- Контроль пересыщения кремния собственными точечными дефектами при высокотемпературной обработке путем выбора атмосферы позволяет управлять типом и концентрацией образующихся центров с глубокими уровнями.
- Образование неравновесных собственных точечных дефектов приводит к увеличению концентрации электрически активных атомов алюминия в приповерхностной области пластины кремния и уменьшению скорости диффузии алюминия в инертной атмосфере по сравнению с диффузией в окислительной атмосфере. Концентрационные профили алюминия в условиях пересыщения кремния собственными точечными дефектами описываются в рамках механизмов вытеснения и вакансионного.
- Направленное и контролируемое введение собственных точечных дефектов путем использования разного состава атмосферы термообработки позволяет управлять дефектной структурой и электрофизическими параметрами нейтронно-легированного кремния и структур с p-n переходами. Проведение диффузии легирующих примесей и окисления в хлорсодержащей атмосфере позволяет изготавливать силовые высоковольтные приборы с требуемыми значениями пробивного напряжения и времени жизни неосновных носителей заряда.
- Система дефектов, образующихся при изготовлении структур кремниевых светодиодов методом твердофазной эпитаксии на подложках с (111) ориентацией, обеспечивает эффективную электролюминесценцию редкоземельных ионов Er3+ и Но3+ в режиме пробоя p-n перехода.
- Температурное возгорание интенсивности электролюминесценции ионов Er и Но в режиме пробоя p-n переходов в (111)Si:(Er,O) и (111^:(Но,0) светодиодах обусловлено перезарядкой центров с глубокими уровнями.
- Пересыщение кремния собственными межузельными атомами в процессе термического отжига имплантированных слоев кремния в окислительной атмосфере приводит к появлению рекомбинационного излучения, связанного с образовавшимися протяженными дефектами межузельного типа.
[А2] Гусева Н.Б., Соболев Н.А., Шек Е.И. Влияние условий термообработки на образование дефектов в кремнии // Письма в ЖТФ, т.8, в.23, с.1430-1434 (1982).
[А3] Боронин К.Д., Елисеев В.В., Крюкова Н.Н., Панкратов В.С., Соболев Н.А. Челноков В.Е., Шек Е.И. Способ изготовления тиристоров // Авторское свидет. СССР, № 1082229 от 10.06.1982. Б.И. № 16 (2007).
[А4] Воронов И.Н., Греськов И.М., Гринштейн П.М., Гучетль Р.И., Мороховец М.А., Соболев Н.А., Стук А.А., Харченко В.А., Челноков В.Е., Шек Е.И. Влияние среды отжига на свойства радиационно-легированного кремния (РЛК) // Письма в ЖТФ, т.10, в.11, с.645-649 (1984).
[А5] Соболев Н.А., Шек Е.И., Дудавский С.И., Кравцов А.А. Подавление свирл-дефектов при термообработке пластин бестигельного кремния в хлорсодержащей атмосфере // ЖТФ, т.55, в.7, с.1457-1459 (1985). [А6] Курбаков А.И., Рубинова Э.Э., Соболев Н.А., Трунов В.А., Шек Е.И. Исследование кластеров точечных дефектов в монокристаллах кремния с помощью дифракции у-квантов // Кристаллография, т.31, в.5, с.979-985 (1986).
[А7] Челноков В.Е., Жиляев Ю.В., Соболев Н.А., Попов И.В. Силовые полупроводниковые приборы // Сер. Силовая преобразовательная техника (Итоги науки и техники). ВИНИТИ, М., т.4, c.108 (1986). [А8] Выжигин Ю.В., Грессеров Б.Н., Соболев Н.А. Исследование влияния глубоких уровней на микроплазменный пробой p-n переходов // ФТП, т.22, в.3, с.536-538 (1988).
[А9] Высоцкая В.В., Горин С.Н., Греськов И.М., Соболев Н.А., Ткачева Т.М., Шек Е.И. Исследование микродефектов в нейтронно-трансмутационно-легированном кремнии // Известия АН СССР, сер. Неорганические материалы, т.24, в.3, с.375-379 (1988).
[А10] Курбаков А.И., Рубинова Э.Э., Соболев Н.А., Стук А.А., Трапезникова И.Н., Трунов В.А., Шек Е.И. Генерация решеточных дефектов при термообработке кремния в хлорсодержащей атмосфере // Письма в ЖТФ, т.14, в.21, с.1929-1933 (1988).
[А11] Выжигин Ю.В., Земан Я., Костылев В.А., Соболев Н.А., Шмид В. Уровни дефектов термообработки в кремнии под гидростатическим давлением // ФТП, т.23, в.4, с.719-722 (1989).
