- Возникновение отрицательного дифференциального сопротивления S-типа и N-типа на ВАХ слоя люминофора обусловлено перезарядкой глубоких центров и образованием и изменением положительного объемного заряда в прианодной области слоя люминофора - ионизацией вакансий цинка vZ;n , V~n и серы V/, и отрицательного объемного заряда в прикатодной области слоя люминофора - захватом электронов на вакансии серы Vи V $+.
- Оптимизация режима возбуждения ЭЛИ путем изменения формы возбуждающего напряжения с сохранением амплитуды и периода следования приводит к изменению амплитудной и средней яркости свечения, внешнего квантового и энергетического выходов, светоотдачи, а зависимости указанных параметров от времени нарастания линейно изменяющегося напряжения имеют максимумы.
- Разработана физико-математическая модель процесса переноса носителей заряда при туннелировании электронов с заполненных поверхностных состояний границы раздела «диэлектрик - люминофор» и последующей ударной ионизации глубоких центров, обусловленных собственными дефектами слоя люминофора, в рамках которой определены зависимости от времени коэффициента умножения электронов, коэффициента ударной ионизации, числа ионизаций, производимых одним электроном, прошедшим область ударной ионизации, распределение электрического поля по толщине слоя люминофора, глубина уровней поверхностных состояний, вероятность туннелирования электронов в единицу времени, ширина потенциального барьера.
- Процесс захвата электронов на поверхностные состояния анодной границы раздела «люминофор - диэлектрик» ТП ЭЛИ при спаде тока проводимости подчиняется бимолекулярному закону и протекает в две стадии. На первой стадии процесса происходит ударный Оже-захват горячих электронов на поверхностные состояния анодной границы раздела «диэлектрик - люминофор» и туннельная генерация дырок в валентную зону с глубоких центров, а на второй - при смене направления поля в слое люминофора - дырки валентной зоны, генерированные за счет туннельной эмиссии с глубоких центров, дрейфуют к этой границе, где рекомбинируют с электронами наиболее глубоких заполненных поверхностных состояний.
- Разработанные автором методики, основанные на анализе экспериментальных данных амплитудной и средней яркости от времени нарастания линейно изменяющегося напряжения возбуждения и введенного автором понятия мгновенного внутреннего квантового выхода позволяют определить важнейшие излучательные параметры пленочных ЭЛИ, а также объяснить насыщение вольтяркостной характеристики.
- Сформированные в процессе изготовления ЭЛ структуры микронеровности на стеклянной подложке приводят к увеличению яркости свечения, светоотдачи, внешнего квантового и энергетического выходов.
2.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Пленочные электролюминесцентные структуры на ше¬роховатых подложках // Журн. прикл. спектроскоп. - 1997. - т.64, вып.4. - с.507-512.
3.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов, И.Ю.Бригадное. Пленочные электролюминесцентные излучатели на шероховатых подложках // Письма в Журн. техн. физ. - 1997. - т.23, вып.15. - с.7-12.
4.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Пленочные электролюминесцентные структуры на подложках с диффузно-рассеивающей излучающей поверхностью // Письма в Журн. техн. физ. - 1997. - т.23, вып.20. - с.1-7.
5.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Пленочные электролюминесцентные структуры на подложках с шероховатыми поверхностями // Журн. прикл. спектроскоп. - 1998. - т.65, вып.5. - с.787-793.
6.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Влияние формы возбуждающего напряжения на яр¬кость свечения тонкопленочных электролюминесцентных излучателей // Журн. техн. физ. - 1999. - т.69, вып.2. - с.64-69.
7.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Исследование тонкопленочных электролюминесцент¬ных излучателей при возбуждении линейно нарастающим напряжением // Журн. техн. физ. - 1999. - т.69, вып.2. - с.58-63.
8.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Кинетика электролюминесценции в пленочных струк¬турах на основе сульфида цинка, легированного марганцем // Журн. техн. физ. -1999. - т.69, вып.5. - с.65-73.
