- При имплантации кремния и арсенида галлия ионами P+, Se+, Sb+, As+, B+, Si+, Ga+ в широком диапазоне доз (1011 - 1015 см-2) и энергий (50 -150 кэВ) наблюдается трансформация спектра КР, соответствующая наличию различных типов разупорядоченных структур (монокристалл с точечными дефектами, аморфная матрица 7 с нанокристаллами, полностью аморфная фаза). Установлены зависимости степени аморфизации имплантированного слоя от дозы и типа ионов.
- Особенности, наблюдаемые в спектрах КР имплантированных кристаллов кремния, подвергнутых тепловому и лазерному отжигу, свидетельствуют о восстановлении кристаллической структуры имплантированного слоя и электрической активации примеси. Установлены пороговые значения плотности мощности лазерного излучения, необходимые для рекристаллизации.
- Перераспределение интенсивностей ТО-ТА компонент в спектрах КР аморфного кремния вблизи порога кристаллизации свидетельствуют об изменении структуры аморфной фазы. Указанные изменения носят общий характер и наблюдаются в a-Si при имплантации с дозами, превышающими порог аморфизации, при импульсном и непрерывном лазерном отжиге, а также в пленках a-Si при химическом осаждении паров (chemical vapor deposition - CVD) с помощью плазмы тлеющего разряда.
- Обнаруженные особенности КР в ионно-имплантированных монокристаллах n-GaAs, подвергнутых термическому отжигу, обусловлены рассеянием на связанных фонон- плазмонных модах.
- Спектры КР на связанных фонон-плазмонных модах в n-GaAs могут быть аппроксимированы с помощью предложенных аналитических выражений для продольной диэлектрической функции Линхарда-Мермина, учитывающей затухание Ландау и непараболичность зоны проводимости.
- В спектрах ФО двойных квантовых ям GaAs/AlGaAs с туннельно-прозрачными барьерами AlAs (толщиной 0.5-1.8 нм) наблюдается расщепление линий, возрастающее с уменьшением толщины барьера.
2. Авакянц Л.П., Бегишев А.Р., Горелик В.С., Образцова Е.Д. Разностная спектроскопия КР в приповерхностной области имплантированных кристаллов кремния.// Препринт ФИАН N 55, М., 1989. 25 С.
3. Авакянц Л.П. ,Образцова Е.Д.. Исследование механических напряжений в пористом кремнии методом разностной спектроскопии комбинационного рассеяния света.// ЖПС. 1988.Т.49, N 4. С.612-615.
4. Avakyants L.P., Obraztsova E.D., Demidovich G.B. Raman investigation of porous silicon suface during cw-laser irradiating. // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 64/65, 1993, 857-864.
5. Авакянц Л.П. , Киселев Д.Ф., Фирсова М.М. Разностная спектроскопия КРС в кварце, облученном в гамма-нейтронных полях. // ФТТ, т.29, в.8, 1987.
6. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В. Автоматизированная установка для регистрации спектров фотоотражения полупроводниковых структур с использованием двойного монохроматора. // ЖТФ, том 75(10), стр. 66-68, 2005.
7. Авакянц Л.П., Горелик В.С.,Образцова Е.Д., Хашимов Р.Н. Спектры комбинационного рассеяния приповерхностных слоев кремния, имплантированного селеном.// Краткие сообщения по физике ФИАН.1988, N 8. С.7-10.
8. Avakyants L.P., Gorelik V.S., Obraztsova E.D. Raman study of different phases in ionimplanted silicon.// J. of Molecular Structure. 1990. V.219. P.141-145.
9. Авакянц Л.П., Горелик В.С., Образцова Е.Д .Комбинационное рассеяние света в различных фазах имплантированного кремния, подвергнутого лазерному отжигу.// ФТТ. 1990. Т.32. N 5. С.1507-1510.
10. Avakyants L.P., .Gerasimov L.L., Gorelik V.S., Mania N.M., Obraztsova E.D., Plotnikov Yu.I. Raman scattering in amorphous silicon films // Journal of Molecular Structure, 267 (1992) 177- 184.
11. Avakyants L.P., Ivlev G.D.., Obraztsova E.D. "Raman study of laser-induced structure modifications of ion-amorphized silicon", Laser Interaction with Atoms, Solids, and Plasmas, edited by R.M.More, Plenum Press, New York, 1994, p.239-248.
12. Авакянц Л.П., Горелик В.С., Курова И.А., Червяков А.В. Упорядочение структуры гидрогенизированных пленок кремния под влиянием непрерывного лазерного облучения. // Физика твердого тела, 1997, том 39, № 12, С. 2152-2155.
13. Авакянц Л.П., Ефимов А.Д., Кравченко В.В., Прокопышин О.А., Ушаков Б.В. Аморфизация GaAs при имплантации ионами Si+ и Se+. // Физика и химия обработки полупроводников, 1991, N 2, С. 43-47.
