Научная тема: «МЕТОД ИОННО-ЛУЧЕВОГО РАСПЫЛЕНИЯ И СОЗДАНИЕ НОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ»
Специальность: 01.04.01
Год: 2008
Отрасль науки: Физико-математические науки
Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:
  1. Создание  многоцелевой  электрофизической  установки  "ГЕЛИС", которая позволяет осуществлять ионное распыление разнообразных мишеней для   получения   пленок   новых   материалов,   имеющих   практическое применение в различных областях науки и техники.
  2. Исследование закономерностей ионного распыления и вторичной ионно-электронной эмиссии новых композиционных материалов с включениями эмиссионно-активной фазы (ЭАФ), в качестве которой использовался LaB6 или GdB6 .
  3. Результаты обработки пучком ионов поверхности композиционного материала, представляющего собой зерна алмаза, связанные графитоподобным углеродом, которая позволяет сформировать на данном материале острийную структуру из алмазов, обеспечивая необходимую для полевого эмиттера проводимость и усиление поля на остриях.
  4. Исследования по захвату и накоплению изотопов водорода при переосаждении внешних по отношению к плазме материалов (графит и бериллий).
  5. Разработка метода получения пленок ВТСП состава Y-Ba-Cu-O IN SITU посредством ионно-лучевого распыления керамик при низких давлениях кислорода, а также результаты изучения характеристик полученных пленок.
  6. Разработка технологии нанесения полупроводящих покрытий на диэлектрические подложки используемых при изготовлении детекторов ионизирующего излучения (МСГК) методом ионно-лучевого распыления.
  7. Исследования по старению МСГК камер с полупроводящими покрытиями.
  8. Отработка технологии изготовления и исследования рабочих характеристик первых российских ГЭУ на отечественных полиимидных пленках толщиной от 40 до 100 мкм с различной толщиной электродов.
  9. Изготовление и исследование детектора из CVD алмаза для регистрации СИ с электродами из аморфного углерода.
Список опубликованных работ
1.Багуля А.В., Негодаев М.А. Допустимые потери энергии ионов в мишени и метод прецизионного измерения этих потерь в эксперименте «ГЕЛИС» // Препринт ФИАН № 115, М., 1987.

2.Багуля А.В., Казаков И.П., Максимовский С.Н., Негодаев М.А., Шотов А.П. Пленки Y-Ba-Cu-O, полученные распылением ионным пучком // Краткие сообщения по физике ФИАН, 10 (1988) 38-39;

3.Багуля А.В., Казаков И.П., Негодаев М.А. Получение пленок Y-Ba-Cu-O ионно-пучковым распылением // Тезисы докладов 1-го Всесоюзного совещания по высокотемпературной сверхпроводимости. Харьков, т. 3 (1988) 138-139.

4.Багуля А.В., Казаков И.П., Негодаев М.А., Цехош В.И. Влияние условий осаждения на свойства пленок Y-Ba-Cu-O, получаемых ионно-пучковым методом // Тезисы докладов 11-й Всесоюзной конференции по ВТСП. Киев, т. 2 (1989) 289-290.

5.Багуля А.В., Казаков И.П., Негодаев М.А. Применение ионных пучков для получения тонких пленок высокотемпературных сверхпроводников // Материалы конференции молодых ученых Дальнего Востока ``Применение физических и математических методов в исследовании строения вещества´´ (май 1989 г.). Владивосток. (1990) 59-61.

6.Багуля А.В., Казаков И.П., Негодаев М.А., Цехош В.И. Получение пленок Y-Ba-Cu-O IN SITU с использованием ионно-пучкового распыления // Материалы Межотраслевого научно-технического семинара ``Современная технология получения материалов и элементов ВТСП микросхем´´ (г.Минск, cентябрь 1990 г.). М., (1990) 14-15.

7.Багуля А.В., Казаков И.П., Микертумянц А.Р., Негодаев М.А., Ромащин В.А., Цехош В.И., Юрков А.Н. Применение фотолитографии для создания тонкопленочных элементов на основе Y-Ba-Cu-O // Письма в ЖТФ, 16(16) (1990) 55-58.