9.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов, А.В.Шляпин, А.В.Юденков. Кинетика мгновенной ярко¬сти свечения тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка // Письма в Журн. техн. физ. - 2001. - т.27, вып.4. - с.12-18.
10.Н.Т.Гурин, А.В.Шляпин, О.Ю.Сабитов. Отрицательное дифференциальное сопро¬тивление в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе сульфида цинка // Журн. техн. физ. - 2001. - т.71, вып.3. - С.72-75.
11.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов, А.В.Шляпин. Влияние объемного заряда на харак¬теристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка // Журн. техн. физ. - 2001. - т.71, вып.8. - с.48-58.
12.Н.Т.Гурин, А.В.Шляпин, О.Ю.Сабитов. Формирование вольт-яркостной характе¬ристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе суль¬фида цинка // Письма в Журн. техн. физ. - 2001. - т.27, вып.22. - с.52-57.
13.Н.Т.Гурин, А.В.Шляпин, О.Ю.Сабитов. Кинетика электролюминесценции тонкоп¬леночных излучателей на основе сульфида цинка на ультранизких частотах // Журн. техн. физ. - 2002. - т.72, вып.2. - с.74-83.
14.Н.Т.Гурин, А.В.Шляпин, О.Ю.Сабитов. Изменение спектра электролюминесцен¬ции тонкопленочных излучателей на основе ZnS:Mn в зависимости от уровня воз¬буждения // Письма в Журн. техн. физ. - 2002. - т.28, вып.15. - с.24-32.
15.Н.Т.Гурин, А.В.Шляпин, О.Ю.Сабитов, Д.В.Рябов. Влияние фотовозбуждения на электрические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излуча¬телей на основе ZnS:Mn // Письма в Журн. техн. физ. - 2003. - т.29, вып.4. - с.14-21.
16.Н.Т.Гурин, А.В.Шляпин, О.Ю.Сабитов, Д.В.Рябов. Влияние фотовозбуждения на электрические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных струк¬тур на основе ZnS:Mn // Журн. техн. физ. - 2003. - т.73, вып.4. - с.90-99.
17.Н.Т.Гурин, А.В.Шляпин, О.Ю.Сабитов. Квантовый выход и светоотдача тонкоп¬леночных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка // Журн. техн. физ. - 2003. - т.73, вып.4. - с.100-112.
18.Н.Т.Гурин, Д.В.Рябов, О.Ю.Сабитов, А.М.Афанасьев. Туннелирование электронов в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе ZnS:Mn // Письма в Журн. техн. физ. -2005. - т.31, вып.3. - с.79-85.
19.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Новый метод определения параметров электролюми¬несценции в тонкопленочных излучателях на основе ZnS:Mn // Письма в Журн. техн. физ. - 2005. - т.31, вып.22. - с.17-23.
20.Н.Т.Гурин, А.М.Афанасьев, О.Ю.Сабитов, Д.В.Рябов. Туннелирование и ударная ионизация в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS:Mn // Физ. и техн. полупров. - 2006. - т.40, вып.8. - с.949-961.
21.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Определение параметров и характеристик электролю-минесценции в тонкопленочных излучателях на основе ZnS:Mn // Журн. техн. физ. - 2006. - т.76, вып.8. - с.50-62.
22.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов, А.М.Афанасьев. Характеристики туннелирования и ударной ионизации в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS:Mn // Физ. и техн. полупров. - 2007. - т.41, вып.10. - с.1168-1177.
23.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Релаксация параметров тонкопленочных электролюми-несцентных излучателей на основе ZnS:Mn при выключении // Письма в Журн. техн. физ. - 2008. - т.34, вып.7. - с.14-22.
24.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Релаксация параметров тонкопленочных электролюми-несцентных структур на основе ZnS:Mn при выключении // Физ. и техн. полупров. - 2008. - т.42, вып.6. - с.692-705.
25.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Влияние электрофизических параметров и режимов возбуждения на выход излучения в тонкопленочных электролюминесцентных структурах // Ученые записки Ульяновского государственного ун-та. Серия физи¬ческая. Вып.1(3). - Ульяновск, 1997. - с.73-77.
