- Cочетание высокодозовой (5х1016 см-2) имплантации ионов алюминия в карбид кремния n-типа проводимости, создающей аморфные слои с Гауссовым распределением примеси, и быстрого (15 с) термического отжига при 1700-1750 0С формирует прямоугольный профиль примеси. Перераспределение Al в имплантированных слоях происходит по механизму твердофазной эпитаксиальной кристаллизации.
- Быстрый высокотемпературный термический отжиг слоев, аморфизованных имплантацией ионов алюминия в карбид кремния n-типа проводимости , приводит к улучшению качества исходного материала. Увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в исходном материале объясняется распадом метастабильных состояний в процессе совместного действия эффектов ускоренной диффузии радиационных дефектов при имплантации и геттерирования дефектов при отжиге.
- Расположение ионно-легированных алюминием p+-n переходов в карбиде кремния и переменный профиль электрически активной примеси в области переходов обусловлены неравновесно-ускоренной диффузией имплантированных атомов в процессе быстрого термического отжига. Наличие двух ветвей в диффузионном распределении алюминия связано с особенностями образования метаста-бильных дефектов при различной концентрации имплантированной примеси.
- Наличие метастабильных состояний, образующихся в карбиде кремния при воздействии различных видов радиации и отжигаемых в различных температурных интервалах, позволяет управлять свойствами материала и приборов на его основе, работающих в экстремальных условиях: низкотемпературный отжиг радиационных дефектов увеличивает радиационный и временной ресурс приборов при облучении; высокотемпературный отжиг радиационных дефектов позволяет изменять время жизни неравновесных носителей заряда, т.е. частотный диапазон приборов.
- Разработанная технология формирования тонких ( < 0.3 мкм) ионнолегированных алюминием p+-n переходов в карбиде кремния, позволяет создавать высокотемпературные детекторы ядерных излучений нового класса. При нагреве детекторов до 400 0С в процессе облучения наблюдается улучшение как эффективности собирания неравновесного заряда, так и разрешения по энергии.
1.Калинина,Е.В. Электрические свойства p-n-переходов, полученных ионным ле¬гированием n-SiC / Е.В. Калинина, Прокофьева Н.К., Суворов А.В., Холуянов Г.Ф., Челноков В.Е. // ФТП. 1978.Т.12. С.2305-2308.
2.Калинина, Е.В. Структура и свойства ионно-легированных p-n переходов в SiC / Е.В. Калинина, Суворов А.В., Холуянов Г.Ф. // ФТП.1980. Т.14, № 6.С.1099-1102.
3.Калинина, Е.В. Катодолюминесценция SiC, ионно-легированного Al и Ar / Е.В. Калинина, Одинг В.Г., Водаков Ю.А., Мохов Е.Н, Демаков К.Д., Cтолярова В.Г., Холуянов Г.Ф. // ФТП.1984. Т.18, №.4. С.700-702.
4.Калинина, Е.В. Влияние воздействия ультракоротких лазерных импульсов на электрофизические свойства карбида кремния / Е.В. Калинина, Ковальчук Ю.В., Прищепа Г.В., Смольский О.В. // Письма в ЖТФ. 1985. Т.11, №11. С.669-671.
5.Калинина, Е.В. Особенности профилей ионно-легированных p-n переходов / Е.В. Калинина, Боровик А.С., Гражданкин В.А., Демаков К.Д., Иванов П.В., Рамм М.Г., Холуянов Г.Ф. // ФТП.1986. Т.20, № 9. С.1748.
6.Калинина, Е.В. Электрические свойства структуры p-n-n+ в карбиде кремния, полученной ионным легированием алюминия / Е.В. Калинина, Водаков Ю.А, Де-маков К.Д., МоховЕ.Н.,Рамм М.Г.,ХолуяновГ.Ф.//ФТП.1987.Т.21,№.9.С.1685-1689
7.Kalinina, E.V. Effect of ion doping on the electrical and luminescent properties of 4H-SiC epitaxial p-n junctions.(Эффект ионного легирования на электрические и люми¬несцентные свойства 4H-SiC эпитаксиальные p-n переходы) /_E.V. Kalinina, Kho-lujanov G.F., Zubrilov A.S., Tsvetkov D.V., Vatnik M.P., Soloviev V.A., Tretjakov V.D., Kong H., Dmitriev V.A.// Mat. Sci Eng. B.1997. V.46. P.259-262.