8.Лубан Р.Б., Верховодов П.А.,…, Негодаев М.А., и др. Изучение воздействия пучка ионов азота средних энергий на поверхность композиционных материалов // Поверхность. Физика, химия, механика, 6 (1991) 127-131.

9.Багуля А.В., Негодаев М.А., Лубан Р.Б. Изучение распыления композиционных материалов пучками ионов средних энергий // Материалы Х-й Всесоюзной конференции ``Взаимодействие ионов с поверхностью — 1991´´. M., т. 1 (1991) 139-141.

10.Багуля А.В., Негодаев М.А., Лубан Р.Б. Исследование кинетической вторичной ионно-электронной эмиссии композиционных материалов // Материалы Х-й Всесоюзной конференции ``Взаимодействие ионов с поверхностью — 1991´´. M., т. 2 (1991) 108-110.

11.Багуля А.В., Казаков И.П., Негодаев М.А., Цехош В.И., Воронов В.В.Исследование особенностей получения пленок Y-Ba-Cu-O IN SITU методом ионно-пучкового распыления при низких давлениях кислорода // Тезисы докладов 8-й Всесоюзной конференции по росту кристаллов. Харьков, 2(2), (1992) 343-344.

12.Багуля А.В., Казаков И.П., Негодаев М.А., Цехош В.И. Нагреватель подложек с источником кислорода для получения пленок высокотемпературных сверхпроводников // ПТЭ, 3 (1992) 239.

13.Лубан Р.Б., Негодаев М.А., Багуля А.В. Исследование распыления и кинетической ионно-электронной эмиссии композиционных материалов под воздействием пучка ионов средних энергий // Известия РАН, серия физ., 6, (1992) 130.

14.Luban R.B., Negodaev M.A., Bagulya A.V. Investigation of sputtering and kinetic secondary ion-electron emission of composite materials under influence of an ion beam of medium energy // Vacuum, 44 (1993) 893-896.

15.Bagulya A.V., Kazakov I.P., Negodaev M.A., Tsekhosh V.I., Voronov V.V. In situ growth of superconducting Y-Ba-Cu-O thin films by ion-beam sputtering method // Mater. Sci. Eng., B21 (1993) 5-9.

16.Багуля А.В., Гришин В.М., Кротков В.А., Негодаев М.А. Исследование тонкопленочных полупроводящих полимерных подложек для микростриповых газовых камер // Краткие сообщения по физике ФИАН, 7-8 (1993) 28-30

17.Багуля А.В., Гришин В.М., Кротков В.А., Негодаев М.А., Петровых Н.В. Спектрометрические свойства микростриповой газовой камеры с полупроводящим покрытием // Краткие сообщения по физике ФИАН, 1-2 (1994) 45-49

18.Багуля А.В., Гришин В.М., Кротков В.А., Негодаев М.А., Петровых Н.В. Ионно-лучевое распыление высокоомных стекол с электронной проводимостью // Краткие сообщения по физике ФИАН, 1-2 (1994) 50-54

19.Bishai M.R., Gerndt E.K.E., Shipsey I.P.J., Wang P.N., Bagulya A.V., Grishin V.M., Negodaev M.A., Geltenbort P. Performance of microstrip gas chambers passivated by thin semiconducting glass and polyimide films // Preprint PU-95-694 (1995).

20.Bishai M.R., Gerndt E.K.E., Shipsey I.P.J., Wang P.N., Bagulya A.V., Grishin V.M., Negodaev M.A., Geltenbort P. Performance of microstrip gas chambers passivated by thin semiconducting glass and plastic films // NIM A365 (1995) 54-58.

21.Негодаев М.А.,Багуля А.В. Электрофизическая установка «ГЕЛИС» //Препринт ФИАН № 11, М., 1996.

22.Bagulya A.V., Grishin V.M.,…, Negodaev M.A., et al. Microstrip Gas Chamber for H1 Forward Proton Spectrometer // Preprint FIAN № 12, М., 1996.

23.Bagulya A..V., Grishin V.M., Negodaev M.A., Ligachev V. Some methods for preparation of thin resistive layers with electronic conductivity on dielectric substrate // Proceedings of International Workshop on Micro-Strip Gas Chambers. Lyon, November 30–December 2

(1995)243–247.

