- Поворот плоскости поляризации, вызванный наличием оптически активной реды, которая расположена между линейным поляризатором и отражающей гладкой ктрика, после отражения усиливается от нескольких диниц до десятков раз в зависимости от угла падения светового пучка на образец (диэлектрик).
- Проблема одновременного определения показателя преломления и толщины наноразмерных слоев решаема при использовании в качестве подложки кристаллического кварца, вырезанного параллельно его оптической оси, когда проявляется максимальная оптическая анизотропия. Решение осуществимо с помощью предложенного алгоритма определенияпоказатлейпреломления (дл обыкновенной и необыкновенной волн) одноосного кристалла с одновременным опной пленки на его поверхности. При этом эффективная толщина пленки рассчитывается с точностью до единиц нм.
- Теоретическая предельная точность эллипсометрических измерений в определении показателей преломления жек из одноосных кристаллов при условии устранения несовершенств оптических элементов эллипсометра.
- Осуществимо нахождение инвариантных точек комплексной дробно-линейной функции с комплексными коэффициентами без предварительного знания ее коэффициентов. Сказанное утверждение следует из сформулированной теоремы и ее доказательства, суть ой заключается в том, то из последовательного ум ортогональных значений прямой и обратной функций определяются инвариантные точки дробно - линейной функции.
- При прохождении линейно поляризованного света через непросветленную анизотропную плоскопараллельную пластинку вследствие многократного отражения внутри пластинки возникает неполяризованная компонента. Интенсивность неполяризованной компоненты зависит от значения сдвига фаз δ, который приобретает световой пучок ждении через анизотропную пластинку и от величины азимута вектора электрического поля γ относительно ее оптической оси. Она максимальна при δ=π/2, 3π/2, и γ=(2m+1)π/4.
- При сочетании поляриметрии и эллипсометрии реализуемы измерения показателей преломления обыкновенной (no) и необыкновенной (ne) волн 11 точно мления от толщины) скрыта релье атур. Рассчитанные в прибл о е подтверждается результатами численных экспе патентах РФ [35-4 а б а . иссертационной работы доложены и обсуж стью до 10 -5и чувствительностью до 10-7. При этом одновременно определяется толщина фазосдвигающей пластинки с точностью до единиц нм.
- По мере уменьшения толщины пленки (в диапазоне < 20-40 нм), нанесенной на поверхность подложки, уменьшается ее эффективный показатель преломления. Истинная причина такой зависимости (уменьшение показателя прело фом и дефектами атомного строения реальных поверхностей и границ раздела, что обычно интерпретируется влиянием «подготовки» подложки.
- Отжиг слоев SiO2, имплантированных ионами Si, приводит к формированию светоизлучающих нанокристаллов Si в их объёме и к изменению оптических констант слоев на каждом шаге отжига во всем изученном интервале темпер ижении Бруггемана изменения показателей преломления и затухания избыточной фазы Si соответствуют тдльным стадиямформирования нановыделений.
2. Миронов Ф.С., Семененко А.И., Хасанов Т. Юстировка эллипсометра с фиксированным углом падения света на образец // Опт. и спектр
3. Свиташев К.К., Хасанов Т. Измерение малых вращений плоскости поляризации // Опт. и спектр. 1983.Т.54. Вып.3. С. 538-539.
4. Мардежов А.С., Свиташев К.К., Хасанов Т. Компенсатор для спектральных Опт. и спектр. 1984. Т.57. Вып.2. С. 366-368.
5. Любинская Р.И., Мардежов А.С., Свиташев К.К., Хасан остоянных одноосных кристаллов с учетом поверхностной изотропной пленки из эллипсометрических измерений // Опт. и спектр. 1985. Т.59. Вып.2. С. 353-356.
6. Свиташ ллипсометра // Опт. и спектр. 1986. Т.61. Вып.2. С. 399-401.
7. Рыхлицкий С.В., Свиташев К.К., Соколов тражения на работу фазовой кварцевой пластинки // Опт. и спектр. 1987. Т.63. Вып.5. С. 1092-1094.
8. Хасанов Т. Об использовании из Опт. и спектр. 1988. Т.64. Вып.5. С.1087-1094.
9. Любинская Р.И., Мардежов А.С., Свиташев К.К., Хасанов Т. Определение четырех параметров системы изотропная пленка–ориентированн спектр. 1988. Т.65, Вып.3. С.632-636.
10. Свиташе К.К., Хасанов. Измерение деполяризованнойомпоненты, возникащей при прохождении линейно поляризованного света через плоск пластинку // От. ипектр. 1989.66. Вып.1. С.218-220.
11. Вострикова Л.И., Махмудиан М.М., Свешникова Л.Л, Хасанов Т. Исследование оптической анизотропии пленок Ленгмюра-Блоджетт по эллипсометрии // Опт. и спектр. 1997. Т.82. Вып.5. С.849-853.
