- Зависимость электрической емкости кремниевых гетероструктур с пленками гидрофильных диэлектриков (аморфного триоксида вольфрама, пористого кремния, ароматических полиамидов) от относительной влажности определяется количеством сорбированной воды и характером ее распределения в диэлектрических слоях.
- Методика адсорбционно-емкостной порометрии, основанная на анализе зависимости высокочастотной емкости МДП сенсора от давления паров воды как изотермы адсорбции, позволяет определить основные структурно-фазовые характеристики пористого кремния - объемную пористость, степень связности пор, долю оксидной фазы.
- Взаимодействие пористого кремния с водой, представляющее собой окислительно-восстановительный процесс, сопровождается ростом отрицательного электродного потенциала и выделением водорода в ионной и атомарной формах.
- Механизм объемной хемосорбции водорода аморфными пленками триоксида вольфрама включает процессы адсорбции, диссоциации, диффузии и последующие структурно-энергетические перестройки, приводящие к образованию водородно-вольфрамовых бронз HxWO3.
- Релаксация метастабильных электрически активных дефектов границы раздела структуры SiO2/Si, индуцированная видеоимпульсами электромагнитного излучения наносекундной длительности, в зависимости от энергии последних, приводит к появлению динамической или необратимой неравновесности вольтфарадных характеристик и изменению спектра поверхностных состояний.
- Электронная структура границы раздела монокристаллического кремния с высшими оксидами металлов (WO3-x, SnO2-x), сформированной в условиях дефицита кислорода, характеризуется моноэнергетическим уровнем на фоне непрерывного спектра плотности поверхностных состояний.
2*. Управление плотностью эффективного поверхностного заряда в МДП структуре с пленкой триоксида вольфрама / В.И. Кукуев, Е.А. Тутов, Э.П. Домашевская, М.И. Яновская, И.Е. Обвинцева, Ю.Н. Веневцев // ЖТФ. - 1987. - Т. 57, вып. 10. - С. 1957-1961.
3*. Изменения ближнего атомного порядка в пленках a-O3 в процессе окрашивания, адсорбции воды и в результате старения / В. И. Кукуев, Е.А. Тутов, М.В. Лесовой, Э. П. Домашевская // Кристаллография. - 1988. - Т. 33, вып. 6. - С. 1551-1552.
4*. Поверхностные состояния и заряд в МДП-структуре с пленкой триоксида вольфрама / В.И. Кукуев, Е.А. Тутов, М.В. Лесовой, Л.Ф. Комолова, Н.Ф. Шевцова, И.В. Разумовская // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1988. - № 11. - С. 87-92.
5. Влияние адсорбции воды на структуру аморфных пленок триоксида вольфрама / Я.А. Угай, В.И. Кукуев, Е.А. Тутов, И.А. Попова, М.В. Лесовой, Ю.Н. Перин // Физико-химия материалов и процессов в микроэлектронике : Сб. статей - Воронеж, 1989. - С. 37-47.
6*. Пленки высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-x, полученные методом плазменного нанесения / Г.П. Попов, Е.А. Тутов, О.Я. Слободенюк, А.М. Самойлов,
B.И. Кукуев // Сверхпроводимость: физика, химия, техника. - 1990. - Т. 3, № 6. - С. 1291-1296.
7*. Поверхностные и промежуточные слои в конденсатах YBa2Cu3O7-s / В.И. Кукуев, Ю.Я. Томашпольский, Э.П. Домашевская, В.И. Золотарева, И.Н. Неврюев, М.А. Севостьянов, Е.А. Тутов // Сверхпроводимость: физика, химия, техника. -1991. - Т. 4, № 10. - С. 1879-1883.
8.Отжиг ВТСП слоев токами высокой частоты / Е.С. Рембеза, А.В. Арсенов, М.В. Лесовой, Е.А. Тутов, Э.П. Домашевская, В.И. Кукуев // Тонкие пленки и нитевидные кристаллы: Межвуз. сб. науч. тр. - Воронеж, 1993. - С.24-31.