[А12] Вильянов А.Ф., Выжигин Ю.В., Грессеров Б.Н., Елисеев В.В., Ликунова В.М., Максутова С. А., Соболев Н.А. Высоковольтные лавинные диодные структуры большой площади // ЖТФ, т.59, в.10, с.154-156 (1989). [А13] Соболев Н.А., Стук А.А., Харченко В.А., Шек Е.И., Миненко С.В. Анализ влияния среды отжига на электрофизические параметры радиационно-легированного кремния // Известия АН СССР, сер. Неорганические материалы, т.26, в.8, с.1576-1578 (1990). [А14] Грессеров Б.Н., Соболев Н.А., Выжигин Ю.В., Елисеев В.В., Ликунова В. М. Влияние атмосферы термообработки на диффузию алюминия в кремнии // ФТП, т.25, в.5, с.807-812 (1991).
[А15] Выжигин Ю.В., Соболев Н.А., Грессеров Б.Н., Шек Е.И. Влияние атмосферы термообработки на образование центров с глубокими уровнями // ФТП, т.25, в.8, с.1324-1331 (1991).
[А16] Соболев Н.А., Курбаков А.И., Кютт Р.Н., Рубинова Э.Э., Соколов А.Е., Шек Е. И. Исследование кремния методом диффузного рассеяния гамма и рентгеновских лучей // ФТТ, т.34, в.8, с.2548-2554 (1992). [А17] Выжигин Ю.В., Соболев Н.А., Грессеров Б.Н., Шек Е.И. Влияние неравновесных собственных точечных дефектов на образование электрически активных центров в кремниевых p-n структурах при термообработке // ФТП, т.26, в.11, с.1938-1944 (1992).
[А18] Kuгbakov A.I., Sobolev N.A. Gamma-гау diffгaction in the study of silicon // Mater Sci. Eng., v.B22, p.149-158 (1994).
[А19] Соболев Н.А. Светоизлучающие структуры Si:En Технология и физические свойства (обзор) // ФТП, т.29, в.7, с.1153-1177 (1995).
[А20] Sobolev N.A. Silicon Doping by ЕгЫшп to Create Light-Emitting Stгuctuгes // Micгoelectгonics Journal, v.26, No.7, p.725-735 (1995).
[А21] Sobolev N.A., Shek E.I., Kumakov A.I., Rubinova E.E., Sokolov A.E. Characterization of Vacancy-Related Defects Introduced during Silicon Heat Treatment by DLTS and Gamma-Ray Diffraction Techniques // Appl. Phys., v.A62, p.259-262 (1996).
[А22] Sobolev N.A. Intrinsic point defect engineering in silicon high-voltage poweг device technology // Chapteг 5 in Semiconductoг Technology: Processing and Novel Fabrication Techniques, p.131-164 (1997). Ed. Levinshtein M. and Shuг M., Wiley-Inteгscience, New Yo^, USA.
[А23] Binetti S., Donghi M., Pizzini S., Сastaldini A., Сavallini A., Fгaboni F., Sobolev N.A. Eгbium in Silicon: Problems and Challenges // Solid State Phenomena, v.57-58, p.197-206 (1997).
[А24] Кютт Р.Н., Соболев Н.А. Рентгенодифракционные исследования кремния, имплантированного ионами эрбия с высокими энергиями // ФТТ, т.39, в.5, с.853-857 (1997).
[А25] Sobolev N.A., Emel´yanov A.M., Shtel´makh K.F. Avalanche broakdown-гelated electгoluminescence in single CTystal Si:Eг:0 // Appl. Phys. Lett., v.71, No.14, p.1930-1932 (1997).
[А26] Emel´yanov A.M., Sobolev N.A., Yakimenko A.N. Anomalous tempeгatuгe dependence of eгbium-гelated electгoluminescence in revere biased silicon p-n junction // Appl. Phys. Lett., v.72, No.10, p.1223-1225 (1998). [А27] Sobolev N.A., Gusev O.B., Shek E.I., Vdovin V.I., Yugova T.G., Emel´yanov A.M. Photoluminescence and stгuctuгal defects in eroium-implanted silicon annealed at high tempeгatuгe // Appl. Phys. Lett., v.72, No.25, p.3326-3328 (1998).
[А28] Андреев Б.А., Соболев Н.А., Курицын Д.И., Маковийчук М.И., Николаев Ю.А., Паршин Е.О. Низкотемпературная фотолюминесценция кремния, легированного гольмием // ФТП, т.33, в.4, с.420-422 (1999).
[А29] Соболев Н.А., Шек Е.И., Емельянов А.М., Вдовин В.И., Югова Т.Г. Влияние собственных точечных дефектов на формирование структурных дефектов и оптически активных центров при отжиге кремния, имплантированного эрбием и диспрозием // ФТП, т.33, в.6, с.656-659 (1999).
