RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 17342 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Левонович Борис Наумович

Научная тема: « ФИЗИКО–ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ И ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ ГРУППЫ А2В6 С УПРАВЛЯЕМЫМИ СВОЙСТВАМИ »

Научная биография   « Левонович Борис Наумович »

Членство в Российской Академии Естествознания

Специальность: 05.17.01; 01.04.10

Год: 2010

Отрасль науки: Технические науки

Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:

  1. Разработанные технологии получения в монокристаллах CdSe и ZnSe, легирован­ных с помощью ионного внедрения, приповерхностных слоев с проводимостью как n-, так и p-типа, изменяемой в широких пределах, и формирование на их основе светоизлучающих и фоточувствительных структур различных типов.
  2. Физико-химические закономерности диффузии примесей и собственных дефектов в ионно-легированных слоях монокристаллов CdSe и ZnSe, определяющие их свойства в результате имплантации примесей и от­жигов в различных условиях.
  3. Технологии получения высокоомных фоточувствительных микрокристаллических пленок CdSe и CdS, легирован­ных с помощью ионного внедрения, для приборов оптоэлектроники.
  4. Физико-химические закономерности процес­сов переноса вещества в микрокристаллических пленках А2В6, легированных примесями с помощью ионного внедрения и отожженных в различных условиях, связанные с перестройкой их структуры. в том числе рекристаллизацией, оп­ределяющей основные электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок.
  5. Процессы и механизмы переноса носителей заряда в исходных и рекристаллизованных пленках соединений группы А2В6, обусловленные составом и микроструктурой кристаллитов, а также пространственным расположением рассеивающих центров.
  6. Особенности статистического взаимодействия электронной подсистемы кри­сталлов широкозонных полупроводников А2В6 с энергетическими уровнями локализованных состояний, обусловленных имплантированными примесями, собственными дефектами и их комплексами, образованными в результате имплантации примеси и последующих отжигов.

Список опубликованных работ

1. Киреев.П.С, Корницкий А.Г.,Левонович Б.Н. Электропоглощение и люминесценция монокристаллов селенида кадмия// Сб. «Модуляционная спетроскопия» 1975, Тбилиси, стр. 144-148

2. Горелик С.С, Гордеева Г.В., Сагалова Т.Б.. Левонович Б.Н., Корницкий А.Г.,Киреев П.С.Исследование структурных изменений и электрофизических свойств пленок поликристаллических пленок селенида кадмия при отжиге// Тезисы докладов 1 Всес. конференции «Получение и свойства полупроводниковых соединений АПВVI и АПВVI и твердых растворов на их основе», 1977, г. Москва, т.2 стр.157

3.Бабарина Л.Р. Корницкий Л.Г. Киреев П.С., Левонович Б.Н., Нугридинов Б.

Электропоглощение и люминесценция на мелких локальных центрах в монокристаллах селенида кадмия// Тезисы докладов 1 Всес. конференции «Получение и свойства полупроводниковых соединений АПВVI и АIVВVI и твердых растворов на их основе», 1977 г. Москва, т.2 стр.216.

4.Киреев П.С. Корницкий А.Г., Котляр А.А., Левонович Б.Н., Локализованные состояния в монокристаллах, селенида кадмия, легированных ионным внедрением//Тезисы.докладов. Ш Всесоюзного совещания. «Дефекты структуры в полупроводниках» 1978, Новосибирск, стр. 141

5. Киреев П.С., Корницкий А.Г., Иофис Б.Г., Гордиенко Е.В. Левонович Б.Н. Люминесценция монокристаллов CdSe , легированный ионами фосфора и азота//Известия АН СССР сер. Неорганические материалы 1978, № 5, стр. 952 -954

6. Киреев П.С.,Корницкий А.Г.,Иофис Б.Г.,Гордиенко Е.В. Левонович Б.Н. Фотолюминесценция и электроотображение имплантированных ионами фосфора монокристаллов селенида кадмия// Известия вузов, сер. Физика, 1978, № 3, стр. 49-54

7. Горелик С.С., Гордеева Г.В., Корницкий А.Г., Левонович Б.Н. Влияние отжига на структуру и свойства поликристаллических пленок селенида кадмия. Электронная техника сер. Материалы 1978, № 3, стр. 70-73.