12. Хасанов Т., Мардежов А.С., Яновская С.Г Качурин Г.А., Kaitasov O., Эллипсометрические исследования отжига сл нанокристаллов Si // Опт. и спектр. 2001. Т.90. Вып. 6. С.924-927.
13. Хасанов Т. Способ точного из параметров компенсатора // Опт. и спектр. 2007. Т.102. Вып.1. С.1138-141.
14. Мутилин С.В., Хасанов Т. Показатель прело Опт. и спектр. 2008. Т.105. Вып.3. С.512-517.
15. Хасанов Т. Оп 1992. Т.37. Вып.4. С.1041-1043.
16. Хасанов Т. Применение дробно-линейной функции для решения некоторых задач физики и техники
17. Хасанов Т. Закон Малюса и несовершенство линейного поляризатора //ДАН. 1999. Т.365, Вып.3. С.333-335.
18. Атuchin V.V., Hasanov T., Kesler V.G., Kokh A.E., Pokrovsky L.D. Amorphization and chemical modification of (beta)-BaB2 387-394.
19. Хасан кристаллов // Радиотехника и электроника. 2007. Т.52. Вып.9. С.1160-1166.
20. Хасанов . Определение собственных поляризаций поляризующих оптических систем // Автометрия. 1997. Вып.1. С.34-43.
21. Хасанов Т. Аттестация и средства контроля эллипсометров // Автометрия. 1997. Вып.1. С.81-95.
22. Атучин Оптические свойства пленок TiO2 // Фундаментальные проблемы современнго материаловедения. 2006.Т.3. Вып.2. С. 109-111.
23. Хасанов Т. Кристаллизация аморфной пленки SiO2 на поверхности кристаллического кварца» // Фундаментальные проблемы современного мат С.122-127.
24. Атучи В.В., Гаврилова Т.А.,КочубейВ.А., Покровский Л.Д.,Хасанов Т., Микроморфология, структурные и оптические характеристики пленки Mo2N на крем полученной методом реактивного магнетронного распыления // Фундаментальные проблемы современного материаловедения .2007. Т.4. Вып.4.С.26-30.
25. Кочубей В.А., Покровский Л.Д., Хасанов Т. Структура и оптические свойства пл 30
26. Атучин В.В., Кочубей В.А., Покровский Л.Д., Хасанов Т. Структурные и оптические характеристики пленок V2O5 полученных реактивным магнетронным распылением» // Фундаментальные проблемы современного м 27. Атучин В.В., Кочубей В.А., Покровский Л.Д., Сенченко Е.С., Хасанов Т. Оптические параметры пленок нитрида молибдена // Фундаментальные проблемы сов материаловедения. 2008. Т.5. Вып4.С 33-36.
28. Атучин В.В., Хасанов Т. Высокоточный бесконтактный метод определения обата лития // Опт. и спектр.. 2009. Т.107. Вып.2. С
29. Григорьева Т.И., Хасанов Т.Х. Оптические постоянные наноразмерных пленок металлического титана // Опт. и спектр. 2010. Т.108. Вып.4. С. 629-636.
30. Мардежо А.., Семененко А.И., Свиташев К.К., Хасанов Т. Температурная зависимость параметров компенсатора // Эллипсометрия – тод исследованияповерхности. Новосибирск. Наука. 1983. C.137-140
31. Хасанов Т. Определене араметров фазовой пластинки и однозонная методика эллипсометрических измерений. Эллипсометрия: теория, методы, приложения.: Новосибирск. Наука. 1987. C.79-83.
32. Атучин В.В. Хасанов Т. Определение показателей преломления на поверхности планарных оптических волноводов типа LiNbO3 методом эллипсометрии // Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск. Наука. 1987. C. 171-174.
33. Хасанов Т. Определение линейного дихроизма и двулучепреломления при наличии оптической активности в плоскопараллельной пластинке из одноосного кристалла // Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск. в Т. К вопро пластинки для спектральных эллипсометрических измерений // Элл методы, приложения. Новосибирск. Наука. 1991. С.102-107.
ПАТЕНТЫ
35. Свиташев К.К., Хасанов Т. //А. c. № 868498, БИ №36
36. Мардежов А.С., Хасанов Т. //А. c. № 1260697, БИ №36, с. 152 (1986).
38. Хасанов Т. //А. с. №1829824, БИ №14, с. 486 (2000). асанов Т. //Па (2006).
40. Хасанов Т. //Патент № 2308066 РФ, БИ №28, с. 662 (2007).
ПРЕПРИНТЫ
41. Григорьева Т.И., Зилинг К.К., Мардежов А.С., Хасанов Т. Эллипсометрическое определение толщины титана для целей волново СССР.3 – 85. Новосибирск.1985.10 с.