citations 3

23.Low-Temperature Synthesis of alpha-SiC Nanocrystals. K.Kh. Nussupov, N.B. Beisenkhanov, D.I. Bakranova, S. Keinbai, A.A. Turakhun, A.A. Sultan. Dec 2019 | PHYSICS OF THE SOLID STATE 61 (12) , pp.2473-2479. 1

24.Influence of Crystallization on the Properties of SnO2 Thin Films . Mukhamedshina, DM and Beisenkhanov, NB 2012 | ADVANCES IN CRYSTALLIZATION PROCESSES , pp.219-258. Total Citations 1.

25.AN INFLUENCE OF PLASMA TREATMENT ON STRUCTURE PROPERTIES OF THIN SiC FILMS ON Si By: Nussupov, K. Kh; Beisenkhanov, N. B.; Mit, K. A.; et al. HIGH TEMPERATURE MATERIAL PROCESSES Volume: 14 Issue: 1-2 Pages: 193-203 Published: 2010 Total Citations 1.

26.Structural and optical properties of thin metal-oxide films (ZnO and SnOx) deposited on glass and silicon substrates By: Tokmoldin, SZ; Mukashev, BN; Beisenkhanov, NB; et al. Edited by: Ashok, S; Chevallier, J; Sopori, BL; et al. Symposium on Semiconductor Defect Engineering-Materials, Synthetic Structures and Devices held at the 2005 MRS Spring Meeting . Book Series: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS Volume: 864 Pages: 39-44 Published: 2005 Total Citations 1 .

27.Synthesis of TiN, Ti, and TiSi2 Thin Films for the Contact System of Solar Cells Nussupov, KK, Beisenkhanov, NB, Bakranova, DI, Keinbay, S, Turakhun, AA, Sultan, AA. PHYSICS OF THE SOLID STATE, Volume 62, Issue 1, Page 48-53. Total Citations 0.

28.Epitaxial Silicon Carbide Films Grown by New Method of Replacement of Atoms on the Surface of High-resistivity (111) Oriented Silicon By: Bakranova, Dina I.; Kukushkin, Sergey A.; Nussupov, Kair Kh.; et al. Edited by: Yuan, Y; Menon, L; Xu, X Conference: 4th International Conference on Nano and Materials Science (ICNMS) Location: New York, NY Date: JAN 07-09, 2016 2016 4TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO AND MATERIALS SCIENCE (ICNMS 2016) Book Series: MATEC Web of Conferences Volume: 43 Article Number: 01003 Published: 2016 Total Citations 0

29.Crystallization of beta-SiC in Thin SiCx Layers (x=0.03-1.40) Synthesized by Multiple Implantation of Carbon Ions into Silicon By: Beisenkhanov, N. B. TECHNICAL PHYSICS Volume: 56 Issue: 2 Pages: 274-281 Published: FEB 2011 Total Citations 0.

30. Kair Kh. Nussupov and Nurzhan B. Beisenkhanov. Ion Synthesis of SiC and Its Instability at High Temperatures // In book: Physics and Technology of Silicon Carbide Devices. Dr. Yasuto Hijikata (Ed.). 2013. Chapter 3. InTech. PP.47-96. ISBN: 978-953-51-0917-4. DOI: 10.5772/51389. (Downloaded 1255)

31. Нуржан Бейсенханов. Структурные и физические свойства пленок SiCx и SnOx. Синтез и исследование различными методами // Palmarium Academic Publishing. ISBN: 978-3-8473-9067-1. Saarbrücken, Germany. 2012. 308 p.

32.К.Х.Нусупов, И.К.Бейсембетов, Б.К.Кенжалиев, Н.Б.Бейсенханов. Многоступенчатая щелевая ветроустановка. Патент №032569. 2016/0492.1. Республика Казахстан. 07.06.2016. Патентообладатель: Нусупов Каир Хамзаевич (KZ) и АО «Казахстанско-Британский технический университет» (KZ).

33.Beisembetov I, Beisenkhanov N, Kenzhaliev B, Nussupov K Multistage slotted wind turbine used in field of energetics for conversion of motion energy, has blade arranged inside Venturi throat and forms virtual slit that additionally increases speed of wall airflow 2019. Patent Number: EP3411590-A1 Patent Assignee: NUSSUPOV K; UNIV JSC KAZAKH BRITISH TECH; UNIV KAZAKH-BRITISH TECH STOCK CO

и др.

Бейсенханов Нуржан Бейсенханович имеет награды

---