14. Авакянц Л.П., Горелик В.С., Китов И.А., Червяков А.В. Комбинационное рассеяние света в арсениде галлия, ионно-легированном кремнием. // Физика твёрдого тела, 35, №5, 1354- 1362, 1993.
15. Авакянц Л.П., Горелик В.С., Поляков П.А. Комбинационное рассеяние света на связанных фонон – плазмонных модах в ионно-легированном арсениде галлия. // Краткие сообщения по физике ФИАН, 1999, вып. 3, cтр.24 – 31.
16. Avakyants L.P., Polyakov P.A., Gorelik V.S. Characterization of electrical and structural properties of ion-implanted GaAs by Raman scattering. Proc. SPIE 4070, 438, 2000.
17. Avakyants L.P., Polyakov, P. A.; Gorelik, V. S. Raman scattering from phonon-plasmon modes in gallium arsenide implanted by silicon ions Proc. SPIE Vol. 4069, p. 11-16, 2000.
18. Авакянц Л.П., Колмакова Т.П. диагностика концентрации свободных носителей эпитаксиальных пленок n-InxGa1-xAs методом комбинационного рассеяния света // Журнал Радиоэлектроники, Твердотельная Электроника, N 2, стр. 1-14, 2010.
19. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Волчков Н.А., Казаков И.П., Червяков А.В. Определение концентрации носителей в легированных слоях n-GaAs методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотоотражения. // Оптика и спектроскопия, том 102, №5, стр. 789-793, 2007.
20. Авакянц Л.П., Горелик В.С., Ефимов А.Д., Темпер Э.М., Щербина С.М. Комбинационное рассеяние света на фонон – плазмонных модах в легированных эпитаксиальных пленках арсенида галлия. // Краткие сообщения по физике ФИАН, вып.1, с. 11-15, 1990.
21. Авакянц Л.П., Горелик В.С., Темпер Э.М., Щербина С.М. Комбинационное рассеяние света в приповерхностном слое n-GaAs при имплантации ионов бора. // ФТТ том 41 (9), стр. 1495 – 1498, 1999.
22. Авакянц Л.П., Горелик В.С., Коршунов А.Б., Темпер Э.М. Исследование компенсации проводимости n-GaAs при имплантации ионами B+ методом фотоотражения. // Краткие сообщения по физике ФИАН, вып.2, с. 17-21, 1999.
23. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Червяков А.В. Исследование процесса активации ионно-имплантированного марганца в GaAs методами комбинационного рассеяния и фотоотражения. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2006, №7, стр. 91 – 94.
24. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Григорьев А.Т., Червяков А.В. Комбинационное рассеяние света как метод неразрушающего контроля поверхности GaAs (100) обработанной плазменным травлением. // Известия РАН, серия физическая, том 68, №3, стр. 451-453, 2004.
25. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Григорьев А.Т., Червяков А.В. Исследование методом фотоотражения полуизолирующих подложек GaAs, обработанных плазменным травлением. // Известия РАН, серия физическая, том 72, стр. 995-998, 2008.
26. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Казаков И.П., Червяков А.В Размерное квантование в гетероструктурах GaAs/AlxGa1-xAs по данным спектроскопии фотоотражения. // Вестник МГУ, сер.3, физика, астрономия, т.32, № 4, 2002, стр.48-50.
27. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Колмакова Т.П., Червяков А.В. Исследование встроенного электрического поля в напряженных сверхрешетках GaAs/GaAsP методом спектроскопии фотоотражения. // Вестн. Моск. Ун-та. Серия 3. Физика. Астрономия, том 1, стр. 48-50, 2004.
28. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Кульбачинский В.А., Мокеров В.Г., Червяков А.В. Исследование эффектов размерного квантования в связанных квантовых ямах AlxGa1-xAs/GaAs/ AlxGa1-xAs методом спектроскопии фотоотражения. // Оптика и спектроскопия, том 93, вып. 6 стр. 929-934 (2002).
29. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Кульбачинский В.А., Мокеров В.Г., Червяков А.В. Исследование электронных переходов в связанных квантовых ямах со 39 встроенным электрическим полем методом спектроскопии фототражения. // ФТП, том 37, вып. 1, стр. 77-82, 2003.
30. Avakyants L.P., Bokov P.Yu., Chervyakov A.V., Galiev G.B., Klimov E.A., Vasil’evskii I.S., Kul’bachnskii V.A. Interband optical transitions in GaAs modulation-doped quantum wells: photoreflectance experiment and self-consistent calculations. // Semicond. Scie. Technol. Vol. 20, p. 462 – 466, 2006.
31. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Бугаков И.В. , Колмакова Т.П. , Червяков А.В. Исследование d - легированных n-i-p-i-n структур GaAs методом спектроскопии фотоотражения. // Журнал Радиоэлектроники, Твердотельная Электроника, N 1, стр. 1-10, 2010.