- Метод молекулярно-пучковой эпитаксии, с использованием высокочастотного газоразрядного источника атомарного азота, позволяет воспроизводимо получать слои и гетероструктуры нового класса полупроводниковых твердых растворов GaAsN и InGaAsN с заданными физическими свойствами, высокого структурного совершенства и управлять их химическим составом. Высокотемпературный отжиг, проводимый после эпитаксиального процесса, улучшает гомогенность эпитаксиальных слоев, существенно повышает эффективность излучательной рекомбинации в слоях и гетероструктурах нового класса полупроводниковых твердых растворов GaAsN и InGaAsN и приводит к коротковолновому сдвигу спектров фотолюминесценции.
- Увеличение мольной доли азота, х, в слоях GaAs1-XNX приводит к быстрому уменьшению ширины запрещенной зоны твердого раствора одновременно с уменьшением постоянной кристаллической решетки. Для гомогенных псевдоморфных слоев твердого раствора GaAs1-XNX на поверхности арсенида галлия с ориентацией (100) при комнатой температуре в спектрах фотолюминесценции характерно существование двух линий обусловленных рекомбинацией электронов с легкой и тяжелой дырками. На гетерогранице GaAs/GaAsN образуется гетеропереход первого рода, а на гетерогранице InGaAs/GaAsN тип гетероперехода (I или II) определяется элементным составом твердых растворов.
- Величина ширины запрещенной зоны твердых растворов InYGa1- YAs1-XNX, при значениях x и y более чем 0.018 и 0.30, соответственно, менее 0,95 эВ при комнатной температуре. Использование твердых растворов In YGa 1- YAs 1-XNX , указанных составов, в качестве материала слоя квантовой ямы, с барьерными слоями GaAs, позволяет создавать квантоворазмерные гетероструктуры на поверхности арсенида галлия излучающие в спектральном диапазоне 1270-1500 нм при комнатной температуре. Квантоворазмерные гетероструктуры, излучающие в спектральном диапазоне вблизи длины волны 1300 нм, демонстрируют высокую эффективность излучательной рекомбинации при комнатной температуре.
- Использование покрывающих азотсодержащих слоев InYGa1- YAs1-XNX вместо слоев InYGa1-YAs в гетероструктурах с самоорганизующимися квантовыми точками, формирующимися из InAs, приводит к увеличению геометрических размеров квантовых точек, уменьшению энергии переходов между уровнями размерного квантования и длинноволновому сдвигу люминесценции в диапазон длин волн 1500 нм. Использование наногетероструктур специальной конструкции, состоящих из короткопериодных сверхрешеток InYGa1-YAs1-XNX/GaAs1-XNX, в центр которых помещается сверхтонкий слой InAs (монослой), позволяет расширить спектральный диапазон излучения для полупроводниковых гетероструктур, создаваемых на поверхности арсенида галлия, вплоть до длины волны 1800 нм, при комнатной температуре.
- Использование квантоворазмерных гетероструктур GaAs/InGaAsN/GaAs в качестве активной усилительной среды позволяет реализовать эффективные низкопороговые лазеры на подложках арсенида галлия. Генерация в ближнем инфракрасном диапазоне, вблизи длины волны 1300 нм, наблюдается в непрерывном режиме, как при комнатной, так и при повышенных температурах, при выводе излучения боковой грани. Использование квантоворазмерных гетероструктур GaAsN/InGaAsN/GaAsN в качестве активной среды лазерных диодов приводит к существенному снижению пороговых токов лазерной генерации, по сравнения с гетероструктурами GaAs/InGaAsN/GaAs.
- Результаты исследования гетероструктур с вертикальными микрорезонаторами, с распределенными брэгговскими отражателями AlGaAs/GaAs и активной областью на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAsN, позволившие впервые реализовать эффективные вертикально-излучающие лазеры на подложках арсенида галлия, работающие в непрерывном режиме генерации, как при комнатной, так и при повышенных температурах, в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне, вблизи длины волны 1300 нм.