9*. Электронные процессы в гетероструктуре а-WO^Si при электро- и фотохромизме / Е.А. Тутов, В.И. Кукуев, А.А. Баев, Е.Н. Бормонтов, Э.П. Домашевская // ЖТФ. - 1995. - Т. 65, вып. 7. - С. 117-124.
10. Tutov E.A. Charge transfer processes in heterostructure a-WO3/Si during electro- and photochromism / E.A. Tutov, A.A. Baev // Applied Surface Science. - 1995. - V. 90. - P. 303-308.
11*. Тутов Е.А. Функциональные свойства гетероструктур кремний / несобственный оксид / Е.А. Тутов, С.В. Рябцев, Е.Н. Бормонтов // Письма в ЖТФ. - 1997. - Т. 23, вып. 12. - С. 7-13.
12.Functional applications of large-area heterostructures of monocrystalline silicon - disordered semiconductors / E.A. Tutov, A.A. Baev, S.V. Ryabtsev, A.V. Tadeev // Thin Solid Films. - 1997. -V. 296. - P. 184-187.
13.Tutov E.A. Bulk-surface gas sensors based on а-WO3 / E.A. Tutov, S.V. Ryabtsev, E.P. Domashevskaya // Proc. Eurosensors-XII, 1998, Southampton, UK. - Vol. 1. - P. 665-668.
14.Абсорбционная чувствительность аморфного триоксида вольфрама / Е.А. Тутов, C. В. Рябцев, А. Ю. Андрюков, А.В. Арсенов // Конденсированные среды и межфазные границы. - 1999. - Т. 1, № 3. - С. 256-259.
15*. Тутов Е.А. Детектирование диоксида азота аморфными пленками триоксида вольфрама / Е.А. Тутов, С.В. Рябцев, А.Ю. Андрюков // Письма в ЖТФ. - 2000. - Т. 26, вып. 3. - С. 38-43.
16*. Тутов Е.А. Неравновесные процессы в емкостных сенсорах на основе пористого кремния / Е.А. Тутов, А.Ю. Андрюков, С.В. Рябцев // Письма в ЖТФ. - 2000. - Т. 26, вып. 17. -С. 53-58.
17*. Тутов Е.А. Определение структурно-фазовых параметров пористого кремния из измерений емкости / Е.А. Тутов, А.Ю. Андрюков, В.М. Кашкаров // Журнал прикладной химии.
-2000. - Т. 73, № 7. - С. 1071-1074.
18*. Тутов Е.А. Адсорбционно-емкостная порометрия / Е.А. Тутов, А.Ю. Андрюков, Е.Н. Бормонтов // ФТП. - 2001. - Т. 35, вып. 7. - С. 850-853.
19*. Взаимодействие металлических наночастиц с полупроводником в поверхностно-легированных газовых сенсорах / С.В. Рябцев, Е.А. Тутов, Е.Н. Бормонтов, А.В. Шапошник, А.В. Иванов // ФТП. - 2001. - Т. 35, вып. 7. - С. 869-873.
20*. Тутов Е.А. Тонкие пленки аморфного триоксида вольфрама и гетероструктуры а-WO^Si для химических сенсоров / Е.А. Тутов, А.Ю. Андрюков, Э.П. Домашевская // Перспективные материалы. - 2001. - № 2. - С. 23-27.
21.Воздействие импульсного электромагнитного излучения наносекундного диапазона на полупроводниковые материалы и структуры / В.А. Терехов, Е.А. Тутов, А.Н. Манько, Э.П. Домашевская // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2001. - Т. 3, № 1. - С. 86-90.
22.Воздействие импульсного электромагнитного излучения наносекундного диапазона на полупроводниковые материалы и структуры / В.А. Терехов, Е.А. Тутов, А.Н. Манько, С.В. Бродский, С.Ю. Требунских, Э.П. Домашевская // Матер. VII Междун. науч.-техн. конф. "Радиолокация, навигация, связь". - Воронеж, 2001. - Т. 3. - С. 1771-1778.