8.Kalinina, E. High-dose Al-implanted 4H SiC p+-n-n+ junctions.( 4H SiC p+-n-n+ пере¬ходы, полученные высокодозовой имплантацией Al) / E. Kalinina, Kholujnov G., So¬lov´ev V., Strel´chuk A., Zubrilov A. // Appl. Phys. Lett.2000.V.77, № 19. P.3051.
9.Kalinina, E. Structural, electrical, and optical properties of low-doped 4H-SiC chemical vapor deposited epitaxial layers(Структурные, электрические и оптические свойства слабо легированных 4H-SiC эпитаксиальных слоев, выращенных газотранспортным методом) / E. Kalinina, Kholujnov G., Zubrilov A., Solov´ev V., Davydov D., Tregubova A., Sheglov M., Kovarskii A.,Yagovkina M., Violina G., Pensl G., Hallen A. Konstantinov A., Karlsson S. // J. Appl. Phys. 2001.V.90, № 10. P.5402-5409.
10.Kalinina, E. Material quality improvements for high voltage 4H-SiC diodes.(Улучшение качества материала для создания высоковольтных 4H-SiC диодов) / E. Kalinina, Kossov V., Shchukarev A., Bratus´ V., Pensl G., Rendakova S., Dmitriev V., Hallen A. // Mat. Sci. Eng. B. 2001. V.80. P.337-341.
11.Калинина, Е.В. Фотоэлектрические свойства p+-n-переходов на основе 4H-SiC, ионно-легированного алюминием / Е.В. Калинина, Виолина Г.Н., Холуянов Г.Ф., Онушкин Г.А., Косов В.Г., Яфаев Р.Р., Халлен А., Константинов А.О. // ФТП. 2002.Т.36, №6. С.746-749.
12.Калинина, Е.В. Карбидкремниевые детекторы частиц высокой энергии / Е.В. Калинина, Виолина Г.Н., Холуянов Г.Ф., Косов В.Г., Яфаев Р.Р., Hallen A., Кон¬стантинов А.О. // ФТП. 2002. Т.36, № 6. С.750-755.
13.Калинина, Е.В. Влияние облучения быстрыми нейтронами на электрические характеристики приборов на основе CVD эпитаксиальных слоев 4H-SiC / Е.В.Калинина, Холуянов Г.Ф., Давыдов Д.В., Стрельчук А.М.,.Hallёn A., Констан¬тинов А.О., Лучинин В.В., Никифоров А.Ю.// ФТП. 2003. T.37. C.1260-1264.
14.Калинина, Е.В. Детекторы короткопробежных ионов с высоким энергетиче¬ским разрешением на основе 4^SiC пленок / Е.В. Калинина, Иванов А.М., Koнстантинов А.О., Онушкин Г.А., Строкан Н.Б., Холуянов Г.Ф., Hallen А. // Письма в ЖТФ. 2004. Т.30, В.14. С.1-7.
15.Калинина, Е.В. Оптические и электрические свойства 4^SiC, облученного нейтронами и тяжелыми ионами высоких энергий / Е.В. Калинина, Холуянов Г.Ф., Онушкин Г.А., Давыдов Д.В., Стрельчук А.М., Константинов А.О., Hallen A., Ни¬кифоров А.Ю., Скуратов В.А., Havancsak K.// ФТП. 2004.T.38, № 10. C.1223-1227.
16.Калинина, Е.В. Спектрометрия короткопробежных ионов детекторами на ос¬нове CVD пленок 4H-SiC / Е.В. Калинина, Строкан Н.Б., Иванов А.М., Холуянов Г.Ф., Онушкин Г.А., Давыдов Д.В., Виолина Г.Н. // ФТП. 2005.Т.39,В.3.С.382-387.
