- В квазиодномерном проводнике, ромбическом TaS3, вблизи температуры пайерлсовского перехода, TP, возникают спонтанные флуктуации проводимости, имеющие спектр типа 1/f. Флуктуации связаны с актами проскальзывания фазы волны зарядовой плотности (ВЗП), имеющими обратимый характер.
- Тепловое расширение TaS3 вблизи TP испытывает особенность, имеющую вид размытой ступени. Сделан вывод, что механизм разрушения трёхмерного порядка ВЗП есть следствие роста вероятности проскальзывания фазы ВЗП с повышением температуры.
- В образцах квазиодномерного проводника TaS3 нанометровой толщины при температурах существенно ниже TP срыв ВЗП с примесей (депиннинг) происходит без резкого порога. Данный эффект является следствием обратимого проскальзывания фазы ВЗП: каждый акт проскальзывания фазы приводит к локальному переносу заряда ВЗП. В то же время, депиннинг в таких образцах сохраняет пороговый вид существенно выше TP. Это связано с большими длинами флуктуаций параметра порядка ВЗП, достигающими поперечных размеров образцов и определяющими её временную когерентность.
- Создана оптическая интерференционная методика, позволяющая исследовать удлинение нитевидных кристаллов с чувствительностью не менее 5×10-7. Обнаружено, что тепловое расширение TaS3 имеет гистерезис, который достигает 5´10-5 и связан с деформацией ВЗП. Упругое взаимодействие ВЗП и основной решётки определяется зависимостью импульса Ферми от деформации решётки.
- Квазиодномерные проводники под действием электрического поля испытывают деформацию кручения (TaS3, (TaSe4)2I, K0.3MoO3) и изгиба (TaS3), которая обусловлена неоднородной деформацией ВЗП. Зависимость угла кручения от электрического поля носит пороговый гистерезисный характер. Для TaS3 сдвиговая деформация при этом достигает величины, соответствующей пьезомодулю более 10-6 м/В.
А2. Зайцев-Зотов С.В., Покровский В.Я. Релаксация метастабильных состояний и зарождение металлической фазы в результате образования центров проскальзывания фазы в TaS3.// Сб. трудов XXV Всесоюзной конференции по физике низких температур, Ленинград 1988. – Ч.3. – С. 112-113.
А3. Зайцев-Зотов С.В., Покровский В.Я.. Самолегирование в квазиодномерных пайерлсовских полупроводниках.// Сб. трудов XI Всесоюзной конференции по физике полупроводников, Кишинёв 1988. – Т.1.– С. 60-61.
А4. Pokrovskii V.Ya., Zaitsev-Zotov S.V. Inhomogeneous Spatial Structure of the CDW Metastable States: Step-Like and Continuous Temperature Evolution.// Synthetic Metals – 1989. –V. F439-444. – P. 39.
А5. Зайцев-Зотов С.В., Покровский В.Я. Уединенные двухуровневые флуктуаторы в сверхмалых образцах квазиодномерного проводника TaS3.// Письма в ЖЭТФ – 1989. –Т.49. – С.449-452.
А6. Pokrovskii V.Ya., Zaitsev-Zotov S.V. Critical-State Model for Pinned Charge-Density Waves: Conditions and Consequences of Phase Slip.// Synthetic Metals –1989. –V. 32. – P. 321-328
А7. Pokrovskii V.Ya., Zaitsev-Zotov S.V. Spontaneous Resistance Fluctuations and Transition of the Charge- Density Waves into Disordered State in o-TaS3 Nanosamples.// Europhys. Lett.– 1990. – V.13. – P. 361-366.
А8. Pokrovskii V.Ya., Zaitsev-Zotov S.V. Phase-Slip, Critical Fluctuations and Order-Disorder Transition of the CDW in o-TaS3. // Synthetic Metals. – 1991. – V.41-43. – P. 3899-3904.
А9. Zaitsev-Zotov S.V., Pokrovskii V.Ya., Gill J.C. Mesoscopic Behavior of the Threshold Voltage in Ultra-Small Specimens of o-TaS3.// Journ. Phys. I (France). – 1992. – V. 2 – P. 111-120.
А10. Pokrovskii V. Ya., Zaitsev-Zotov S. V., Monceau P., and Nad´ F. Ya. The anomalous growth of resistance fluctuations in o-TaS3 below the liquid-nitrogen temperature.// J.Phys.: Cond. Matter. – 1993. – V. 5. – P. 9317-9326.
