RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 15692 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Наджафов Бахтияр Агагулу оглы


Наджафов Бахтияр Агагулу оглы

Учёная степень: Доктор физ-мат наук

Ученое звание: Ведущий научный сотрудник

Академик Российской Академии Естествознания

Научное направление: Физико-математические науки

Регион: Азербайджан

Индекс цитирования научной биографии: 1 (по количеству внешних ссылок)

Рейтинг: 66 (по количеству просмотров анкеты за последний месяц)

СЕРТИФИКАТ участника энциклопедии "Известные Ученые"

Наджафов Бахтияр Агагулу оглы родился 06.06.1960 года селе Агуди Сисианского района Арм. ССР. В 1968 году пошел в первый класс Агудинской средней школы. В 1977 году окончил данную школу с почетной грамотой. В 1977 году поступил на первый курс физического факультета Бакинского Государственного Университета. В 1982 году окончил данный Университет. С 1984 года по 1987 год являлся аспирантом Института Радиационных проблем Академии Наук Азербайджана. В 1987 году был принят на работу в должности инженера данного Института. В 1992 году защитил кандидатскую диссертацию по теме «Электрофизические и оптические свойства твердого раствора германий-кремний (Ge1-xSiix:H)». После защиты кандидатской продолжал свою научную работу по данной тематике.

В 2013 году защитил докторскую диссертацию по теме «Электронные и оптические процессы в гидрогенизированных тонких пленках на основе кремния–германия и перспективы их применения».

Основные научные направления, следующие:

1. а) Получение гидрогенезированных тонких пленок методом реактивного магнитного распыления;

б) Получение гидрогенезированных тонких пленок методом плазмохимического осаждения;

в) Получение гидрогенезированных тонких пленок методом высокочастотного тлеющего разряда.

2. Изучение структурных характеристик легированных а-Si1-xGex:H (x=0÷1), a-Si1-xCx:H (x=0÷1).

3. Изучение электрофизических и термоэлектрических свойств и ЭПР поглощения аморфных пленок а-Si1-xGex:H (x=0÷1), a-Si1-xCx:H, a-Si1-xGex:H (x=0÷1).

4. Изучение оптических свойств аморфных пленок а-Si1-xGex:H (x=0÷1), a-Si1-xCx:H, a-Si1-xGex:H (x=0÷1).

5. Исследование фотопроводимости и фотолюминесценции в гидрогенизированных тонких пленках а-Si1-xGex:H и a-Si1-xCx:H (x=0÷1).

6. Определение в пленках а-Si1-xGex:H и a-Si1-xCx:H (x=0÷1) количества водорода оптическим методом, используя для этого метод эффузии, ЯМР, метод ИК поглощения, а также вторичный масс спектрометрический анализ.

7. Создание солнечных элементов на основе а-Si1-xGex:H и a-Si1-xCx:H (x=0÷1), а также на основе нанокристаллического кремния-углерода.

8. Создание двухслойных детекторов на основе а-Si1-xGex:H и нанокристаллического кремния-углерода.

Основными специализированными направлениями являются: «Физика твердого тела», «Электронные приборы», «Энергетика».

Наджафовым Бахтияром Агагулу оглы получено 12 сертификатов журнала «Альтернативная энергетика и экология» и 1 сертификат Международной конференции 2014 г. «Австрия-Вена».

Основные научные результаты:

Выяснен механизм электронных, оптических процессов в гидрогенизированных аморфных, нанокристаллических пленках, а также на их основе получены солнечные элементы и детекторы с устойчивыми характеристиками. Впервые получены и изготовлены электронные приборы на основе нанопроволок, нанотрубок, наночастиц и т.д.

получены следующие награды:

1. «Заслуженный деятель науки и образования» (Присвоено Российской Академией Естествознания) – 2015, № 01599;

2. Орден «Трудом и знанием», удоств. № 15911, 2015 (РАЕ);

3. Орден «Первый среди равных», удоств. № 316, 2015 (РАЕ);

4. Диплом «Золотая кафедра России», удоств. № 01604, 2015 (РАЕ);

5. Медаль имени В.И. Вернадского за успехи в развитии отечественной науки, № 2035, 2015 (РАЕ).

В 2016 году избран Академиком Российской Академии Естествознания, г. Сочи.

В данное время работет ведущим научным сотрудником Института Радиационных проблем Академии наук Азербайджана.