8. Киреев П.С. Корницкий А.Г. Левонович Б.Н. Фоточувствительность и люминесценция монокристаллов селенида кадмия, легированных ионами фосфора.Изв. АН Узб. ССР, серия физ-мат.наук № 4, 1979, стр.61-63.

9. Корницкий А.Г., Куликаускас В.С., Левонович Б.Н., Пендюр С.И., Фрейдин С.Г. Радиационное дефектообразование в монокристаллах селенида кадмия, легированных, ионами фосфора и серебра// Сборник докладов Х Всесоюзн. Совещания по взаимодействию заряженных частиц с твердым телом, 1979,Москва, МГУ, стр. 43-44

10. Киреев П.С., Корницкий А.Г., Левонович Б.Н. Электроотражение монокристаллов селенида кадмия, легированных ионами фосфора//Известия вузов, сер. Физика 1979 г. № 4 с.109-111

11. Киреев П.С., Корницкий А.Г. Левонович Б.Н. Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства, неоднородных структур, изданных имплантацией ионов серебра в монокристаллы селенида кадмия.// Известия вузов, сер. Физика 1979 г, № 12, стр. 83-84.

12. Киреев П.С., Корницкий А.Г., Спицын А.В., Левонович Б.Н. Фотолюминесценция и фоточувствительность монокристаллов CdSe, легированных ионами серебра// Известия АН ССР, сер. Неорганические материалы, 1980, № 1, стр. 161-163.

13. Георгобиани А.Н. Дементьев Б.П., Коваль Б.А., Котляровский М.Б, Левонович Б.Н. Проскуровский Д.И.,Якубович Н.М.// Применение наносекундных сильноточных электронных пучков для отжига радиационных дефектов в ионно-имплантированном селениде цинка Тезисы докладов Ш Всесоюзной конференции «Применение электронно-ионной технологии в народном хозяйстве» 1981, Тбилиси, т.1, стр. 28.

14. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б., Ластовка В.В, Левонович Б.Н. Высокая подвижность в селениде цинка, ионно-легированном большими дозами индия// Краткие сообщения по физике, 1983, № 7, стр. 23-27.

15. Бочков Ю.В., Илюхина З.П., Левонович Б.Н. Сердюк Н.В. О получении слоев ZnSe, с дырочной проводимостью// Сборник «Тройные полупроводники и их применение»// Материалы IV Всесоюзной конференции, 1983, Кишенев, стр. 238-240.

16. Бабарина Н.Р. Корницкий А.Г. Малючков О.Т. Сафонов Ю.С. Левонович Б.Н. Фотоэлектрические свойства легированных поликристаллических слоев селенида кадмия// Физика и техника полупроводников 1983, т.17, выпуск 7, стр. 1306-1308.

17. Бочков Ю.В., Левит А.Д., Левонович Б.Н. Паносюк Е.И, Н.В.Сердюк О возможности выращивания кристаллов ZnSe с дырочной проводимостью// Краткие сообщения по физике 1983, № 7, стр. 42-45

18. Бочков Ю.В., Георгобиани А.Н, Илюхина З.П., Левонович Б.Н. Н.В. Сердюк О получении слоев ZnSe c дырочной проводимостью//Краткие сообщения по физике 1983, № 8, стр. 22-26.

19. Георгобиани А.Н. Сердюк Н.В. Котляровский М.Б. Ластовка В.В, Б.Н. Левонович Излучательные р – i – n структуры на основе ZnSe, полученные ионной имплантацией// Сборник докладов международной конференции «Ионная имплантация в полупроводниковые и другие материалы» 1983, Вильнюс, стр. 35,

20. Зада-Улы Е.Н, Левонович Б.Н., Муллабаев И.Д., Сердюк Н.В. Влияние изохронных отжигов на фотолюминесценцию монокристаллов селенида цинка, имплантированных Ar+// Краткие сообщения по физике, 1984, № 2, стр. 55-59.