А11. Pokrovskii V. Ya., Zaitsev-Zotov S. V., Monceau P., and Nad´ F. Ya. Spontaneous Resistance Fluctuations and Their Evolution Near the Threshold in o-TaS3 Below the Liquid-Nitrogen Temperature.// J. Phys IV (France) – 1993. V. 3. – P. 189-192.
А12. Pokrovskii V. Ya., Zaitsev-Zotov S. V. Comment on ´Metastable Length States of a Random System: TaS3´. // Phys. Rev. B. – 1994. – V. 50. – P. 15442-15444.
А13. Артеменко С. Н., Покровский В. Я., Зайцев-Зотов С. В. Электронно-дырочный баланс и полупроводниковые свойства квазиодномерных проводников с волной зарядовой плотности.// ЖЭТФ. – 1996. – Т. 110, №. 3. – С. 1069-1080.
А14. Pokrovskii V. Ya., Zaitsev-Zotov S. V., Monceau P. Threshold nonlinear conduction of thin samples of o-TaS3 above the Peierls transition temperature.// Phys. Rev. B. – 1997. – V. 55 – P. R13377-13380.
А15. Heinz G., Pokrovskii V. Ya, Goldbach M., Kittel A., Parisi J. Imaging the Spatial Structure of Metastable States in a Charge Density Wave System with the Scanning Electron Microscope.// Phys. Lett. A. –1997. – V. 236. – P. 583-588.
А16. Heinz G., Pokrovskii V. Ya, Goldbach M., Kittel A., Parisi J. Deformation of Charge Density Waves in Quasi-One-Dimensional Semiconductors Visualized by Scanning Electron Microscopy.// In: “A Perspective Look at Nonlinear Media in Natural and Social Science”, eds. J. Parisi, S. C. Mueller, and W. Zimmermann (Springer, Berlin). – 1997. – P. 339-347.
А17. Pokrovskii V. Ya., Zaitsev-Zotov S. V. Contributions of the spontaneous phase slippage to the linear and non-linear conduction near the Peierls transition in the thin samples of o-TaS3. // Phys. Rev. B. – 2000. – V. 61. – P. 13261-13265.
А18. Зайцев-Зотов С. В., Покровский В.Я., Монсо П. Переход к одномерной проводимости при уменьшении толщины кристаллов квазиодномерных проводников TaS3 и NbSe3. // Письма в ЖЭТФ. – 2001. Т. 73. – С. 29-32.
А19. Синченко А. А., Покровский В. Я., Зыбцев С. Г. Управление электронным спектром квазиодномерного проводника К0.3MoO3 с помощью микроконтакта. // Письма ЖЭТФ. – 2001. – Т. 74, № 3. – С. 191-194.
А20. Heinz G., Parisi J., Pokrovskii V. Ya., Kittel A. Visualizing the spatial structure of charge density waves via scanning electron microscopy. //Physica B: Condensed Matter. – 2002. – V. 315, № 4. – P. 273-280.
А21. Golovnya A. V., Pokrovskii V. Ya., Shadrin P. M. Coupling of the lattice and superlattice deformations and hysteresis in thermal expansion for the quasi-one-dimensional conductor TaS3.// Phys. Rev. Lett. – 2002. – V. 88. – P. 246401(1-4).
А22. Sinchenko A. A., Zybtsev S. G., Gorlova I. G., Latyshev Yu. I., Pokrovskii V.Ya., Monceau P. On The Critical Current For The Charge-Density Wave Transport.// J.Phys. IV France. – 2002. – V. 12. – P. Pr9-127-128.
А23. Sinchenko A A, Latyshev Yu I, Pokrovskii V Ya, Zybtsev S G., Monceau P. Micro-contact spectroscopy features of quasi-one-dimensional materials with a charge-density wave. // J. Phys. A: Math. Gen. – 2003. – V. 36 – P. 9311–9322.
А24. Golovnya A. V., Pokrovskii V. Ya. Interferometric setup for measurements of expansion of whisker-like samples. // Rev. Sci. Instrum. – 2003. – V. 74, №3. – P. 4418-4422.
А25. Pokrovskii V. Ya., Golovnya A. V., Zaitsev-Zotov S. V. Peierls transition as spatially inhomogeneous gap suppression. // Phys. Rev. B. – 2004. – V. 70, № 11. – P. 113106 (1-4).
