- Комплекс технологического оборудования для обеспечения получения МТР соединений АIIIВV в поле температурного градиента со следующими данными: остаточное давление газа в реакционной камере от 1Па до 2МПа; температура в рабочей зоне технологической оснастки до Т=1300K; осевой температурный градиент от GT=-100K/см до GT=100K/см; радиальный температурный градиент не более GR=1 K/см.
- Разработка цифровой системы автоматического регулирования и программного обеспечения для высокоточного управления температурным режимом ГЭ обеспечивает следующие параметры управления температурным режимом: точность поддержания температуры в статическом режиме не хуже ±0,1K, точность поддержания температуры в динамическом режиме не хуже ±1K. Разработка программы для формирования базы экспериментальных данных температурного режима ГЭ с целью использования в вычислительном эксперименте в среде MathCad по расчету распределения компонентов в эпитаксиальном слое.
- Эмпирические зависимости скорости роста в жидкой и газовой фазах, коэффициентов распределения в ПТР AlxGayIn(1-x-y)PzAs(1-z) от состава жидкой фазы и температуры для расчета распределения компонентов в эпитаксиальном слое при ГЭ.
- Технология ГЭ для получения варизонных и каскадных микро- и наноструктур ПТР AlxGayIn(1-x-y)PzAs(1-z) на основе перекристаллизации в жидкой фазе предварительно подготовленных тонкопленочных структур, микро- и наноструктур МТР АIIIВV на основе химического транспорта из близко расположенного источника.
- Методика получения сверхтонких линейных зон для перекристаллизации лазерных гетероструктур AlxGa(1-x)As/GaAs при получении непоглощающих широкозонных оптических окон.
- Применение микро- и наноструктур МТР AlxGa(1-x)As, AlxGa(1-x)PyAs(1-y), GaxIn(1-x)PyAs(1-y), AlxGayIn(1-x-y)PzAs(1-z) в высокочувствительных фотоприемных устройствах и высокоэффективных солнечных элементах.
2.Пат. 2032776 RU: МКИ C 30 B 19/04, 29/40. Способ получения широкозонного окна в лазерной гетероструктуре на основе соединений АIIIВV и их твердых растворов / Л. С. Лунин, Г. Т. Пак, М. Ш. Кобякова, И. А. Сысоев. Заявл. 03.04.1992 ; опубл. 10.04.1995, Бюл. №10.
3.Пат. 2064541 RU: МПК C 30 B 19/04, 29/40. Способ получения гетероструктур на основе полупроводниковых соединений / В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, И. А. Сысоев. Заявл. 04.08.91 ; опубл. 07.27.96.
4.Исследование возможности получения непоглощающих окон в двойных гетероструктурах методом ЗПГТ / Л. С. Лунин, А. В. Благин, И. А. Сысоев [и др.] // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. – 1999. – № 1. – С. 61 – 66.
5.Твердые растворы GaP<Bi> и GaAsP<Bi>, полученные в поле температурного градиента / Д. Л. Алфимова, А. В. Благин, Л. С. Лунин, И. А. Сысоев // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. – 1999. – № 4. – С. 62 – 63.
6.Особенности кристаллизации и морфология эпитаксиальных пленок GaInSbBi / Д. Л. Алфимова, А. В. Благин, Л. В. Благина, И. А. Сысоев // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. – 2001. – № 3. – С. 82 – 85.
7.Совершенствование технологических условий жидкофазной эпитаксии многокомпонентных гетероструктур электронной техники / И. А. Сысоев [и др.] // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. – 2003. – Спецвыпуск. – С. 51 – 52.
8.Новые возможности ионно-лучевых технологий в задачах получения оптоэлектронных устройств на основе многокомпонентных соединений АIIIВV / Л. С. Лунин, И. А. Сысоев [и др.] // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. – 2003. – Спецвыпуск. – С. 53 – 54.
9.Сысоев, И. А. Влияние состава жидкой фазы и температуры на коэффициенты распределения в твердых растворах AlGaInPAs, полученных методом зонной перекристаллизации градиентом температуры / И. А. Сысоев // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. – 2004. – Спецвыпуск. – С. 58 – 60.
10.Программная реализация ПИД-регулятора для управления процессом ЗПГТ / И. А. Сысоев [и др.] // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. – 2005. – Спецвыпуск: Математическое моделирование и компьютерные технологии. – С. 19 – 21.
11. Физика кристаллизации эпитаксиальных пленок GaInAs<Bi>/InAs в поле температурного градиента и исследование их поверхности / А. В. Благин, В. В. Кодин, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, И. А. Сысоев // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Естеств. науки. – 2008. – № 6. – С. 32 – 36.
12. Техника градиентной эпитаксии полупроводниковых гетероструктур электронной техники : монография / Л. С. Лунин, И. А. Сысоев [и др.]. – Ростов н/Д : Изд-во СКНЦ ВШ ЮФУ, 2008. – 160 с.
