Арапов Байыш Арапович
  1. Ученая степень
    доктор физико-математических наук
  2. Ученое звание
    профессор
  3. Член-корреспондент Российской Академии Естествознания
  4. Научное направление
    Физико-математические науки
  5. Страна
    Кыргызстан

Арапов Б.А., 1942 года рождения, кыргыз, доктор физико-математических наук, профессор. Арапов Б.А. в 1964 году с отличием окончил Ошский педагогический институт. В 1971 году защитил кандидатскую диссертацию.

Работал в Ошском педагогическом институте преподавателем, старшим преподавателем, доцентом, зав.кафедрой, деканом физико-математического факультета, директором института фундаментальных и прикладных исследований, проректором вечерно-заочного обучения ОшТУ, проректором по научной работе Ошского государственного университета.

С 2007 года по настоящее время работает зав.кафедрой экспериментальной и теоретической физики Ошского государственного университета.

Профессором Б. Араповым с учениками и сотрудниками лаборатории «Физика конденсированных материалов» определены механизмы образования, взаимопревращения и распада дефектов в твердых телах и установлен эффект увлечения дырок катионными вакансиями в ионных кристаллах, который играет большую роль в определении оптических, электрических и радиационных свойств твердых тел.

Результаты научных исследований опубликованы в пяти монографиях и более 200 научных статей в известных журналах, таких как «Известий АН СССР, сер. Физическая», «Физика твердого тела», «Оптика и спектроскопия», «Известия вузов Физика», «Письма в ЖТФ», «Поверхность», «Доклады АН РУз», «Известия НАН КР», «Наука и новая технология», "Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований" и т. д. Исследования были обсуждены и рассмотрены во многих Международных, республиканских и зональных научных конференциях, совещаниях и симпозиумов. Профессор Б. Арапов является автором семи авторских свидетельств и трех патентов. Является основателем научной школы: Физика конденсированных материалов .

Б. Араповым подготовлены четыре доктора наук и семь кандидатов наук, в настоящее время он руководит научной работой докторантов, аспирантов, магистрантов и студентов

При его непосредственном участии и руководстве проведены Региональные конференции по физике конденсированного состояния, с участием ученых СНГ на базе ОшГУ.

Арапов Б. ведет большую преподавательскую работу, читает лекции, проводит практические и лабораторные занятия по физике и теоретической физике на высоком научно-методическом уровне. Подготовил учебное пособие по квантовой физике.

Принимает активное участие в подготовке высококвалифицированных кадров, является членом специализированного диссертационного Совета при Ошском государственном университетом по защите диссертации на соискание ученой степени кандидатов наук. С 1994-2015 года являлся членом и зам. председателя специализированного докторского Совета по специальности «физика конденсированного состояния».

Является отличником образования, за многолетний труд награжден и имеет награды:

1.Почетной грамотой Кыргызской Республики (2000г),

2.Почетной грамотой Жогорку кенеша Кыргызской Республики (2003г)

3.Отличник образования КР,

4.Заслуженный деятель науки Кыргызской Республики (2006г),

5.Почетный гражданин Баткенского района (2011г),

6.Почетная грамота Министерство среднего и высшего образования СССР (1985-год),

7.Медаль “Ветеран труда” (1989-жыл),

8.Золотая медаль “Di Merito” и диплом Европалаты ЕС (2016).

9.Заслуженный деятель науки и образования РАЕ (2009г),

10. Диплом “Выдающиеся ученые России” (2009г)

11. Диплом “Золотая кафедра России”(2011г),

12. Участник Интернет-энциклопедии "Выдающиеся Ученые России" (2009г)

13. Медаль имени А. НОБЕЛЯ (2010г)

14. Серебряная Медаль имени В.И. Вернадского (2009г)

15.Почетное звание "Основатель научной школы Физика конденсированных материалов»(2012г).

Перечень докторских диссертаций утвержденных НАК КР, выполненных под руководством проф. Б.Арапова

1. Осмоналиев К.О.