21. Георгобиани А.Н., Илюхина З.П., Левонович Б.Н., Сердюк Н.В. Электролюминесцентные характеристики светодиодов на основе ZnSe// Физика и техника полупроводников, 1984, т.18, № 3 стр. 408-411,

22. Бабарина Л.Р., Корницкий А.Г., Молючков О.Т., Левонович Б.Н., Перенос носителей заряда в легированных поликристаллических слоях селенида кадмия//Известия АН СССР сер. . Неорганические материалы 1984, т.20, № 8, стр. 1284-1286.

23 Б.П.Дементьев, М.Б.Котляревский, Левонович Б.Н., Н.И.Якубович Механизмы дефектообразования в селениде цинка при импульсном облучении мощными электронными пучками подпороговых энергий// Краткие сообщения по физике, 1990, № 6, стр. 24-26.

24. Бочков Ю.В. Георгобиани А.Н., Илюхина З.П., Левонович Б.Н., Сердюк Н.В.Слои селенида цинка с дырочной проводимостью// Сборник докладов III Всесоюзной конференции “Материаловедение халькогенидных полупроводников”, 1991, Черновцы, т.1. стр. 18

25. Котляровский М.Б., Ластовка В.В., Левонович Б.Н., Дементьев Б.П., Якубович Н.И.Голубая инжекционная электролюминесценция в в р – i – n структурах на основе ZnSe, ионноимплантированных Ar+ // Сборник докладов III Всесоюзной конференции “Материаловедение халькогенидных полупроводников”, 1991, Черновцы, т. 3, стр. 39

26..Тодуа П.А, Левонович Б.Н., .Шестакова Е.Ф,.Эльтазаров Б.Т. Электролюминесцентные туннельные структуры на основе селенида цинка и ленгмюровской пленки// Поверхность, 1992, № 2, стр.34-39

27. Георгобиани А.Н, Дементьев Б.А., Котляровский М.Б., Левонович Б.Н. Янкелевич Е.Б., Якубович Н.И. Примесная дырочная проводимость в ионнолегированных ZnSe, отожженных импульсными электронными пучками// Сборник «Легирование полупроводниковых материалов» под ред. проф. Зеленова В.С., Москва, Наука, 1995, стр. 193-198

28. Котляревский М.Б., Левонович Б.Н, Якубович Н.И., Лудзиш О.С. Твердофазный электронный отжиг ионноимлантированных монокристаллов селенида цинка// Известия. АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1991, 27, 11, стр. 2265-2270.

29. Б.Н. Левонович, Н.И. Шматов, А.А. Шленский, Н. А. Смирнова, Н.В. Пашкова

Исследование природы электрофизической и оптической неоднородности в кристаллах

Cd1-xZnxTe(x0,04), выращенных методом вертикальной направленной кристаллизации// Известия вузов, сер. Материалы электронной техники 2008, №1, с.32-36

30. Георгобиани А.Н, Левонович Б. Н. Свойства монокристаллов CdSe, активированных селеном с помощью ионной имплантации// Известия АН РФ, Сер. Неорганические материалы 2009, № 6, т. 45, с.1-5,

31. Хомяков А.В., Зиновьев А.Ю, Аветисов И. Х., Левонович Б. Н., Сагалова Т.Б. Поликристаллические слои сульфида кадмия для приборов отображения инфомации// Известия вузов, сер. Материалы электронной техники, 2009, № 3, 57-62

32. I.Ch. Avetissov, A.P.Sadovskii, E.A.Sukhanova, E.V.Zharikov, A.I.Belogorokhovb, B.N.Levonovich Czochralski crystal growth assisted by axial vibrational control technique //

J. Crystal Growth (2009), doi:10.1016/j.jcrysgro.2009.10.014

33. Levonovich B.N Change in Electrical Properties and Structure during Recrystallization of Polycrystalline Cadmium Selenide Films. Crystallography Reports// 2009, vol.54, № 7 pp. 114-118

34. Агапова М.С., Белов А.Г., Каневский В.Е., Левонович Б. Н., Скачкова А.Д., Цветкова В.А.Шленский А. А. К вопросу о природе полосы «1,4 эВ» в спектрах фотолюминесценции образцов Cd1-yZnyTe, легированных хлором// Известия вузов, сер. Материалы электронной техники 2009, № 4, с. 9-13

35. Георгобиани А.Н , Левонович Б.Н., Сагалова Т.Б., Аветисов И.Х.