13.Сысоев И. А. Солнечные батареи на основе каскадных фотоэлектрических преобразователей, полученные с помощью градиентной кристаллизацией из жидкой фазы / И. А. Сысоев // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. – 2008. – № 6. – С. 32 – 36.
Прочие публикации
1. Лунин, Л. С. Исследование дефектов в варизонных гетероструктурах GaSb-AlxGa(1-x)Sb, GaSb-AlxGa(1-x)SbyAs(1-y), выращенных методом зонной перекристаллизации градиентом температуры / Л. С. Лунин, Т. А. Аскарян, И. А. Сысоев // Физические процессы в полупроводниковых гетероструктурах / Тезисы докладов IV конференции. Ч. I. – Минск, 1986. – С. 144.
2. Свойства широкозонных твердых растворов соединений АIIIВV, полученных методом зонной перекристаллизации градиентом температуры / В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, В. И. Ратушный, Т. А. Аскарян, И. А. Сысоев // Физика и технологии широкозонных полупроводников / Тезисы докладов III совещания. – Махачкала, 1986. – С. 201.
3. Особенности роста пятикомпонентных твердых растворов AlxGayIn(1-x-y)PzAs(1-z) на подложках арсинида галлия из раствора-расплава с подпиткой / В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, И. А. Сысоев, Ю. И. Алексенко // Рост кристаллов / Тезисы докладов 7 конференции. Т. II. – М., 1988. – С. 334 – 335.
4. Кристаллическое совершенство и оптические свойства многослойных пятикомпонентных гетероструктур соединений АIIIВV / Л. С. Лунин, О. Д. Лунина, В. А. Овчинников, В. И. Ратушный, И. А. Сысоев // Физические основы твердотельной электроники / Тезисы докладов I конференции. Т. А. – Ленинград, 1989. – С. 210 – 211.
5. Разработка способа выращивания и исследования гетероструктур многокомпонентных твердых растворов АIIIВV / Л. С. Лунин, О. Д. Лунина, И. А. Сысоев [и др.] // Отчет о НИР N 4170. – Новочеркасск, 1989. – 144 c.
6. Фазовые равновесия в пятикомпонентной гетеросистеме GaAs/InxAlyGa(1-x-y)PzAs(1-z), моделирование и эксперимент / Л. С. Лунин, Т. А. Аскарян, И. А. Сысоев [и др.] // Физико-химические свойства многокомпонентных полупроводниковых систем. Эксперимент и моделирование / Тезисы докладов семинара. – Одесса, 1990. – С. 36 – 38.
7. Стабилизация шестикомпонентных полупроводников АIIIВV COMPAUNDS / L. S. Lunin, O. D. Lunina, V. A. Ovchinnikov, E. P. Kravchenko, I. A. Sysoev // EIGHTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON TERNARY AND MULTINARY COMPAUNDS. – Kishinev, 1990. – P. 121.
8. Многокомпонентные гетероструктуры АIIIВV на Si-подложках / Л. С. Лунин, И. А. Сысоев [и др.] // Физические процессы в полупроводниковых гетероструктурах / Тезисы докладов V конференции. Т. II. – Калуга, 1990. – С. 41 – 42.
9. Пятикомпонентные твердые растворы соединений АIIIВV в фотоэлектронике / Л. С. Лунин, О. Д. Лунина, И. А. Сысоев [и др.] // Фотоэлектрические явления в полупроводниках / Тезисы докладов II научной конференции. – Ашхабад, 1991. – C. 196 – 197.
10.Исследование возможности создания непоглощающих окон (зеркал) в ДГС методом зонной перекристаллизации градиентом температуры / Л. С. Лунин, О. Д Лунина, В. И. Ратушный, Т. А. Аскарян, В. А. Овчинников, И. А. Сысоев // Отчет о НИР N 4447/410. – Новочеркасск, 1991. – 56 c.
11.Выращивание пяти- и шестикомпонентных твердых растворов АIIIВV в поле температурного градиента / В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, О. Д. Лунина, В. А. Овчинников, И. А. Сысоев, Т. А. Аскарян // Электронные материалы / Тезисы докладов конференции. – Новосибирск, 1992. – С. 103 – 104.
12.Сысоев, И. А. Получение эпитаксиальных твердых растворов AlGaAs, GaInAs, AlGaSb, InAsSb, GaAsSb, GaInSb на подложках GaAs, GaSb, InAs методом ЗПГТ / И. А. Сысоев, А. Г. Шевченко, А. Ю. Смолин // Машиностроение и техносфера на рубеже ХХI века / Материалы междунар. науч.-техн. конф. 8 – 11 сентября 1998 г. Т. 3. Вып. 6. – Севастополь – Донецк, 1998. – С. 271 – 274.