24.Bishai M.R., Gerndt E.K.E., Knapp B.A., Shipsey I.P.J., Vernon W.L., Bagulya A.V., Grishin V.M., Negodaev M.A., Geltenbort P. Glass Micro Strip Chambers passivated by carbon, amorphous silicon, and glass films // Proceedings of International Workshop on Micro-Strip Gas Chambers. Lyon, November 30–December 2 (1995) 249–255.

25.Arkhipov I.I., Gorodetsky A.E., Zakharov A.P., Khripunov B.I., Shapkin V.V., Petrov V.B., Pistunovich V.I., Negodaev M.A., Bagulya A.V. Bulk retention of deuterium in graphites exposed to deuterium plasma at high temperature // Jour. Nucl. Mater. 233–237 (1996) 1202–1206.

26.Негодаев М.А., Чечин В.А., Гришин В.М., Ломоносов Б.Н., Багуля А.В. Исследование стойкости микростриповых электродов к бомбардировке ионами аргона // Краткие сообщения по физике ФИАН, 1–2 (1997) 97–103.

27.Ральченко В.Г., Смолин А.А., Конов В.И., Негодаев М.А., Гришин В.М., Ломоносов Б.Н., Багуля А.В., Рич Л., Дворянкин В.Ф. Применение поликристаллических алмазных пленок для детектирования частиц высоких энергий // Препринт ФИАН № 5, М., 1997.

28.Негодаев М.А., Чечин В.А., Гришин В.М., Ломоносов Б.Н., Багуля А.В.Исследование стойкости микростриповых катодов МСГК к бомбардировке ионами аргона // Препринт ФИАН №14, М., 1997.

29.Багуля А.В., Гришин В.М., Костин А.П., Котельников С.К., Ломоносов Б.Н., Негодаев М.А., Русаков С.В. Прототип трекового детектора на основе микростриповой газовой камерв для переднего протонного спектрометра в эксперименте Н1 // Препринт ФИАН № 54, М., 1997.

30.Bagulya A.V., Grishin V.M., Kostin A.P., Lomonosov B.N., Negodaev M.A. On fluctuations of signals produced by relativistic charged particles in diamond detectors // NIM A374

(1996)278-280.

31.Негодаев М.А. Микростриповая газовая камера: достижения, проблемы и решения // Препринт ФИАН № 4, М., 1998, 46с.

32.Негодаев М.А., Ломоносов Б.Н., Багуля А.В., Русаков С.В., Негодаева Е.М., Лемешко А.М., Хамаева Т.Е., Ларичев А.Н. Газовый электронный умножитель и его работа совместно с микростриповой газовой камерой // Препринт ФИАН № 17, М., 1998.

33.Negodaev M.A., Lomonosov B.N., Kotelnikov S.K., Bagulya A.V., Negodaeva E.M., Laritchev A.N., Zhukov V.Yu., Smirnova L.N. Gas Electron Multiplier: performance and possibilities // Preprint FIAN № 39, Moscow, 1998.

34.Негодаев М.А., Ларичев А.Н., Жуков В.Ю., Смирнова Л.Н., Багуля А.В., Ломоносов Б.Н., Лемешко А.М., Хамаева Т.Е., Негодаева Е.М. Газовый электронный умножитель // ПТЭ, 1 (1999).

35.Негодаев М.А., Ломоносов Б.Н., Багуля А.В., Русаков С.В., Негодаева Е.М., Лемешко А.М., Хамаева Т.Е., Ларичев А.Н. Газовый электронный умножитель и его работа совместно с микростриповой газовой камерой // Краткие сообщения по физике ФИАН, 1 (1999) 3-8.

36.Bishai M.R., Gerndt E.K.E., Shipsey I.P.J., Bagulya A.V., Grishin V.M., Negodaev M.A., Ligachev V. Microstrip gas chambers overcoated with carbon, hydrogenated amorphous silicon, and glass films // NIM A400 (1997) 233-242.

37.Dabagov S.B., Vlasov I.I., Murashova V.A., Negodaev M.A., Ralchenko V.G., Fedorchuk R.V., Yakimenko M.N., CVD diamond films for synchrotron radiation beam monitoring, Proc. SPIE 3774 (1999) 122-127.