Научные публикации:

Изданы 2 монографии, одна из которых издательства «Ламберт». За время научной деятельности было опубликовано более 120 статей в различных, приведенных ниже журналах:

1. «Phy. Stat. Solids»

2. «Физика и техника полупроводников»

3. «Прикладная физика»

4. «Нерганические материалы»

5. «Журнал прикладной спектроскопии»

6. «Альтернативная энергетика и экология»

7. «International Journal of Sustainable Energy»

8. «Восточно-Европейский журнал передовых технологий»

9. «International Journal of Hydrogen Energy»

10. «Украинский физический журнал»

11. Международный журнал «Фундаментальные исследования».

публикации:

1. Najafov B.A, Bakirov M.Y, Mamedov V.S. and Andreev A.A. Optical properties of amorphous hydrogenated amorphous a-Si0,90Ge0,10:Hx. // Phys. Stat. Solids, 1991, K 119-127.

2. Наджафов Б.А. Электрические свойства аморфных пленок твердого раствора Ge0,90Siо,10:Hх. // Физ. и Техн. Полупроводников, т. 34, в.11, 2000, c. 1383-1385.

3. Najafov B.A. Absorption, photoconductivity and current-voltage characteristics of amorphous Ge0,90Siо,10:H solid solutions. // Укр. Физ. журн., 2000, т. 45, №10, c. 1221-1224.

4. Наджафов Б.А., Исаков Г.И., Фигаров В.Р. Оптические свойства гидрогенизированных аморфных пленок твердого раствора a-Ge0,85Siо,15:H. // Прикладная физика, 2004, № 4, с. 107-114.

5. Наджафов Б.А. Nanocristalline silicon process deposited by reactive magnetron spruttering for creation of solar cells. // European Conference on Innovations in Technical Natural Science30.07.2014. Vienna, Austria. р.137-151.

6. Наджафов Б.А. Солнечные преобразователи на основе а-Si0,80Ge0,20:Hх. // Прикладная физика, 2005, с.97-102.

7. Najafov B.A. Solar cells based on a-Si0,80Ge0,20:H amorphous films. // Укр. Физ. журн., 2005, т. 50, № 5, р. 477-482.

8. Najafov B.A. and Isakov G.I. Electrical properties of amorphous Siо,60Ge0,40:Hx films. // Inorganic Materials, 2005, №7, vol. 41, p. 787-791.

9. Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Оптические свойства аморфных пленок твердого раствора а-Si1-xGex:H c различной концентрацией водорода. // Журнал прикладной спектроскопии, 2005, т.72, № 3, c. 371-376.

10. Najafov B.A. Photovoltaic effects in a–Si0,80Ge0,10:Hx films. // Letters in International Journal for Alternativ Energy and Ecology, 2005, № 1, p. 36-38.

11. Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Получение пленок а-Si1-хGeх:H, изменение ее параметров от состава. // ISIAEE Solar Energy, 2006, № 4, (36), p. 51-55.

12. Фиговский О.А., Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Рост нанокристаллических структур аморфно гидрированных пленок кремния (а-Si:H). // Вестник Дома Ученых Хайфы, Специальный выпуск, Хайфа, 2008, с.14-23.

13. Najafov B.A. and Isakov G.I. Properties of аmorphous Sii-xGex:H (x=0-1) films. // Inorganic Materials, 2009, vol. 45, № 7. p. 713-718.

14. Najafov В.А., Fiqarov V.R. Hydrogen content evaluation in hydrogenated nanocrystalline silicon and its amorphous alloys with germanium and carbon. // International Journal of Hydrogen Energy, 35, 2010, р. 4361-4367.

15. Najafov B.A. and Isakov G.I. Optical and Electrical Properties of аmorphous Si1-xCx:H films. // Inorganic Materials, 2010, №,6, vol. 46, p. 624-630.

 

Публикации в изданиях Российской Академии Естествознания: 7 / перечень публикаций

Последняя редакция анкеты: 23 декабря 2016, 17:50

Получить код для установки баннера на сайте, в блоге

Предлагаем вашему вниманию журналы, издающиеся в издательстве «Академия Естествознания”
(Высокий импакт-фактор РИНЦ, тематика журналов охватывает все научные направления)

«Современные проблемы науки и образования» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.953

«Фундаментальные исследования» список ВАК, ИФ РИНЦ = 1.094

«Современные наукоемкие технологии» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.725

«Успехи современного естествознания» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.869

«Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований», ИФ РИНЦ = 0.800

«Международный журнал экспериментального образования», ИФ РИНЦ = 0.469

«European journal of natural history», ИФ РИНЦ = 0.864

«Международный студенческий научный вестник», ИФ РИНЦ = 0.445

«Рациональное питание, пищевые добавки и биостимуляторы»

Издание научной и учебно-методической литературы, ISBN, РИНЦ, DOI