Лапшин Ростислав Владимирович

1. методология объектно-ориентированного сканирования, заключающаяся в том, что рельеф поверхности измеряется по частям - небольшими расположен­ными по соседству сегментами в относительной системе координат, а основная доля перемещений в апертурах, в сегментах, между текущей и следующей осо­бенностями, при движении по квазистрокам особенностей содержит встречную комплементарную составляющую так, что искажения от дрейфа, рассматривае­мые как линейные, могут быть учтены и скомпенсированы в процессе сканиро­вания;
2. способы локального связывания особенностей поверхности в цепочку посред­ством обхода затравки с присоединением новых элементов цепи, а также с ис­пользованием вспомогательных квазистрок из особенностей; в обоих способах траектория перемещения зонда заранее неизвестна и определяется динамиче­ски в процессе ООС, изначально в общем виде задаётся только характер пове­дения системы при выборе следующей особенности цепи;
3. способы позиционирования зонда микроскопа-нанолитографа по локальным особенностям поверхности, обеспечивающие прецизионное перемещение в по­ле точного манипулятора, а также способ прецизионного размещения поля точ­ного манипулятора в поле грубого, при котором удаётся резко снизить требова­ния, предъявляемые к грубому манипулятору, по точности; прецизионность дос­тигается за счёт перемещения от одной особенности к другой соседней и ис­пользования следящей системы в горизонтальной плоскости на основе проце­дуры привязки зонда к особенности;
4. эксперименты, подтверждающие базовые принципы, преимущества и потен­циальные возможности ООС, по измерению рельефа высокоупорядоченной, квазиупорядоченной и полностью разупорядоченной поверхности; по измере­нию рельефа атомной поверхности с высоким вертикальным и латеральным разрешением; по высокоточному измерению постоянных решётки и направле­ний на поверхности кристалла; по перемещению на большие расстояния от атома к атому на упорядоченной поверхности кристалла и по выявлению нели­нейности сканера или крупномасштабных искажений решётки кристалла; по из­мерению точно локализованных на поверхности вольтамперных характеристик туннельного зазора с низким уровнем шума; по определению величины дрейфа и характера его проявления в СЗМ; по определению статистических параметров особенностей исследуемой поверхности;
5. пакет прикладных программ, функционирующих по принципам ООС.

2.R. V. Lapshin, Hysteresis compensation model for STM scanning unit, Proceed-ings of the Second International Conference on Nanometer Scale Science and Technology (NANO-II), Herald of Russian Academy of Technological Sciences, vol. 1, № 7, part B, pp. 511-529, Moscow, Russia, 1994.

3.R. V. Lapshin, Analytical model for the approximation of hysteresis loop and its application to the scanning tunneling microscope, Review of Scientific Instru-ments, vol. 66, № 9, pp. 4718-4730, 1995.

4.Р. В. Лапшин, В. Н. Рябоконь, А. В. Денисов, Измерение пространственных характеристик упорядоченных поверхностных наноструктур на сканирующем туннельном микроскопе, Труды второй международной научно-технической конференции “Микроэлектроника и информатика”, выпуск 2, стр. 349-357, Москва, Зеленоград, 1997.

5.Р. В. Лапшин, Процедура распознавания атомов в СТМ изображениях, Тези¬сы докладов третьей международной научно-технической конференции “Микроэлектроника и информатика”, стр. 222-223, Москва, Зеленоград, 1997.

6.R. V. Lapshin, Automatic lateral calibration of tunneling microscope scanners, Re¬view of Scientific Instruments, vol. 69, № 9, pp. 3268-3276, 1998.

7.Р. В. Лапшин, Способ считывания цифровой информации в зондовом запо-минающем устройстве, Патент РФ на изобретение, № 2181218, приоритет от 02.11.1998.

8.Р. В. Лапшин, Способ измерения рельефа поверхности сканирующим зондо-вым микроскопом, Патент РФ на изобретение, № 2175761, приоритет от 08.06.1999.

9.Р. В. Лапшин, Способ перемещения зонда сканирующего микроскопа-нанолитографа в поле грубого X-Y позиционера, Патент РФ на изобретение, № 2181212, приоритет от 07.09.1999.

10.Р. В. Лапшин, Исправление искажённых дрейфом СЗМ-изображений, Тезисы докладов третьей международной научно-технической конференции “Электроника и информатика – XXI век”, стр. 76-77, Москва, Зеленоград, 2000.

11.Р. В. Лапшин, Позиционирование зонда сканирующего микроскопа-нанолитографа по локальным особенностям поверхности, Тезисы докладов третьей международной научно-технической конференции “Электроника и информатика – XXI век”, стр. 167-168, Москва, Зеленоград, 2000.

12.Р. В. Лапшин, Способ считывания цифровой информации в зондовом запо-минающем устройстве, Тезисы докладов третьей международной научно-технической конференции “Электроника и информатика – XXI век”, стр. 169-170, Москва, Зеленоград, 2000.

13.R. V. Lapshin, Digital data readback for a probe storage device, Review of Scien¬tific Instruments, vol. 71, № 12, pp. 4607-4610, 2000.

14.A. P. Alekhin, A. G. Kirilenko, R. V. Lapshin, A. A. Sigarev, AFM studies of the morphology of the carbon layers deposited on medical low-density polyethylene films by the method of pulsed plasma-arc sputtering of graphite, Report Abstracts, International Conference on Nanotechnology and MEMS, Galway, Ireland, 2002.

15.R. V. Lapshin, Feature-oriented scanning for spacecraft-borne remote SPM-investigations, Workshop on Micro-Nano Technology for Aerospace Applica¬tions, Montreal, Canada, 2002.

16.R. V. Lapshin, Feature-oriented scanning for probe microscopy and nanotechnol-ogy, Review of Scientific Instruments, 2002, в печати.