1.А.Ю.Егоров, А.Е.Жуков, А.Р.Ковш, В.М.Устинов, В.В.Мамутин, С.В.Иванов, В.Н.Жмерик, А.Ф.Цацульников, Д.А.Бедарев, П.С.Копьев, Гетероструктуры GaAsN/GaAs и InGaAsN/GaAs, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии, ПЖТФ, 24 (23), 81 (1998)
2.A.Yu.Egorov, D.Bernklau, D.Livshits, V.Ustinov, Zh.I.Alferov and H.Riechert, High power CW operation of InGaAsN lasers at 1.3um, Electron. Lett., 35(19) 1643-1644(1999)
3.B.Borchert, A.Y.Egorov, S.Illek, M.Komainda, H.Riechert, 1.29 μ m GaInNAs multiple quantum-well ridge-waveguide laser diodes with improved performance, Electronics Letters , 35(25), 2204 -2206(1999)
4.D.A.Livshits, A.Yu.Egorov, H.Riechert, 8W continuous wave operation of InGaAsN lasers at 1.3 μm, Electronics Letters , 36(16), 1381 -1382(2000)
5.B.Borchert, A.Yu.Egorov, S.Illek, H.Riechert, A.Ultsch, Low threshold lasing operation of narrow stripe oxide-confined GaInNAs/GaAs multiquantum well lasers at 1.28 μ m, Electronics Letters, 36(8), 725 -726(2000)
6.B.Borchert, A.Yu.Egorov, S.Illek, H.Riechert, Static and dynamic characteristics of 1.29-μm GaInNAs ridge-waveguide laser diodes, IEEE Photonics Technology Letters, 12(6), 597 -599(2000)
7.M.Hetterich, M.D.Dawson, A.Yu.Egorov, D.Bernklau, and H.Riechert, Electronic states and band alignment in GalnNAs/GaAs quantum-well structures with low nitrogen content, Applied Physics Letters, 76(8), 1030-1032(2000)
8.H.Ch.Alt, A.Yu.Egorov, and H.Riechert, B.Wiedemann, J.D.Meyer, RW.Michelmann, and K.Bethge, Infrared absorption study of nitrogen in N-implanted GaAs and epitaxially grown GaAsN layers, Applied Physics Letters, 77(21), 3331-3333(2000)
9.S.Illek, A.Ultsch, A.Yu.Egorov, H.Riechert, B.Borchert, Low threshold lasing operation of narrow stripe oxide-confined GaInNAs/GaAs multiquantum well lasers at 1.28 um, Electron. Lett., 36(8), 725-726 (2000)
10.H.Riechert, A.Yu.Egorov, D.Livshits, B.Borchert, S.Illek, InGaAsN/GaAs heterostructures for long-wavelength light-emitting devices, Nanotechnology, 11(4), 201-205(2000)
11.Н.А.Малеев, А.Ю.Егоров, А.Е.Жуков, А.Р.Ковш,А.П.Васильев, В.М.Устинов, Н.Н.Леденцов, Ж.И.Алферов, Сравнительный анализ длинноволновых (1.3 мкм) вертикально-излучающих лазеров на подложках арсенида галлия, ФТП, 35(7), 881-888(2001)
12.H.Ch.Alt, A.Yu.Egorov, H.Riechert, B.Wiedemann, J.D.Meyer,R.W. Michelmann, K.Bethge, Local vibrational mode absorption of nitrogen in GaAsN and InGaAsN layers grown by molecular beam epitaxy, Physica B, 302/303, 282– 290(2001)
13.H.Ch.Alt, A.Yu.Egorov, H.Riechert, B.Wiedemann, J.D.Meyer, Incorporation of nitrogen in GaAsN and InGaAsN alloys investigated by FTIR and NRA, Physica B, 308/310, 877-880(2001)
14.A.Yu.Egorov, H.Riechert, G.Steinle, Monolithic VCSEL with InGaAsN active region emitting at 1.28 μm and CW output power exceeding 500 μW at room temperature, Electronics Letters, 37(2), 93 -95(2001)