38.Markin A.V., Dubkov V.P., Gorodetsky A.E., Negodaev M.A., Rozhanskii N.V., Scaffidi-Argentina F., Werle H., Wu C.H., Zalavutdinov R.Kh., Zakharov A.P., Codeposition of deuterium ions with beryllium oxide at elevated temperatures // J. Nucl. Mater. 283-287 (2000) 1094-1099.

39.Karabutov A.V., Ralchenko V.G., Vlasov I.I, Khmelnitsky R.A., Negodaev M.A., Varnin V.P., Teremetskaya I.G. Surface engineering of diamond tips for improved field electron emission // Diamond and Related Materials 10 (2001) 2178-2183.

40.A. Karabutov, V. Ralchenko, I. Vlasov, … , M. Negodaev, V.Varnin, I. Teremetskaya and S. Gordeev Modified diamond micropyramid arrays for field electron emission and electronic devices // New Diamond and Frontier Carbon Technology, 11 (2001) 355-364.

41.Bagaturia Y., Cheviaykhov S., Dreis H.B.,…, Negodaev M., et al. Inner Tracker Performance in 2000 // HERA-B 01-60, ITR 01-001

42.Негодаев М.А. и др. Работы по модернизации системы внутреннего трекера HERA-B в 2001г. // Препринт ФИАН № 15 М. 2002.

43.Bagaturia Y., Baruth O., Dreis H.B.,..., Negodaev M., et al., Studies of aging and HV break down problems during development and operation of MSGC and GEM detectors for the inner tracking system of HERA-B, NIM A490 (2002) 223-242.

44.Abt I., Adams M., Agari M,…, Negodaev M. et al., Eur.Phys.J.C29 (2003) 181-190.

45.Abt I., Adams M., Agari M,…, Negodaev M. et al., Physics Letters B 561 (2003) 61-72.

46.Abt I., Adams M., Agari M,…, Negodaev M. et al., Eur.Phys.J.C26 (2003) 345-355.

47.Abt I., Adams M., Agari M,…, Negodaev M. et al., Phys.Lett. B 596:173-183,2004

48.Abt I., Adams M., Agari M,…, Negodaev M. et al., Phys.Rev.Lett. 93:212003,2004

49.M. Negodaev, GaAs as sensor for LCAL. V. Workshop Insrumentation of the Forward Region of a Linear Collider Detector, Zeuthen, Germany, August 26-28, 2004 ( http://www-zeuthen.desy.de/lcdet/Aug_04_WS/aug_04_ws.html

50.Abt I., Adams M., Agari M,…, Negodaev M. et al., Phys.Lett. B638 (2006) 407-414

51.Abt I., Adams M., Agari M,…, Negodaev M. et al., Phys. Rev. D, vol.73, 052005, issue 5, 2006

52.Abt I., Adams M., Agari M,…, Negodaev M. et al., Phys.Lett.B,638:415- 421,2006

53.Abt I., Adams M., Agari M,…, Negodaev M. et al., Phys. Lett. B,638:13-21, 2006

54.Abt I., Adams M., Agari M,…, Negodaev M. et al., Eur.Phys.J.C50:315-328,2007

55.Abt I., Adams M., Agari M,…, Negodaev M. et al., Phys.Lett.B,650:103-110,2007

56.Abt I., Adams M., Agari M,…, Negodaev M. et al., Eur.Phys.J.C49:545-558,2007

57.Abt I., Adams M., Agari M,…, Negodaev M. et al., Eur.Phys.J.C52 (2007), 531-542

58. Abt I., Adams M., Agari M,…, Negodaev M. et al., Nucl.Instrum.Meth.A582 (2007), 401-412

Патенты

1.Багуля А.В., Казаков И.П., Негодаев М.А., Цехош В.И. Способ изготовления пленок и монокристаллов сверхпроводящих металлооксидных материалов и устройство для его осуществления Патент РФ № 2012104. Приоритет от 01.02.91. Бюллетень изобрет., № 8 (1994).

2.Гордеев С.К., Ральченко В.Г., Негодаев М.А.. Карабутов А.В., Белобров П.И. Полевой эмиттер электронов и способ его изготовления (варианты). Патент РФ №2150154. Приоритет от 18.11.1998. Бюллетень изобрет., №15 (2000).