- Модель токопереноса в гетероструктуре In2O3-ZnSe-In с субмикронным слоем селенида цинка, учитывающая как процессы, происходящие на границах, так и неоднородности потенциального рельефа зон.
- Выборка экспериментальных результатов, подтверждающих предложенную модель.
- Результаты сравнения теории с результатами разноплановых исследований практически значимой In2O3-ZnSe-In.
- Корреляционные связи между температурой и характером случайного потенциала рельефа зон пленок селенида цинка (под влиянием отжига увеличивается амплитуда неоднородности и изменяется характер потенциального рельефа зон).
- Модель электронных процессов в гетероструктуре In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In .
- Совокупность экспериментальных данных, подтверждающих предложенную модель и свидетельствующих, о том что гетероструктура In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In является неупорядоченной системой со сложным характером изменения зон по толщине, содержащих случайный потенциал, в формировании которого вносят вклад флуктуации состава твердого раствора; -гетероструктура In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In содержит высокую концентрацию примесных уровней, образующих примесную зону, токоперенос в которой определяет темновую проводимость гетероструктуры при низких температурах.
- На примере сложной гетероструктуры In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In развита феноменология инжекционно- контактных и электронных явлений в неупорядоченных системах, демонстрирующая возможности и условия инверсии проводимости отдельных слоев под влиянием друг друга.
2.Беляев, А.П. Структура пленок твердых растворов селенотеллуридов кадмия, выращенных методом теплового экрана при резко неравновесных условиях [Текст] / А.П. Беляев, В.П. Рубец, В.В.Антипов, Х.А. Тошходжаев // Физика и техника полупроводников. // - 2009.- Т.43.- №6.- С.735-738
3.Беляев, А.П. Зародышеобразование и рост гетерограницы в поле упругости при резко неравновесных условиях [Текст] / А.П. Беляев, В.П. Рубец, В.В.Антипов, Х.А. Тошходжаев // Неорганические материалы. - 2009.-Т. 45.- №4.- С.404-407
4.Тошходжаев, Х.А. Кристаллическая структура и энергетические диаграммы полупроводниковых систем In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y [Текст] / Х.А. Тошходжаев, А.П. Беляев, В.П. Рубец, В.В.Антипов // Деп. в ВИНИТИ РАН от 19.10.2007.- №981-В2007.Ред. Ж. Прикл. химия РАН.
5.Тошходжаев ,Х.А. Электрофизические и оптические методы исследования полупроводниковых структур на основе неупорядоченных пленок [Текст] / Х.А. Тошходжаев, А.П. Беляев, В.П. Рубец, В.В.Антипов // Деп. в ВИНИТИ РАН от 07.11.2007. -№1041-В2007.Ред. Ж. Прикл. химия РАН
6.Беляев, А.П. Сравнительный анализ механизмов формирования межфазной границы пленочной структуры в равновесных и резко неравновесных условиях [Текст]/А.П. Беляев, В.П. Рубец, В.В.Антипов, Х.А. Тошходжаев// Физика и техника полупроводников. // - 2008.- Т.42.- В.5.- С.519-521
7.Тошходжаев, Х.А. Энергетическая диаграмма и проводящие свойства гетероструктуры In2O3-ZnSe-In [Текст] / Х.А. Тошходжаев, А.П. Беляев, В.П. Рубец, В.В.Антипов // Ред. Ж. Прикл. химии РАН – СПб. – 2с.25: ил. - Библиогр. Назв. 12 – Рус. – деп. в ВИНИТИ, 28.09.2007, №929-В2007, Библиограф. Указатель. «Депонированные научные работы» №11 за 2007, в РЖ «Физика» 29.
8.Беляев, А.П. Процессы токопереноса в пленках на основе теллурида кадмия синтезированы при низких температурах эпитаксии [Текст] / А.П. Беляев, В.П. Рубец, Х.А. Тошходжаев, К.К. Муравьева, И.П. Калинкин // Тезисы докл. Республиканской научно-практической конференции молодых ученых и специалистов.-Душанбе.-1989.-С.76-78.