15.A.R.Adams, A.Y.Egorov, R.Fehse, S.Illek, E.P.O´Reilly, H.Riechert, S.J. Sweeney, Insights into carrier recombination processes in 1.3 μm GaInNAs-based semiconductor lasers attained using high pressure, Electronics Letters, 37(2), 92 -93(2001)
16.K.J.Ebeling, A.Y.Egorov, M.Kicherer, G.Kristen, F.Mederer, R.Michalzik, H.Riechert, G.Steinle, H.D.Wolf, Data transmission up to 10 Gbit/s with 1.3 μm wavelength InGaAsN VCSELs, Electronics Letters, 37(10), 632 -634(2001)
17.A.R.Adams, A.Yu.Egorov, R.Fehse, S.Illek, S.Jin, E.P.O´Reilly, H.Riechert, S.J.Sweeney, Evidence for large monomolecular recombination contribution to threshold current in 1.3 μm GaInNAs semiconductor lasers, Electronics Letters, 37(25), 1518 -1520(2001)
18.A.Yu.Egorov, D.Bernklau, B.Borchert, S.Illek, D.Livshits, A.Rucki, M.Schuster, A.Kaschner, A.Hoffmann, Gh.Dumitras, M.C.Amann, and H.Riechert, “Growth of high quality InGaAsN heterostructures and their laser application,” J. Cryst. Growth, 227/228, 545–552(2001)
19.A.Yu.Egorov, D.Bedarev, D.Bernklau, G.Dumitras, and H.Riechert, Self-assembled InAs quantum dots in an InGaAsN matrix on GaAs, Phys.Stat.Sol.(b), 224(3), 839-843(2001)
20.A.Yu.Egorov, A.E.Zhukov, V.M.Ustinov, 1.3 µm GaAs-based quantum well and quantum dot lasers: Comparative analysis, J. Electron. Mater., 30(5), 477-481(2001)
21.V.Grillo, M.Albrecht, T.Remmele, H.P.Strunk, A.Yu.Egorov, H.Riechert, Simultaneous experimental evaluation of In and N concentrations in InGaAsN quantum wells, J. Appl. Phys., 90(8), 3792-3798(2001)
22.Д.А.Лившиц, А.Ю.Егоров, И.В.Кочнев, В.А.Капитонов, В.М.Лантратов, Н.Н.Леденцов, Т.А.Налет, И.С.Тарасов, Рекордные мощностные характеристики лазеров на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs-гетероструктур, ФТП, 35(3), 380-384(2001)
23.V.A.Odnoblyudov, A.Yu.Egorov, A.R.Kovsh, A.E.Zhukov, N.A.Maleey, E.S.Semenova, V.M.Ustinov, Thermodynamic analysis of the MBE growth of GaInAsN, Semicond. Sci. Technol, 16(10), 831-835(2001)
24.A.Pomarico, M.Lomascolo, R.Cingolani, A.Yu.Egorov, H.Riechert, Effects of thermal annealing on the optical properties of InGaNAs/GaAs multiple quantum wells, Semicond. Sci. Technol, 17(2), 145-149(2002)
25.А.Ю.Егоров, Е.С.Семенова, В.М.Устинов, Y.G.Hong, C.Tu, Экспериментальное наблюдение расщепления уровней энергии легких и тяжелых дырок в упругонапряженном GaAsN, ФТП, 36(9), 1056-1059(2002)
26.А.Ю.Егоров, В.А.Одноблюдов, Н.В.Крыжановская, В.В.Мамутин, В.М.Устинов, Взаимное расположение краев энергетических зон в гетероструктурах GaAs/GaAsN/InGaAs, ФТП, 36(12), 1440-1444 (2002)
27.В.А.Одноблюдов, А.Ю.Егоров, Н.В.Крыжановская, А.Г.Гладышев, В.В.Мамутин, А.Ф.Цацульников, В.М.Устинов, Фотолюминесценция с длиной волны 1.55 мкм при температуре 300 K из структур с квантовыми точками InAs/InGaAsN на подложках GaAs, Письма ЖТФ, 28(22), 82-88(2002)