Влияние атмосферы отжигов на структуру и свойства пленок селенида кадмия, имплантированных серебром// Известия вузов, сер. Материалы электронной техники 2009, № 4, с.14-18

36. Левонович Б. Н. Влияние атмосферы отжига на характер рекристаллизации поликристаллических пленок селенида кадмия// Доклады Академии Наук РФ, 2010, т. 431, №1 с.1-3.

37. Корницкий А.Г. Котляр А.А. Левонович Б.Н., Гордиенко Е.В., Новиков В.М. Способ создания высокоомных фоточувствительных слоев полупроводниковых соединений// Авторское свидетельство № 678749, приоритет от 15.03.1978 г.

38. Котляр А.А., Корницкий А.Г., Левонович Б.Н., Бабарина Л.Р., Шапкин П.В.//Способ получения р - п переходов на основе полупроводниковых соединений АПВV1.

Авторское свидетельство № 771956 , приоритет от 14.02.1979 г.

39. Горелик С.С., Дравин В.А., Корницкий А.Г., Левонович Б.Н., Новиков В.М., Сагалова Т.Б., Спицын А.В.//Способ создания высокоомных фоточувствительных поликристаллических слоев полупроводниковых соединений типа АПВV1. Авторское свидетельство .№ 965256, приоритет от 15.02.1980 г.

40. Иофис Б.Г., Левонович Б.Н., Новиков В.М., Хвостикова Н.Т. Способ изготовления мишени видикона// Авторское свидетельство .№ 1029781, приоритет от 15.03.1983 г.

41. Аверичкин П.А., Левонович Б. Н., Пархоменко Ю.Н.Шленский А. А. Шматов Н.Н. Способ изготовления кварцевых контейнеров //Патент на изобретение № 2 370 568 от 20.10.2009 г., Бюл. № 29

42. Аверичкин П. А., Кальнов В. А., Кожухова Е. А., Левонович Б. Н., Маншев Ю. П. Пархоменко Ю.Н. Шевчук С. Л. Шленский А.А. Способ получения углеродосодержащих покрытий.// //Патент на изобретение № 2374358 от 27.11.2009, Бюл. № 33

Цитированная литература.

1. Михаленко В.Н., Дементьев Б.П., Котляревский М.Б., Георгобиани А.Н. Низкотемпературное равновесное ограничение компенсации собственно-дефектной дырочной проводимости в сульфиде цинка// Изв. вузов. Физика. 1978. №8. стр. 150–152.

2. Feldman L.G., Hodgers J.W. Depth. Profiles of Lattice Di¬sorder Resulting From Ion Bombardment of Silicon Single Crystals.// J. Appl. Phys., v.4I, № 9, p.3776-3782, 1970.

3. Шкловский Б.И. Эфрос Ф.Л.// Электронные свойства легированных полупроводников. М. Наука,1979 г. с.416

4. Эпштейн Э.М. О механизме возникновения поли¬кристаллической структуры в полупроводниках// Физ. и техн.полупроводников, 1982, т.16, № 5, стр.861-863.

5.Orton J.W. Goldsmith B.J., Chapman J.A. Powell M.J.//The mechanism of photoconductivity in polycrystalline cadmium sulphide layers.- J. Appl. Phys., 1982 v.53, №3, p. 1602-1614.

6. Ермолович И.Б., Матвиевская Г.И., Пекарь Г.С., Шейнкман М.К. Люминесценция монокристаллов CdS, легированных различными донорами и акцепторами.// УФЖ, т.18, №5, стр.732-741, 1974.