- Показано, что методика измерения потока ионов падающих на поверхность на основе измерений постоянного потенциала смещения и ВЧ мощности в реакторе плотной химически активной плазмы ВЧ индукционного разряда является эффективным способом контроля плазменных процессов формирования ВА микронаноструктур. .
- Результаты исследования коэффициента передачи энергии низкоэнергетических ионов (Ei<200 эВ) атомам поверхности Si, SiO2, Si3N4 в плазме Ar, О2 и С4F8;
- Результаты экспериментального исследования ионно-инициированного травления полимерных пленок в кислородсодержащей плазме низкого давления. Рециклический механизм образования атомов кислорода на стенках реактора. Критерий реализации ионно-инициированного, анизотропного травления полимерной пленки.
- Результаты экспериментального исследования высокоаспектного травления Si, SiO2 во фторуглеродной плазме в реакторе с горячими стенками. Показано, что увеличение температуры стенок экрана до 500 К в реакторе в результате их нагрева плазмой во фторуглеродной плазме С4F8 ведет к увеличению концентрации легких радикалов СF2, потока ионов СF+, к увеличению селективности травления SiO2/Si. Механизм химического распыления SiO2 с учетом фторуглеродной, наноструктурированной фторсодержащей пленки на его поверхности.
- Метод моделирования плазменных процессов травления и осаждения, основанный на методе ячеек для эволюции профиля поверхности и методе Монте-Карло генерации потоков плазмы. Результаты моделирования ионно-стимулированных процессов осаждения и травления фторуглеродной полимерной пленки в плазме С4F8 и SF6.
-
Эффекты и методы формирования Si микроструктур со сверхвысоким аспектным отношением (A>50) в циклическом, травление/пассивация процессе в плазме С4F8/SF6, результаты моделирования такого процесса.
- Механизм самоформирования фторуглеродных нанонитей в циклическом двухстадийном травление/пассивация процессе.
2.Amirov I.I., Izyumov M.O. Etching of microelectronic materials in a reactor with RF –inductive plasma source of at low pressure.// Third Russian-Chinese Symposium. Kaluga.Russia.1995. P.82
3.Амиров И.И., Изюмов М.О. Характеристики травления SiO2 и Si во фторуглеродной плазме ВЧ-индукционного разряда пониженного давления. // Микроэлектроника. 1996. Т.25. №3. С. 233-239
4.Амиров И.И. Ионно-химическое травление кремния и окиси кремния в многокомпонентной плазме. // Материалы 13 Международной конференции “Взаимодействие ионов с поверхностью” М. 1997. С.149-152.
5.Амиров И.И,, Плазменное травление материалов в индуктивной плазме для целей микротехнологиии. //Тезисы докладов 3 Международной конференции “Микроэлектроника и информатика” Москва, Зеленоград. 1997. с.145-146
6.Амиров И.И. Ионно-химическое травление кремния и диоксида кремния в многокомпонентной плазме. Труды ФТИАН. – М.Наука, 1997.Т.12.С.19-36.
7.Амиров И.И Федоров В.А., Буяновская П.Г., Изюмов М.О., Савинский Н.Г. Травление плазмополимеризованных кремнийсодержащих органических пленок в кислородной плазме. // Тезисы докладов 8 Международного Симпозиума “Тонкие пленки в электронике” Харьков.1997. С.34.
8.Амиров И.И, Магунов А.Н.. Теплообмен плазмы низкого давления с поверхностью. IX Конф. по физике газового разряда. Рязань. 1998. Ч.1. С.126-127.
9.Amirov I.I., Izyumov M.O. The influence of ion stocked on erosion polymer films in oxygen ICP torch. // 5 European Conference on Thermal Plasma Processes. St.Peterburg. 1998. Р. 235
10.Amirov I.I., Iziomov M.O. The investigation of oxygen ICP torch at low pressure and in a heterogeneous magnetic fild. //Proceedings of Fifth European Conference on Thermal Plasma Processes. // S.Petersburg. 1998. Р.236.
11.Амиров И.И.,.Изюмов М.О., Бердников А.Е. Процессы травления резистов в ректоре с ВЧ-индуктивным источником плазмы. // Микроэлектроника. 1998. Т.27. №1. С. 22-27.
12.Амиров И.И., П.Г.Буяновская Особенности травления пленки полиамидокислоты в кислородной и аргоновой плазме ВЧ индуктивного разряда. // Химия высоких энергий. 1998. Т. 32. №5.С. 424-425.