9.Беляев, А.П. Особенности представления процессов токопереноса в неоднородных полупроводниках на основе теллурида кадмия [Текст] / А.П. Беляев, В.П. Рубец, Х.А. Тошходжаев, К.К. Муравьева, И.П. Калинкин// Тезисы докл. Всесоюзной научной конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках.-Ташкент.-1989.-С.377
10.Беляев, А.П. Неравновесные процессы в неоднородных полупроводниках на основе теллурида кадмия [Текст]/ А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, И.П. Калинкин// Тезисы докл. Всесоюзной научной конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. –Ташкент.- 1989.-С.400-401.
11.Беляев А.П. Инжекционные токи в твердых растворах на основе теллурида кадмия и цинка [Текст] / А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, И.П. Калинкин // Деп. в ВИНИТИ 25.07.1990г.- №4196-В90. Москва.
12.Беляев, А.П. Вакуумный синтез ориентированных пленок А2В6 на подложках, охлажденных до отрицательных температур [Текст] / А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин // Тезисы докл. III Всесоюзной конференции по физике и технологии тонких полупроводниковых пленок. - Ивано-Франковск.- 1990.-Ч.1.-С.89.
13.Беляев, А.П. Анизотропия проводимости и другие электрофизические свойства пленок твердых растворов на основе теллурида кадмия, синтезированных на подложке, охлажденной до отрицательных температур [Текст] / А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин // Тезисы докладов III Всесоюзной конференции по физике и технологии тонких полупроводниковых пленок. -Ивано-Франковск, 1990.-Ч.2.-С.249
14.Беляев, А.П. Фотоэлектрические свойства гетероструктуры, используемой для высокочувствительной мишени типа "ньюкосвикона" [Текст] / А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, Г.А. Ефимов, И.П. Калинкин //Деп. в ВИНИТИ 05.07.1991.-№2878-В91.-Москва.
15.Беляев, А.П. Электрофизические свойства реальных гетероструктур на основе теллуридов кадмия и цинка [Текст] / А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин //Деп. в ВИНИТИ 09.10.91.-№3907-В91.- Москва.
16.Беляев, А.П. Электрические свойства неоднородных полупроводников Zn1-xCdxTe [Текст] / А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, И.П. Калинкин // Материалы республиканской научно-практической конференции молодых ученых и специалистов Таджикистана.-Ленинабад.-1990.-С.49.
17.Беляев, А.П. Способ получения пленок твердых растворов на основе теллуридов кадмия и цинка [Текст]/А.П. Беляев, В.П. Рубец, Х.А. Тошходжаев, К.К. Муравьева, И.П. Калинкин // А.С. СССР №1752121.- 1990г.
18.Беляев, А.П. Электрофизические свойства гетероструктуры In2О3-ZnSe-In и влияние на них отжига [Текст]/А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин // Деп. в ВИНИТИ 26.03.92.-№1043-В92.-Москва.
19.Беляев, А.П. Влияние условий получения на фотоэлектрические свойства гетероструктур ZnSe/CdTe/(ZnTe)1-x(In2Te3)x [Текст]/А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, И.П. Калинкин // Изв. АН. СССР Серия "Неорганические материалы".-1992.-Т.28.-№7.-С.1575-1576.
20.Беляев, А.П. Стенд оперативного контроля мишеней видиконов [Текст] / А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, И.П. Калинкин, М.Д. Воронцов, В.П. Рубец // Заводская лаборатория.-1992.-№4.-С.42-43.
21.Беляев, А.П. Процессы токопереноса в гетероструктуре In2O3-ZnSe-In с субмикронным слоем селенида цинка [Текст]/А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, В.П. Рубец // Физика и техника полупроводников.-1992.-Т.26.-№5.-С.935-941.
22.Беляев, А.П. Инжекционно- контактные явления в гетероструктуре на основе неупорядоченного селенида цинка [Текст]/А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, В.П. Рубец // Физика и техника полупроводников.-1992.-Т.26.-№10.-С.1755-1759.
23.Беляев, А.П. Особенности зарождения и роста пленок твердых растворов (Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y [Текст]/А.П. Беляев, В.П. Рубец, С.А. Кукушкин, Х.А. Тошходжаев, И.П. Калинкин // Поверхность. – 1992. - №10-11. - С.26-29
24.Тошходжаев Х.А. Особенности структуры А2В6 [Текст] / Х.А. Тошходжаев, Н. Мухиддинов // Внутривузовский СБ. "Актуальные проблемы физики".-Худжанд.-1993.-С.41-44.