28.В.А.Одноблюдов, А.Р.Ковш, А.Е.Жуков, А.Ю.Егоров, Н.А.Малеев, С.С.Михрин, В.М.Устинов, Выращивание соединений (Al)GaAsN методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием аммиака, Письма ЖТФ, 28(12), 62-71(2002)
29.I.G.Hong, A.Y.Egorov, C.W.Tu, Growth of GaInNAs quaternaries using a digital alloy technique, J. Vac. Sci. Technol. B, 20(3), 1163-1166(2002)
30.V.M.Ustinov, A.E.Zhukov, A.Yu.Egorov, N.A.Maleev, Quantum Dot Lasers 300 стр. (2003), OXFORD UNIVERSITY PRESS ISBN: 0-198-52679-2, коллективная монография
31.M.Hetterich, A.Grau, A.Yu.Egorov, H.Riechert, Influence of indium on the electronic states in GaInNAs/GaAs quantum well structures, J. Appl. Phys., 94(3), 1810-1813(2003)
32.В.А.Одноблюдов, А.Ю.Егоров, А.Р.Ковш, В.В.Мамутин, Е.В.Никитина, Ю.М.Шерняков, М.В.Максимов, В.М.Устинов, Длинноволновая лазерная генерация в структурах на основе квантовых ям InGaAs(N) на подложках GaAs, Письма ЖТФ, 29(10), 77-81(2003)
33.A.Yu.Egorov, V.A.Odnobludov, V.V.Mamutin, A.E.Zhukov, A.F.Tsatsul`nikov, N.V.Kryzhanovskaya, V.M.Ustinov, Y.G.Hong, C.W.Tu, Valence band structure of GaAsN compounds and band-edge lineup in GaAs/GaAsN/InGaAs heterostructures, J. Cryst. Growth, 251(1-4), 417-421(2003)
34.V.M.Ustinov, A.Y.Egorov, V.A.Odnoblyudov, N.V.Kryzhanovskaya, Y.G.Musikhin, A.F.Tsatsul`nikov, Z.I.Alferov, InAs/InGaAsN quantum dots emitting at 1.55 um grown by molecular beam epitaxy, J. Cryst. Growth, 251(1-4), 388-391(2003)
35.В.М.Устинов, А.Ю.Егоров, А.Р.Ковш, В.А.Одноблюдов, В.В.Мамутин, Д.А.Лившиц, Н.В.Крыжановская, Е.С.Семенова, Е.В.Никитина, Ю.М.Шерняков, М.В.Максимов, Низкопороговые лазеры на основе InGaAsN для волоконно-оптических линий связи, Изв. РАН, сер. физ., 68(1), 15-17(2004)
36.В.А.Одноблюдов, А.Ю.Егоров, М.М.Кулагина, Н.А.Малеев, Ю.М.Шерняков, Е.В.Никитина, В.М.Устинов, Низкопороговые инжекционные лазеры на основе одиночных квантовых ям InGaAsN, работающие в диапазоне длин волн 1.3 мкм, ФТП, 38(5), 630-633(2004)
37.И.П.Сошников, Н.В.Крыжановская, Н.Н.Леденцов, А.Ю.Егоров, В.В.Мамутин, В.А.Одноблюдов, В.М.Устинов, О.М.Горбенко, H.Kirmse, W.Neumann, D.Bimberg, Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs в квантовой яме InGaAsN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, , ФТП, 38(3), 354-357(2004)
38.В.К.Калевич, Е.Л.Ивченко, М.М.Афанасьев, А.Ю.Ширяев, А.Ю.Егоров, В.М.Устинов, Б.Пал, Я.Масумото, Спин-зависимая рекомбинация в твердых растворах GaAsN, Письма ЖЭТФ, 82(7), 509-512(2005)
39.Н.В.Крыжановская, А.Ю.Егоров, В.В.Мамутин, Н.К.Поляков, А.Ф.Цацульников, А.Р.Ковш, Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов, Д.Бимберг, Оптические свойства гетероструктур с квантово-размерными слоями InGaAsN на подложках GaAs, излучающих в области 1.3-1.55 мкмм, ФТП, 39(6), 735-740(2005)