26.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов, А.В.Шляпин. Кинетика электролюминесценции тонкоп¬леночных структур на основе сульфида цинка на низких частотах // Ученые за¬писки Ульяновского государственного университета. Сер. физическая, 2001, вып.2(11), с.63-75.
27.Н.Т.Гурин, А.В.Шляпин, О.Ю.Сабитов. Отрицательное дифференциальное сопро¬тивление в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе суль¬фида цинка // Критические технологии и фундаментальные проблемы конденси¬рованных сред: Труды лекторов Школы (июнь 2000г., Ульяновск) / Под общ. ред. акад. РАЕН С.В.Булярвкого. - Ульяновск, 2001. - с.107-130.
28.N.T.Gurin, O. Yu. Sabitov. Optimization of the film electroluminescent emitters on lu¬minescence output // "The fifth intern. conf. on Simulation of devices and technolo¬gies". - ICSDT´96. -Proc. Obninsk, Russia, May 13-17, 1996. Obninsk, 1996.-p.81-82.
29.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Расчет электрических параметров пленочных электро-люминесцентных излучателей с помощью пакета схемотехнического моделиро¬вания PSPICE // Сб. докл. Междунар. науч.-техн. конф. "Актуальные проблемы анализа и обеспечения надежности и качества приборов, устройств и систем". Пенза. Изд. Пенз. гос. техн. ун-та, 1997. - с.17.
30.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Исследование волн яркости пленочных электролюми¬несцентных структур при возбуждении линейно нарастающим напряжением // Сб. матер. 3-й междунар. конф. "Распознавание-97". Курск, Курск. гос. техн. ун-т. 1997. - с.134-136.
31.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Параметры предпробойной электролюминесценции пленочных ZnS:Mn-cтpуктуp // Труды междунар. конф. "Оптика полупроводни¬ков". Ульяновск: Изд-во УлГУ, 1998 .- с.42-43.
32.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов, А.В.Шляпин. Вольт-фарадные характеристики тонкоп¬леночных электролюминесцентных структур // Труды междунар. конф. "Оптика полупроводников". Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2000г.- С.78-79.
33.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов, А.В.Шляпин. Вольт-зарядовые характеристики люми¬несцентного слоя тонкопленочных электролюминесцентных структур // Труды междунар. конф. "Оптика полупроводников". Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2000г.-с.80-81.
34.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов, А.В.Шляпин. Вольтамперная характеристика активного слоя в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе сульфида цинка // Труды седьмой междунар. науч.-техн. конф. "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники". Дивноморское, Россия, 17-22 сент. 2000. - с.196-198.
35.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов, А.В.Шляпин. Исследование кинетики переноса заряда в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях // Труды седьмой между-нар. науч.-техн. конф. "Актуальные проблемы твердотельной электроники и мик-роэлектроники". Дивноморское, Россия, 17-22 сент. 2000. - с.199-200.
36.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов, А.В.Шляпин. Частотные зависимости характеристик тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе ZnS:Mn // Тру¬ды междунар. конф. "Оптика, оптоэлектроника и технологии". Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2001г.- с.44.
37.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Процессы ударного возбуждения в пленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS:Mn // Труды V междунар. конф. "Аморфные и поликристаллические полупроводники". Санкт-Петербург: 19-21 июня 2006. Изд-во Политехнического университета, Санкт-Петербург, 2006г.-с.321-322.
38.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Определение параметров и характеристик электролю-минесценции в тонкопленочных структурах на основе ZnS:Mn // Труды VIII меж-дунар. конф. "Опто- наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы". Улья¬новск: Изд-во УлГУ, 2006г.- с.201.
39.Н.Т.Гурин, О.Ю.Сабитов. Большое возрастание мгновенного внутреннего кванто¬вого выхода в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS:Mn // Труды VIII междунар. конф. "Опто- наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы". Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2006г.- с.212.