25.Беляев, А.П. Инверсия типа проводимости слоя селенида цинка в гетероструктуре In2O3-ZnSe -(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y [Текст] / А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин //Физика и техника полупроводников.-1993.-Т.27.-№3.-С.527-532.
26.Беляев, А.П. Туннельный эффект как причина тока, ограниченного контактной эмиссий в гетероструктуре In2O3-ZnSe -(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y –In [Текст] / А.П. Беляев, Х.А. Тошходжаев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин // Физика и техника полупроводников.-1993.-Т.27.-№3.-С.532-534
27.Тошходжаев, Х.А. Процессы токопереноса в гетероструктуре In2О3-ZnSe-In [Текст] / Х.А. Тошходжаев, А. Сангинов //Тезисы докладов в научно-практической конференции ТВТУ.-Худжанд.-1994.-С.54-57.
28.Тошходжаев, Х.А. Электрические характеристики гетероструктуры In2О3-ZnSe-In [Текст] / Х.А. Тошходжаев, Н.Р. Рабеджанов // Международная конференция "Совр. проблемы физики полупроводников и диэлектриков".ТашГУ.-Ташкент.-1995.-С.30.
29.Тошходжаев, Х.А. Инжекционные токи в твердых растворах на основе теллуридов цинка и кадмия [Текст] / Х.А. Тошходжаев, Р.Н. Назаров // Сборник трудов Международной конференции "Актуальные проблемы физики полупроводниковых приборов".-Ташкент.-1997.-С.37-41.
30.Тошходжаев, Х.А. Процессы конденсации и структуры пленок селенида цинка [Текст] / Х.А. Тошходжаев, М. Умаров // Сборник трудов II Международной конференции "Проблемы и прикладные вопросы физики".-Саранск.-1999.-С.67.
31.Тошходжаев, Х.А. Получение эпитаксиальных пленок теллурида кадмия на нагретых и охлажденных подложках [Текст] / Х.А. Тошходжаев, А.П. Беляев, В.П. Рубец // Материалы международной конференции «По современным проблемам физико-механических свойств конденсированных сред».-Худжанд.-2002.-С.39-40.
32.Тошходжаев, Х.А. Оптические свойства пленок твердых растворов теллурида и сульфида кадмия [Текст] / Х.А. Тошходжаев, А.П. Беляев, В.П. Рубец // М Материалы международной конференции «По современным проблемам физико-механических свойств конденсированных сред ».-Худжанд.-2002.-С.144.
33.Тошходжаев, Х.А. Температурные и термолюминесцентные свойства гетероструктуры In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In [Текст] / Х.А. Тошходжаев //«Учёные записки ХГУ имени акад.Б.Гафурова». - Худжанд.-2007.-№13.-С.51.
34.Тошходжаев, Х.А. Оптический край поглощения и его модификация в неупорядоченных пленках селенида цинка [Текст] / Х.А. Тошходжаев, С.Н. Каримов, М. Умаров //ДАН РТ.-2008.-Т.51.-№ 1.-С.34-38.
35.Тошходжаев, Х.А. Исследование процессов формирования неупорядоченных систем пленок твердых растворов (Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y в зависимости от условий конденсации методом теплового экрана [Текст] / Х.А. Тошходжаев // Материалы Международной конференции посвященной 100-летию академика С.У. Умарова «Современные проблемы физики ». – Душанбе. 2008.- С.96-100.
36.Тошходжаев, Х.А. Сравнительный анализ особенности ориентационной корреляции при конденсации твердых растворов на ориентирующую подложку [Текст] / Х.А. Тошходжаев, С.Н. Каримов, М. Умаров //ДАН РТ.-2007.-Т.50.-№ 11-12.-С.836-839.
37.Тошходжаев, Х.А. Анализ процессов токопереноса в гетероструктуре на основе неупорядоченного селенида цинка [Текст] / Х.А. Тошходжаев, С.Н. Каримов //ДАН РТ.-2008.-Т.51.-№ 7.-С.507-513.