40.A.Yu.Egorov, V.K.Kalevich, M.M.Afanasiev, A.Y.Shiryaev, V.M.Ustinov, MJkezawa, Y.Masumoto, Determination of strain-induced valence-band splitting in GaAsN thin films from circularly polarized photoluminescence, , J. Appl. Phys., 98(1), #013539(2005)
41.NV.Kryzhanovskaya, A.Yu.Egorov, V.V.Mamutin, NK.Polyakov, A.F. Tsatsulnikov, YG.Musikhin, A.R.Kovsh, N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, D.Bimberg, Properties of InGaAsN heterostructures emitting at 1.3-1.55 urn, Semicond. Sci. Technol, 20(9), 961-965(2005)
42.Л.Е.Воробьев, Д.А.Фирсов, В.А.Шалыгин, В.Ю.Паневин, А.Н.Софронов, Д.В.Цой, А.Ю.Егоров, А.Г.Гладышев, О.В.Бондаренко, Примесный пробой и люминесценция терагерцового диапазона в электрическом поле в микроструктурах p-GaAs и p-GaAsN, Письма ЖТФ, 32(9), 34-41(2006)
43.Мамутин,ВВ; Бондаренко,ОВ; Егоров,АЮ; Крыжановская,НВ; Шерняков,ЮМ; Устинов,ВМ, Излучательные свойства гетероструктур InAs/InGaAsN/GaAsN с компенсацией напряжений в диапазоне 1.3-1.55 urn, Письма ЖТФ, 32(5), 89-94(2006)
44.В.С.Михрин, А.П.Васильев, Е.С.Семенова, Н.В.Крыжановская, А.Г.Гладышев, Ю.Г.Мусихин, А.Ю.Егоров, А.Е.Жуков, В.М.Устинов, Гетероструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками InAs/InGaNAs/GaNAs, излучающие в спектральном диапазоне 1.4-1.8 мкм, ФТП, 40(3), 347-350(2006)
45.V.K.Kalevich, A.Yu.Shiryaev, E.L.Ivchenko, A.Yu.Egorov, L.Lombez, D. Lagarde, X.Marie, T.Amand, Spin-dependent electron dynamics and recombination in GaAsl-xNx alloys at room temperature, Письма ЖЭТФ, 85(3), 208-212(2007)
46.В.В.Мамутин, О.В.Бондаренко, А.П.Васильев, А.Г.Гладышев, А.Ю.Егоров, Н.В.Крыжановская, В.С.Михрин, В.М.Устинов, Исследование оптических свойств сверхрешеток InAs/InGaAsN/GaAsN с компенсацией напряжений, Письма ЖТФ, 33(9), 53-60(2007)
47.В.В.Мамутин, А.Ю.Егоров, Н.В.Крыжановская, В.С.Михрин, А.М.Надточий, Е.В.Пирогов, Методы управления длиной волны излучения в гетероструктурах InAs/GaAsN/InGaAsN на подложках GaAs, ФТП, 42(7), 823-830(2008)
48.В.В.Мамутин, А.Ю.Егоров, Н.В.Крыжановская, А.М.Надточий, А.С.Паюсов, Влияние дизайна напряженно-компенсированных сверхрешеток InAs/InGaAsN/GaAsN на их оптические свойства, Письма ЖТФ, 34(4), 24-31(2008)
49.А.А.Гуткин, П.Н.Брунков, А.Ю.Егоров, Коротковолновый край собственной фотолюминесценции в слабых твердых растворах GaNxAs1-x, ФТП, 43(10), 1308-1311(2009)
50.О.И.Румянцев, П.Н.Брунков, Е.В.Пирогов, А.Ю.Егоров, Исследование дефектов в гетероструктурах с квантовыми ямами GaPAsN и GaPN в матрице GaP, ФТП, 44(7), 923-927(2010)
51.А.Ю.Егоров, Н.В.Крыжановская, Е.В.Пирогов, М.М.Павлов, Оптические свойства четверных полупроводниковых твердых растворов GaNxAsyP1-x-y, ФТП, 44(7), 886-890(2010)
2) Публикации в материалах научных мероприятий в 1998-2010 гг.