13.Амиров И.И., Федоров В.А., Савинский Н.Г., Буяновская П.Г., Изюмов М.О. Травление плазмополимеризованных кремнийсодержащих органических пленок в кислородной плазме. // Химия высоких энергий. 1998. Т.34. .№5 .С. 235-244.
14.Амиров И.И., Изюмов М.О. Ионно-инициированное травление полимерных пленок в кислородсодержащей плазме высоко-частотного индукционного разряда. // Химия высоких энергий. 1999. Т. 33.№2. Р.147-151.
15.Амиров И.И., Изюмов М.О., Морозов О.В., Федоров В.А. Плазмохимические процессы травления тонких пленок в реакторе с ВЧ индукционным источником плазмы. // Тезисы докладов V Российской научно-технической конференциии “Высокие технологии в промышленности России.”Москва. МГТУ им. Баумана. 1999. С. 236-238.
16.Амиров И.И. О механизме взрывного травления пленки полиамидокислоты в неравновесной кислородной плазме. // Журнал технической физики. 2000. Т. 20. Вып.5. С. 106-108.
17.Амиров И.И., Буяновская П.Г. Нестационарный совместный процесс травления и имидизации пленки полиамидокислоты в неравновесной кислородной плазме.// Химия высоких энергий. 2000. Т. 34. №6. С.451-455.
18.Амиров И.И., Федоров В.А Анизотропное травление субмикронных структур в резисте в кислородcодержащей плазме ВЧ индукционного разряда. // Микроэлектроника. 2000. Т. 29. №1. С.32-41.
19.Амиров И.И., Федоров В.А.Создание 0.5 мкм структур методом «сухой» электроно-литографии и плазменных анизотропных процессов травления. // Микроэлектроника. 2000. Т. 29. №5. С. 311-315.
20.Морозов О.В., Амиров И.И Осаждение пленок SiO2 в SiH4+O2 плазме ВЧ-индукционного разряда низкого давления. // Микроэлектроника. 2000. Т.29. №3. С.153-158.
21.Magunov A.N., Amirov I.I. Effect of surface material and temperature on heat power transferred with ion flux from low-pressure plasma. // Proc.XXV ICPIG. Nagoya, Japan, 2001.V.1.P.79-80.
22.Амиров И.И., Магунов А.Н. Температурная зависимость мощности, переносимой ионным потоком из плазмы на поверхность. // Материалы XXVIII Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС. Звенигород. 2001. p.1.
23.Амиров И.И Современные плазменные процессы травления технологии микроэлектроники. // В. сб. тезисов докладов первой Всероссийской конференции «Прикладные аспекты химии высоких энергий». Москва. 2001. С.87-88.
24.Амиров И.И., Морозов О.В., Изюмов М.О. Плазмохимические процессы травления и осаждения материалов микроэлектроники в реакторе высокоплотной плазмы. // Сборник материалов 3 Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии.Т.2. Плес. Иваново.2002. Р.484- 485.
25.Амиров И.И., Морозов О.В. Эффект образования выступов на дне канавок в SiO2 при травлении в высокоплотной фторуглеродной плазме. // Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции «Микро- и наноэлектроника 2001». Звенигород, октябрь 2001.
26.Amirov I.I., Izyumov M.O., Morozov O.V., Shumilov A.S. Formation of micro- and nanostructures in Si and SiO2 using plasma etching and deposition process. // International Conference ”Micro-and nanoelectronics -2003” Moscow, Zvenigorod,Russia. P.O2-50.
27.Амиров И.И., Шумилов A.C. Влияние ионной бомбардировки на травление канавок в кремнии в высокоплотной фторуглеродной плазме. Материалы XVI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью» Москва. 2003. Т.2. С.302-305.
28.Amirov I.I., Zhuravlev I.V., Kibalov O.S., Lepshin P.A., Smirnov V.K. // Plasmachеmical etching of wave-orderid structure formed on amorfhous silicon surface by nitrogen ion bombudment. Phys.Low-Dim.Struct., 2003. V.9/10. P.51-58.
29.Амиров И.И., Морозов О.В., Изюмов М.О. Травление кремния и диоксида кремния в высокоплотной плазме ВЧИ разряда низкого давления. // Химия высоких энергий. 2003. Т.37.№5. С.373-379.
30.Амиров И.И., Морозов О.В., Изюмов М.О., Кальнов В.А., Орликовский А.А., Валиев К.А. // Плазмохимическое травление глубоких канавок в кремнии с высоким аспектным отношением для создания различных элементов микромеханики. // Микросистемная техника. 2004. Т.12. С.15-18.