А26. Головня А. В., Покровский В. Я. Методика исследования удлинения нитевидных квазиодномерных проводников и перспективы использования их в микроэлектромеханике. // Сб. трудов Молодёжной школы «Микросиситемная техника МСТ-2004». Санкт-Петербург – Таганрог. – 2004. – С. 37-42.
А27. Pokrovskii V. Ya., Gorlova I. G., Zybtsev S. G., Zaitsev-Zotov S. V. Variable-range-hopping-like transverse conductivity of the quasi one-dimensional conductor TaS3. // J. Phys. IV France. – 2005. – V. 131. – P. 185-187.
А28. Pokrovskii V. Ya. Distributed latent heat of the phase transitions in low-dimensional conductors. // J. Phys. IV France. – 2005. – V. 131. – P. 315-318.
А29. Синченко А. А., Покровский В. Я. Деформация волны зарядовой плотности вблизи микроконтакта с нормальным металлом. // ЖЭТФ. – 2005. – Т. 128. – С. 1288-1298.
А30. Sinchenko A. A., Pokrovskii V. Ya. Effect of commensurability on the CDW deformation near a point contact. // J.Phys.IV. – 2005. – V.131 – P. 227-229.
А31. Pokrovskii V. Ya., Meshkov G. B., Gorlova I. G., Zybtsev S. G., Odobesko A. B., Yaminsky I. V. Atomic-Force Microscope as an Instrument for Measurements of Thermal Expansion of Whisker-Like Samples. // In Proceedings of the Workshop „Recent developments in low dimensional charge density wave conductors“, Skradin, Croatia June 29.-July 3. – 2006. – P. 28-29.
А32. Pokrovskii V. Ya., Gorlova I. G., Zybtsev S. G., Zaitsev-Zotov S. V. Universal Variable-Range Hopping Along and Perpendicular to the Chains in the Quasi One-Dimensional Conductor o-TaS3. // In Proceedings of the Workshop „Recent developments in low dimensional charge density wave conductors“, Skradin, Croatia June 29.-July 3. – 2006. – P. 44-45.
А33. Sinchenko A. A., Pokrovskii V. Ya. Effects of strong deformation of a CDW in the vicinity of a point contact with a normal metal. // In Proceedings of the Workshop „Recent developments in low dimensional charge density wave conductors“, Skradin, Croatia June 29.-July 3. – 2006. – P. 16-17.
А34. Покровский В. Я., Зыбцев С. Г., Кузнецов А. П. Деформация квазиодномерных проводников в электрическом поле и методики её исследования. // Труды Научн. сессии МИФИ. М. – 2007. – Т. 4. – С. 37-38.
А35. Pokrovskii V. Ya., Zybtsev S. G., Gorlova I. G. Torsional Strain of TaS3 Whiskers on the Charge-Density Wave Depinning. // Phys. Rev. Lett. – 2007. – V. 98. – P. 206404.
А36 Покровский В. Я. Об огромном воздействии электрического поля на кристаллическую решетку квазиодномерных проводников с волной зарядовой плотности.// Письма ЖЭТФ. – 2007. – Т. 86, № 4 – С. 290-293.
А37 Pokrovskii V. Ya., Zybtsev S. G. Self-sensitive torsional microresonators based on a charge-density wave system. // arXiv:0708.2694v1 [cond-mat.str-el]., 1-10 – Режим доступа: http://arxiv.org/abs/0708.2694.
А38. Pokrovskii V. Ya., Zybtsev S. G., Gorlova I. G. Enormous torsional strain of one dimensional conductors under electric field: an alternate for the piezoelectric actuators? // Сб. трудов Международной конференции “Functional Materials” ICFM – 2007. Украина, Крым, Партенит. – 2007. – С. 221-222.
А39. Pokrovskii V. Ya., Zybtsev S. G, Loginov V. B., Timofeev V. N., Kolesov D. V., Yaminsky I. V., Gorlova I. G. Deformations of charge-density wave crystals under electric field. // Physica B. –2009. – V. 404. – P. 437–443 .
А40. Zybtsev S. G., Pokrovskii V. Ya., Nasretdinova V. F., Zaitsev-Zotov S. V. Gigahertz-range synchronization at room temperature and other features of charge-density wave transport in the quasi-one-dimensional conductor NbS3. // Appl. Phys. Lett. – 2009. – V. 94. – P. 152112 (1-3).