23.Исследование механизмов сенсибилизации допированных газовых сенсоров / С.В. Рябцев, Е.А. Тутов, А.Н. Лукин, А.В. Шапошник // Сенсор. - 2001. - № 1.- С. 26-30.
24.Тутов Е.А. Фотостимулированная релаксация в газовых сенсорах на основе пористого кремния / Е. А. Тутов, С. В. Рябцев, А. В. Арсенов // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2002. - Т. 4, № 3. - С. 236-241.
25*. Взаимодействие пористого кремния с водой: хемографический эффект / Е.А. Тутов, М.Н. Павленко, И.В. Протасова, В.М. Кашкаров // Письма в ЖТФ. - 2002. - Т. 28, вып. 17. - С. 45-50.
26*. Влияние адсорбции паров воды на вольт-фарадные характеристики гетероструктур с пористым кремнием / Е.А. Тутов, Е.Н. Бормонтов, В.М. Кашкаров, М.Н. Павленко, Э.П. Домашевская // ЖТФ. - 2003. - Т. 73, вып. 11. - С. 83-89.
27*. Влияние сверхкоротких импульсов электромагнитного излучения на параметры структур металл-диэлектрик-полупроводник / В.А. Терехов, А. Н. Манько, Е.Н. Бормонтов, В.Н. Левченко, С.Ю. Требунских, Е.А. Тутов, Э.П. Домашевская // ФТП. - 2004. - Т. 38, вып. 12. -С. 1435-1438.
28*. МДП структура с полиамидным диэлектриком в условиях сорбции паров воды / Е.А. Тутов, Е.Н. Бормонтов, М.Н. Павленко, Г.А. Нетесова, Е.Е. Тутов // ЖТФ. - 2005. - Т. 75, вып. 8. - С. 85-89.
29.Тутов Е.А. Метод высокочастотных вольт-фарадных характеристик в исследованиях сенсорных гетероструктур / Е. А. Тутов, Е. Н. Бормонтов // Полупроводниковые гетероструктуры: Сб. науч. тр. - Воронеж, 2005. - С. 81-95.
30.ВЧ ВФХ кремниевых МДП структур с дефектными диэлектриками / Е.А. Тутов, Е.Н. Бормонтов, М.Н. Павленко, Е.Е. Тутов // Матер. XI-й междун. науч.-техн. конф. "Радиолокация, навигация, связь". - Воронеж, 2005. - Т. 1. - С. 532-541.
31.Тутов Е.А. Сенсорные гетероструктуры - объект и инструмент исследования / Е.А. Тутов // Сенсор. - 2005. - № 5. - С. 2-12.
32.Равновесные и неравновесные электронные процессы в химических сенсорах на основе пористого кремния / Е.А. Тутов, М.Н. Павленко, Е.Е. Тутов, В.М. Кашкаров, Е.Н. Бормонтов // Матер. XII-й междун. науч.-техн. конф. "Радиолокация, навигация, связь". - Воронеж, 2006. - Т. 2. - С. 1345-1350.
33.Кремниевые МОП структуры с металлоксидными полупроводниками / Е.А. Тутов, С.В. Рябцев, Е.Е. Тутов, Ф.А. Тума, Е.Н. Бормонтов // Матер. XII-й междун. науч.-техн. конф. "Радиолокация, навигация, связь". - Воронеж, 2006. - Т. 2. - С. 1351-1358.
34.Альтернативные оксиды для кремниевых МОП структур / Е.А. Тутов, С.В. Рябцев, Е.Е. Тутов, Ф.А. Тума, Е.Н. Бормонтов // Матер. VII-й междун. науч.-техн. конф. "Кибернетика и высокие технологии XXI века". - Воронеж, 2006. - Т. 1. - С. 258-262.