[А30] Соболев Н.А., Емельянов А.М., Николаев Ю.А., Вдовин В.И. Влияние ориентации кремниевой подложки на свойства лавинных Si:ErO светоизлучающих структур // ФТП, т.33, в.6, с.660-663 (1999).
[А31] Соболев Н.А., Емельянов А.М., Николаев Ю.А. Лавинные светодиодные структуры на основе монокристаллического Si:Ho:O, работающие при комнатной температуре // ФТП, т.33, в.8, с.931-932 (1999).
[А32] Vdovin V.I., Yugova T.G., Sobolev N.A., Shek E.I., Makovijchuk M.I., Paгshin E.O. Extended defects in Si wafera implanted by ions of гaгe-eaгth elements // Nicta Instrament Methods, v.B147, p.116-121 (1999).
[А33] Sobolev N.A., Nikolaev Yu.A., Emelyanov A.M., Shtel´makh K.F., Khakuashev P.E., Trishenkov M.A. Excitation cross-section and lifetime of the excited state of eroium ions in avalanching light-emitting Si:EnO diodes // J. of Luminescence, v.80, No.1-4, p.315-319 (1999).
[А34] Sobolev N.A., Gusev O.B., Shek E.I., Vdovin V.I., Yugova T.G., Emel´yanov A.M. Dislocation-гelated luminescence in Ег-implanted silicon // J. of Luminescence, v.80, No.1-4, p.357-361 (1999).
[А35] Sobolev N.A., Emel´yanov A.M., Kyutt R.N., Nikolaev Yu.A. Defect engineering in Si:Ho light-emitting structure technology // Solid State Phenomena, v.69-70, p.371-376 (1999).
[А36] Емельянов А.М.,Соболев Н.А., Тришенков М.А., Хакуашев П.Е. Туннельные светодиоды на основе Si:(Er,O) с малыми временами нарастания электролюминесценции ионов Er в режиме пробоя // ФТП, т.34, в.8, с.965-969 (2000).
[А37] Соболев Н.А., Емельянов А.М., Николаев Ю.А. Влияние дозы имплантации ионов эрбия на характеристики (111) Si:Er:O-светодиодных структур, работающих в режиме пробоя р-п перехода // ФТП, т.34, в.9, с.1069-1072 (2000).
[A38] Sobolev N.A., Emel´yanov A.M., Shek E.I., Sakharov V.I., Serenkov I.T., Nikolaev Yu.A., Vdovin V.I., Yugova T.G., Makovijchuk M.I., Parshin E.O., Pizzini S. Structural defects and dislocation-related photoluminescence in erbium-implanted silicon // Materials Science Engineering, v.B91-92, p.167-169 (2002).
[А39] Kyutt R.N., Sobolev N.A., Nikolaev Yu.A., Vdovin V.I. Defect structure of erbium-doped (111) silicon layers formed by solid phase epitaxy // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, v.B173, p.319-325 (2001).
[А40] Sobolev N.A., Emel´yanov A.M., Nikolaev Yu.A., Andreev B.A., Krasil´nik Z.F. Holmium-related luminescence in crystalline silicon // Materials Science Engineering, v.B81, p.176-178 (2001).
[А41] Sobolev N.A. Defects and their influence on the luminescence of rare earth ions implanted in single cryctal Si // Physica B., v.308-310, p.333-336 (2001). [А42] Sobolev N.A., Emel´yanov A.M., Shek E.I., Vdovin V.I., Yugova T.G., Pizzini S. Correlation between defect structure and luminescence spectra in monocrystalline erbium-implanted silicon // J. of Physics: ^ndensed Matter, v.14, p.13241-13246 (2002).
[А43] Александров О.В., Криворучко А.А., Соболев Н.А. Моделирование диффузии алюминия в кремнии в инертной и окислительной средах // ФТП, т.40, в.4, с.385-390 (2006).
[А44] Соболев Н.А., Бер Б.Я., Емельянов А.М., Коварский А.П., Шек Е.И. Дислокационная люминесценция в кремнии, обусловленная имплантацией ионов кислорода и последующим отжигом // ФТП, т.41, в.3, c.295-297 (2007).
[А45] Соболев Н.А., Емельянов А.М., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Шек Е.И., Тетельбаум Д.И. Дислокационная люминесценция, возникающая в монокристаллическом кремнии после имплантации ионов кремния и последующего отжига // ФТП, т.41, в.5, c.555-557 (2007).
[А46] Соболев Н.А., Емельянов А.М., Забродский В.В., Забродская Н.В., Суханов В.Л., Шек Е.И. светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре с сильнолегированными бором и фосфором поликристаллическими слоями // ФТП, т.41, в.5, c.635-638 (2007).
[А47] Sobolev N.A. Point and extended defect engineering as a key to advancing technology of light-emitting diodes based on single dystal Si and SiGe laye^ // Physica B., v.401-402, p.10-15 (2007).