«Люминесценция электрондых возбуждений и их распад с образованием дефектов в ионных кристаллах». Бишкек, 1999.

2. Тайиров М.М.

«Распад собственных и околопримесных электронных возбуждений в щелочно-галоидных кристаллах с экситонами малого радиуса». Бишкек, 2002.

3. Ташполотов Ы.

«Синергетика и фракталы микро и макроскопических конденсированных систем». Бишкек, 2004.

Перечень кандидатских диссертаций утвержденных НАК КР, выполненных под руководством проф. Б.Арапова

1. Осконбаев М.Ч.

«Роль вакансионных дефектов в распаде и преобразовании радиационных дефектов в кристаллах аС1-КСi». Бишкек, 1996.

2. АвиловА.

«Радиационное дефектообразование и квазихимические реакции в неметалических кристаллах». Бишкек, 2000.

3. Алтымышов А.

«Ионно-диффузионный механизм и кинетика термического распада радиационных центров окраски в ЩГК». Ош, 2004.

4. Омурбекова Г.

«Исследование и разработка технологии получения технического кремния из неорганических и органических сырьевых ресурсов». Ош, 2005.

5. Садырова М.М.

«Исследование групп преобразований и состав радиационно-наведенных электронных дефектов в ЩГК», Ош, 2009.

6. Ташкулов.К.Д.

«Фото- и термостимулированные ионные процессы распада радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах», Ош, 2011.

7. Каденова Б.А.

«Жегич-галоиддик кристаллдардагы радиациялык дефекттердин пайда болуу, бири-бирине айлануу жана ажыроо процесстерин моделдештирүү». Ош, 2014.

Научные публикации

Научные монографии и учебные пособие.

•Осмоналиев К., Арапов Б. Люминесценция электронных возбуждений и их распад с образованием дефектов в ионных кристаллах. Изд. «Илим», Бишкек, 1999г, 182с.

•Арапов Б., Авилов А., Оксенгендлер Б.Л. Радиационные дефектообразования и квазихимические реакции в неметаллических кристаллах. Изд. «Илим», Бишкек, 2003. 142с.

•Ташполотов Ы., Арапов Б.А. Самоорганизация фрактальных конденсированных систем. Изд. «Илим», Бишкек, 2004, 132с.

•Арапов Т.Б., Арапов Б.А. Механизм и кинетика свечения центров в ионных кристаллах Изд. «Илим», Бишкек, 2007, 158с.

•Арапов Б., Усаров А.С., Жанибеков М.Ж.,и др. Образование, распад и взаимопревращения примесно- радиационных центров в

ионных кристаллах. Изд. «Билим», Ош, 2007., 114с.

•Арапов Б., Арапов Т.Б. Кванттык механиканын негиздери. «Билим» ОшМУ , Ош 2006, 146с.

•Арапов Б., Осконбаев М.Ч ОшМУнун окумуштуулары, «Билим» ОшМУ ,

Ош-2006, 252с.

4. Патенты и авторские свидетельства.

•Арапов Б.А., Арапов Т., Осконбаев М., Садырова М.Криостат для низкотемпературной деформации твердых тел., Кыргызпатент, патент №558 28.02.2003 г.;

•Арапов Б.А., Арапов Т., Ташкулов К., Камалов К. Способ измерения квантового выхода излучения и устройство его реализации. Подана заявка в Кыргызпатент.10 июль 2002 г.;

•Малабаев А., Арапов Б. Комбинированный трубопровод . Кыргызпатент, Патент №914, 31.10.2006г.

• Арапов Б.А., Арапов Т., Осконбаев М., Садырова М. Криостат для низкотемпературной деформации твердых тел. Авторское свидетельство. Кыргызпатент №291, 8 мая 2001г.

•Арапов Б.А., Арапов Т., Осконбаев М., Садырова М. Способ определения квантового выхода свечения наведенных центров в твердых телах. Авторское свидетельство. Кыргызпатент №291, 8 мая 2001г.