31.Амиров И.И. О механизме ионно-стимулированного травления SiO2, Si во фторуглеродной плазме. // Материалы XVII Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью» Звенигород. 2005. С. 299-302
32.Амиров И.И., Морозов О.В., Изюмов М.О Анизотропное травление глубоких канавок в кремнии во фторсодержащей плазме. // Сборник трудов 4 Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии.Т.2. Иваново.2005. С.653-656.
33.Амиров И.И., Алов Н.В. Осаждение фторуглеродной полимерной пленки в низкотемпературной C4F8+SF6 плазме ВЧИ разряда. // Сборник трудов 4 Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии.Т.2. Иваново.2005. С.653-656.
34.Амиров И.И., Морозов О.В., Изюмов М.О., Кальнов В.А., Орликовский А.А., Валиев К.А. //Плазменные процессы глубинного травления Si и SiO2 для целей микротехнологии. // Квантовые компьютеры, микро– и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование. Ред. Орликовский. М.Наука, 2005 (ФТИ АН; Т18). С.173-189.
35.Патент на изобретение №2293796. Плазмохимический реактор низкого давления для травления и осаждения материалов. 11.01.2005 г.
36.Патент на изобретение №2300158. Способ формирования субмикронной и нанометровой структуры. 9.06.2005 г.
37.Амиров И.И., Алов Н.В. Осаждение фторуглеродной полимерной пленки в плазме высокочастного индукционного разряда в перфторциклобутане и его смесей с гексафторидом серы. // Химия высоких энергий. 2006. Т.36. №4. С.35-39.
38.Шумилов А.С., Амиров И.И.. Моделирование формирования глубоких канавок в кремнии в плазмохимическом, циклическом травление/пассивация процессе // Микроэлектроника. 2007. Т.36. № 4. С. 295-305.
39.Амиров И.И. Формирование микроструктур со сверхвысоким аспектным отношением в кремнии в циклическом травление/пассивация процессе в плазме SF6/C4F8. // Тезисы доклада V Международной конференции по актуальным проблемам физики и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. «КРЕМНИЙ -2008». Черноголовка. 2008. С.196.
40.Шумилов А.С., Амиров И.И., Лукичев В.Ф. Моделирование формирования глубоких с разным профилем канавок в кремнии в плазмохимическом, циклическом процессе. // Труды V Международного Симпозиума по плазмохимии. Иваново. 2008. С.285-289.
41.Амиров И.И., Изюмов М.О. Влияние температуры стенки реактора на параметры фторуглеродной плазмы высокочастотного разряда низкого давления. // Труды V Международного Симпозиума по плазмохимии. Иваново. 2008. С.142-145.
42.Постников А.В., Косолапов И.Н., Куприянов А.Н., Амиров И.И., Магунов А. Н. Автоматизированный лазерный термометр для исследований плазменных процессов микротехнологии. // Приборы и техника эксперимента 2008. № 2. С. 173-176.
43.Амиров И.И, Шумилов А.С. Эффекты формирования сверхвысокоаспектных микроструктур в кремнии в циклическом процессе в плазме SF6/C4F8. // Труды V Международного Симпозиума по плазмохимии. Иваново. 2008. С.569-573.
44.Амиров И.И., Алов Н.В. Формирование микроструктур на поверхности кремния во фторсодержащей плазме в циклическом процессе травление/пассивация. Химия высоких энергий. 2008. Т.41.№4. С.164-168.
45.Амиров И.И., Шумилов А.С. Механизм формирования микроигл на поверхности кремния во фторсодержащей плазме в циклическом травление/осаждение процессе. // Химия высоких энергий. 2008. Т.41. №5. С. 446-450.
46.Амиров И.И., Морозов О.В., Постников А.В., Кальнов В.А., ОрликовскийА.А., Валиев К.А. Плазменные процессы глубокого травления кремния в технологии микросистемной техники. Труды ФТИАН. Квантовые компьютеры, микро-наноэлектроника. М.Наука. 2009. Т. 20. С.159-174.
47.Шумилов С.А., Амиров И.И., Лукичев В.Ф. Моделирование эффектов формирования глубоких канавок в кремнии в плазмохимическом циклическом процессе. Микроэлектроника. 2009. Т. 38. №6.С. 428-435.
48.Amirov I.I., Shumilov A.S., Kupriayanob A.N., Lukichev V.F. Modelling of plasma reactive ion etching of ultra high aspect ratio Si trenches. “Micro- and nanoelectronics – 2009”. 2009, Moscow-Zvanigorod, Russia. Book of abstracts, O3-22.