13.Сысоев, И. А. Получение методом ЗПГТ варизонных слоев SixGe(1-х) для производства многослойных солнечных элементов на кремниевых подложках / И. А. Сысоев, А. Ю. Смолин // Новые материалы и технологии НМТ-98 / Тез. докл. Всерос. науч.-техн. конф. Москва, 7 – 18 ноября 1998 г. – М. : ЛАТ МЭТ, 1998. – С. 294.
14. Кинетика роста многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV на основе арсенида галлия / В. И. Ратушный, И. А. Сысоев [и др.] // Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах / Междунар. конф. – Ульяновск : Изд-во УлГУ, 1999. – С. 22.
15.Сысоев, И. А. Получение эпитаксиальных слоев GaAs на Ge-подложках методом близкого переноса / И. А. Сысоев, А. Ю. Смолин // Оптика полупроводников / Междунар. конф. – Ульяновск : Изд-во УлГУ, 2000. – С. 163.
16.Сысоев, И. А. Применение ионно лучевой технологии для получения тонкопленочных солнечных элементов / И. А. Сысоев, А. Ю. Смолин, Э. В. Олива // Тонкие пленки в электронике : сб. докл. 12-го Междунар. симп. – Харьков : ИПЦ «Контраст», 2001. – С. 363 – 366.
17.Сысоев, И. А. Перспективы получения наноструктур методом ионно-локального осаждения / И. А. Сысоев, А. А. Марченко, М. В. Письменский // Кристаллизация в наносистемах : сб. тез. Междунар. науч. конф. – Иваново, 2002. – С. 57.
18.Сысоев, И. А. Измерение сигналов с термопар и резистивных мостовых датчиков и представление их в цифровой форме / И. А. Сысоев, Р. П. Велиев // Сборник научных трудов ВИ ЮРГТУ. – Новочеркасск : ЮРГТУ, 2003. – С. 34 – 37.
19.Система управления температурным режимом технологического процесса получения полупроводниковых материалов методом градиентной жидкофазной кристаллизации / И. А. Сысоев [и др.] // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники / Девятая междунар. науч.-техн. конф. Дивноморское, Россия. 12 – 17 сентября 2004 г. Ч. 1. – Таганрог, 2004. – С. 10 – 13.
20.Особенности технологии получения солнечных элементов на основе гетероструктур AlGaPAs/GaAs с использованием метода ГЖК / И. А. Сысоев [и др.] // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники / Девятая междунар. науч.-техн. конф. Дивноморское, Россия. 12 – 17 сентября 2004 г. Ч. 1. – Таганрог, 2004. – С. 247 – 248.
21.Сысоев, И. А. Моделирование получения наноразмерных гетероструктур на основе АIIIВV / И. А. Сысоев, А. А. Марченко // Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии / IV Междунар. науч. конф. Кисловодск, Россия. 19 – 24 сентября 2004 г. – Ставрополь : СевКавГТУ, 2004. – С. 209 – 211.
22.Obtaining features of photo diodes and solar elements on the basis of AlGaAs/GaAs nanostructures by a zone temperature gradient recrystallization method = Особенности формирования фотодиодов и солнечных элементов на основе наноструктур AlGaAs/GaAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры / Л. С. Лунин, И. А. Сысоев [и др.] // International Scientific Colloquium. – 11 – 15 September 2006. – Ilmenau : Technische Universitat Ilmenau. – P. 301 – 302.
23. Формирование непоглащающих окон в двойных лазерных гетероструктурах методом градиентной жидкофазной кристаллизации / И. А. Сысоев [и др.] // Нанотехнологии-производству – 2006 : тез. докл. конф. Фрязино. 29 – 30 ноября – М. : ЯНУС – К, 2006. – С. 151 – 152.
24.Фотопреобразователи на основе субмикронных слоев AlGaPAs/GaAs, полученных методом градиентной жидкофазной кристаллизации / Л. С. Лунин, И. А. Сысоев [и др.] // Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии : тез. докл. VII междунар. научн. конфер. 17 – 22 сентября 2007 г. – Кисловодск – Ставрополь : СевКавГТУ, 2007. – C. 144 – 145.
25.Рост и морфология тонких эпитаксиальных пленок GaInAs<Bi>/InAs, выращенных в поле температурного градиента / Л. С. Лунин, И. А. Сысоев [и др.] // Кинетика механизм кристаллизации. Кристаллизация для нанотехнологий, техники и медицины / Тез. докл. V междунар. научн. конфер. 23 – 26 сентября 2008 г. – Иваново, 2008. – C. 154.
26.Изопараметрические линии пятикомпонентного твердого раствора AlGaInAsP/GaAs / И. А. Сысоев [и др.] // Журнал научных публикаций аспирантов и докторантов. ISSN 1991-3087, подписн. индекс 42457. – 2009. № 2, февраль.