•Арапов Б.А., Исмаилов Ш., Осконбаев М. Эффект увлечения дырок катионными вакансиями. Авторское свид. Кыргызпатент №437, 20 января 2003г

•Арапов Б.А., Жанибеков М.Ж. Эффект локальной конфигурационной неустойчивости примесных центров в спектрах ЭПР облученных кристаллов. Авторское свид. Кыргызпатент №884, 25 января 2007г

•Арапов Б.А., Арапов Т.Б., Орозбаева А.А., Состав и структура примесных наноструктурных дефектов в ионных кристаллах, Авторское свид. Кыргызпатент, №3618, 15.05.2019 г

5. Основные научные публикации: более 200.

•Арапов Б., Осконбаев М.Ч. Сидляренко В.И., Влияние пластической деформации на термическую устойчивость F- центров в NаС1, КСl и КВг. Изв. АН Кирг. ССР. Сер. Физ. Мат. и тех. наук №4 1990.

•Арапов Б., Исмаилов Ш.И. Осконбаев М.Ч., Энергия активации релаксационных процессов в кристаллах. Изв. АН Респ. Кырг. Сер. Физ. мат. и тех. наук. №2 1991.

•Арапов Б., Осконбаев М.Ч. Камалов С.М., Люминесценция и ионно-дырочные процессы в кристаллах. ФТТ., №11. 1991. С. 3158-3162.

• Арапов Б., Авилов А.Б., Оксенгендлер Б., Юнусов М.С. Об одном пути усиления эффекта Оже-деструкции в молекулярных системах. Известия вузов. Физика. № 1. Томск. 2000. С.98-100.

•Арапов Б., Авилов А.Б., Оксенгендлер Б., Юнусов М. О возможностях образования разделенных пар Френкеля приподпороговом облучении. Доклады АНУз №5. Ташкент, 1999.С.5-12.

•Арапов Б, Арапов Т., Осконбаев М. Анионные дефекты, распад и тушения свечения центров в ЩГК. Бишкек, Наука и новые технологии. №2, 2002. С. 57-61.

•Арапов Б., Арапов Т., Юнусов М. Особенности многостадийных процессов тушения свечения центров в ионных кристаллах. доклады АН РУЗ, №2. Ташкент, 2002, С. 17-18.

•Арапов Б., Садырова М., Каденова Б. Группа преобразований и состав электронных центров окраски и свечения в кристаллах в NаС1-Аg. Известия вузов. №1,2. Бишкек,2002, С.26-29.

•Арапов Б., Авилов А.Б., Оксенгендлер Б.Л., О роли динамического хаоса в рекомбинационно- стимулированных атомных процессах. Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. Вып 2.С.23-27.

•Авилов А.Б. Арапов Б., Оксенгендлер Б.Л, Гусева М.Б Трофические цепи дефектов в условиях радиационной тряски. Журнал «Поверхность» М.2005, № 11, С.303-306.

•Арапов Б, Арапов Т.Б., Садыкбекова А.О., Ионные процессы и трофические цепи дефектов в неметаллических кристаллах Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований, импакт – фактор РИНЦ (2016)-0,764, -Москва,№8, часть 1, С. 106,

•Арапов Б., Орозбаева А.А., Арапов Т.Б. Кинетика ионно-диффузионных процессов распада радиационных дефектов в ионных кристаллах Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований, импакт – фактор РИНЦ (2016)-0,764, -Москва, №8, часть 1, С.30-32.

•Арапов Б., Арапов Т.Б., Ташкулов К.Д., Многофотонные процессы создания и разрушения радиационных дефектов в ионных кристаллах Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований, импакт – фактор РИНЦ (2016)-0,764, -Москва: 2016, №8, часть 3, –С. 356-359

•Арапов Б., Арапов Т.Б., Орозбаева А.А. Моделирование кинетики распада радиационно-наведенных дефектов в ионных кристаллах Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований, , импакт – фактор РИНЦ (2020)-0,570. Москва, -2020. – № 2 – С. 115-119

Арапов Байыш Арапович имеет награды


Последняя редакция анкеты: 29 апреля 2020