35*. Равновесные и неравновесные электродные процессы на пористом кремнии / Е.А. Тутов, М.Н. Павленко, Е.Е. Тутов, И.В. Протасова, Е.Н. Бормонтов // Письма в ЖТФ. -2006. - Т. 32, вып. 13. - С. 6-11.
36*. Оптические свойства нанослоев SnO2-x / Э.П. Домашевская, С.В. Рябцев, Е.А. Тутов, Ю.А. Юраков, О.А. Чувенкова, А.Н. Лукин // Письма в ЖТФ. - 2006. - Т. 32, вып. 18. - С. 7-12.
37*. Кремниевые МОП-структуры с нестехиометрическими металлоксидными полупроводниками / Е.А. Тутов, С.В. Рябцев, Е.Е. Тутов, Е.Н. Бормонтов // ЖТФ. - 2006. -Т. 76, вып. 12. - С. 65-68.
38.Материаловедческие основы создания абсорбционных химических сенсоров / Е.А. Тутов, В.И. Кукуев, Ф.А. Тума, Е.Е. Тутов, Е.Н. Бормонтов // Ползуновский вестник. - 2006. - № 2-1. - С. 115-120.
39.Обратимые и необратимые процессы при взаимодействии пористого кремния с водой / Е.А. Тутов, М.Н. Павленко, Е.Е. Тутов, А.Е. Бормонтов // Матер. докл. междун. науч.-техн. семинара "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах". - Москва, 2006. - С. 127-132.
40.Тутов Е.А. Механизмы токопереноса в структуре Al/ZnO/Si / Е.А. Тутов, Ф.А. Тума, В. И. Кукуев // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2006. - Т. 8, № 4. - С. 334-340.
41.Исследование оксидирования тонких пленок вольфрама на кремнии / Е.А. Тутов, В. А. Логачева, А. М. Ховив, Е. Е. Тутов, Д.М. Прибытков // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2007. - Т. 9, № 3. - С. 261-266.
42*. Емкостный сенсор влажности на основе пористого кремния / Е.А. Тутов, Е.Е. Тутов, В. М. Кашкаров, И. Ю. Бутусов, Е. Н. Бормонтов // Сорбционные и хроматографические процессы. - 2007. - Т. 7, № 3. - С. 534-537.
43.Электрофизические методы в исследовании оксидирования тонких пленок металлов на кремнии / Е.А. Тутов, С.В. Рябцев, В.А. Логачева, Е.Е. Тутов, Е.Н. Бормонтов, А.М. Ховив // Вестник ВГУ, Серия: Физика. Математика. - 2007. - № 1. - С. 36-41.
44.Бутусов И. Ю. Исследование электрического разряда структур Si-SiO2 методом зонда Кельвина / И.Ю. Бутусов, Е.А. Татохин, Е.А. Тутов // Вестник ВГУ, Серия: Физика. Математика. - 2007. - № 1. - С. 5-8.
45*. Тутов Е.А. МОП-структуры с аморфным триоксидом вольфрама для емкостных сенсоров влажности / Е.А. Тутов // Известия вузов. Электроника. - 2007. - № 5. - С. 36-39.
46*. Исследование процессов фазо- и дефектообразования при оксидировании тонких пленок вольфрама на кремнии / Е.А. Тутов, В.А. Логачева, А.М. Ховив, Е.Е. Тутов // Цветные металлы. - 2008. - № 1. - С. 75-78.
47*. Адсорбция паров воды в пленочных структурах с упорядоченным расположением мезодефектов / В.И. Кукуев, Е.А. Тутов, В.В. Чернышев, И.Г. Шаптала // Сорбционные и хроматографические процессы. - 2008. - Т. 8, № 6. - С. 942-947.
48*. Тутов Е.А. Гетерофазные процессы при взаимодействии пористого кремния с водой / Е. А. Тутов // Сорбционные и хроматографические процессы. - 2009. - Т. 9, № 1. - С. 131-136.