1.D.Bernklau, S.W.Bland, J.I.Davies, M.D.Dawson, A.Yu.Egorov, M.D.Geen, M.Hetterich, H.Riechert, Comparison of GaInNAs/GaAs and strain-compensated InGaAs/GaAsP quantum wells for 1200-1300 nm diode lasers, 12th Annual Meeting Lasers and Electro-Optics Society 1999. IEEE LEOS ´99, 1, 368 -369(1999)
2.B.Borchert, A.Yu.Egorov, S.Illek, H.Riechert, Low threshold current operation of 1.3 μ m GaInNAs/GaAs laser diodes, 13th Annual Meeting IEEE LEOS, 1, 125 -126(2000)
3.B.Borchert, G.Ebbinghaus, A.Yu.Egorov, S.Illek, H.Riechert, GaInNAs/GaAs multiple quantum-wells (MQWs) for 1.3 μm laser applications, Conference Proceedings. 2000 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 537 -540(2000)
4.H.Riechert, A.Yu.Egorov, D.Livshits, B.Borchert, S.Illek, InGaAsN/GaAs heterostructures for long-wavelength light-emitting devices, Proc. 8th Intern. Symp. Nanostruc: Phys. and Tech., 2-5(2000)
5.A.Yu.Egorov, D.Bernklau, D.Livshits, V.Ustinov, Z.I.Alferov, H.Riechert, 1.3 m CW operation of InGaAsN lasers, В книге (сборнике): Compound semiconductors 1999, Inst. Phys. Conf, 166, 359-362(2000)
6.A.Yu.Egorov, G.Kristen, M.Popp, H.Riechert, G.Steinle, H.D.Wolf, Novel monolithic VCSEL devices for datacom applications, Electronic Components and Technology Conference, Proceedings, 218 -222(2001)
7.K.J.Ebeling, A.Y.Egorov, G.Kristen, F.Mederer, R.Michalzik, H.Riechert, G.Steinle, Up to 10 Gbit/s data transmission with 1.3 /spl mu/m wavelength InGaAsN VCSELs, ECOC01, 27th European Conference on Optical Communication, 2001, 2 , 218 -219(2001)
8.A.R.Adams, A.Yu.Egorov, R.Fehse, S.Illek, S.Jin, E.P.O´Reilly, H.Riechert, S.J.Sweeney, The temperature dependence of the recombination processes in 1.3 μ m GaInNAs-based edge emitting lasers, LEOS 2001, The 14th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society, 1, 330 -331(2001)
9.A.Yu.Egorov, V.M.Ustinov, Comparative analysis of 1.3-цm InGaAs quantum dots and InGaAsN quantum well lasers, В книге (сборнике): IEEE 15th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM), 261-262(2003)
10.A.Yu.Egorov и др., Long-wavelength InGaAsN/GaAs heterostucture lasers, , Proceedings of the 12th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", 3-6(2004)
11.В.К. Калевич и др, Optical pumping and spin-dependent recombination in GaAsN alloys, Proceedings of the 14th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", 59-60(2006)
12.В.К. Калевич и др, Долгоживущая спиновая поляризация при комнатной температуре в твердых растворах GaAsN, 7 Российская конференции по физике полупроводников, тезисы докладов, 36(2005)
13.В.К. Калевич и др, Spin dynamics controlled by spin-dependent recombination in GaAsN alloys at room temperature, Proceedings of the 28th International Conf. on the Physics of Semiconductors, , тезисы докладов, 231(2006)
14.В.К.Kalevich и др., Optical pumping and spin-dependent recombination in GaAsN alloys, Proceedings of the 14th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", 59-60(2006),
15.А.Ю.Егоров и др., Optical study of band gap dependence on nitrogen content in GaAsN thin layers, Proceedings of the 14th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", 158-159(2006)
16.A.Yu.Egorov, “III-N-V semiconductor alloys: physical properties and potential applications”, International workshop on opto- and nanoelectronics, St. Petersburg, Russia ( http://www.ioffe.ru/oe35/ ) (2008)
3) Патенты
1.H.Riechert, A.Yu.Egorov (NFINEON TECHNOLOGIES AG, Germany), SEMICONDUCTORLASERSTRUCTURE,Pub.No.:WO/2001/052373 (19.07.2001), Intern.Appl.No.:PCT/DE2000/004317(04.12.2000)
2.В.В.Мамутин,А.Ю.Егоров,В.М.Устинов(ФТИим.А.Ф.Иоффе), Светоизлучающая структура и способ изготовления, Патент РФ N 2257640, (2005)