17.Калинина, Е.В. Спектрометрические свойства SiC—детекторов на основе ионно-легированных p+^-переходов / Е.В. Калинина, Косов В.Г., Строкан Н.Б., Иванов А.М., Яфаев Р.Р., Холуянов Г.Ф. // ФТП. 2006. T.40, B.9. C.1123-1127.
18.Калинина, E.B. Структурные особенности 4^SiC, облученного ионами висмута / E.B. Калинина, Скуратов В.А., Ситникова А.А., Колесникова А.А., Трегубова А.С., Щеглов М.П.. // ФТП. 2007. T.41, №.4. C.392-396.
19.Калинина, E.B. Влияние облучения на свойства SiC и приборы на его основе // ФТП. 2007. T.41, №.7. C.769-805. (Обзор)
20.Калинина, Е.В. Высокотемпературные матрицы детекторов ядерного излучения на основе 4H-SiC ионно-легированных Р+-П переходов / Е.В. Калинина, Строкан Н.Б., Иванов А.М., Ситникова А.А., Садохин А.М., Азаров A., Косов В.Г., Яфаев P.P. // ФТП. 2008. Т.42, №1. С.87-93.
21.Калинина, Е.В. P-n-детекторы ядерного излучения на основе пленок 4^SiC для работы при повышенных температурах (375 0С) / Е.В. Калинина, Иванов А.М., Строкан Н.Б. // Письма в ЖТФ. 2008. Т.34, №5. С.63-70.
22.Калинина, Е.В. Перенос заряда в полупроводниковых SiC-детекторах ионизи¬рующих излучений при наличии слоя центров захвата / Е.В. Калинина, Иванов А.М., Строкан Н.Б. // Письма в ЖТФ.2008. Т.34, №24. С.61-67.
23.Калинина, Е.В. Перераспределение Al в имплантированных слоях SiC в про¬цессе термического отжига / Е.В. Калинина, Александров О.В.// ФТП. 2009. Т.43, №5.С.584-589.
Другие статьи и материалы конференций:
1.Калинина, Е.В. Электрические свойства карбид-кремниевых p-n переходов, по¬лученных имплантацией алюминия / Е.В. Калинина, Суворов А.В., Холуянов Г.Ф. // Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников: сб. науч. ра¬бот. Ленинград: 1979. С.333-339.
2.Kalinina, E.V. Structure and electrical properties of implantation-doped pn junctions in SiC.(Структурные и электрические свойства ионно-легированных pn переходов в SiC)/E.V.Kalinina, Kholujanov G.F.//Inst.Phys.Conf.Ser.№ 137.1993.Ch.6. P.675-677.
3.Kalinina,E. Pd ohmic contacts to p-SiC 4H, 6H and 15 R polytypes.(Pd омические контакты к p-SiC политипов 4H, 6H и15 R) / E. Kalinina, Kholujanov G., Shchukarev A., Savkina N., Babanin A., Yagovkina M., Kuznetsov N. // Diam. and Rel. Mat.1999. V.8. P.1114 -1117.
4.Kalinina, E.V. Structural, electrical and optical properties of bulk 4H and 6H p-type SiC (Структурные, электрические и оптические свойства объемного 4Н и 6^SiC p-типа) / E.V. Kalinina, Zubrilov A.S., Kuznetsov N.I., Nikitina I.P., Tregubova A.S., Shcheglov M.P., Bratus´ V.Ya // Mat. Sci. Forum. 2000. V.338-342. P.497-500.
5.Kalinina, E. 4H-SiC CVD epitaxial layers with improved structural quality grown on SiC waters with reduced micropipe density. (4H-SiC CVD эпитаксиальные слои с улучшенным структурным качеством, выращенные на SiC подложках с уменьшенной плотностью микропор) / E. Kalinina., Zubrilov A., Solov´ev V., Kuznetsov N., Hallen A., Konstantinov A., Karlsson S., Rendakova S., Dmitriev V. // Mat. Sci. Forum. 2000. V.338-342. P.505-508.
6.Калинина, Е. Карбидкремниевые детекторы частиц высокой энергии / Е. Калинина ,Виолина Г., Шкребий П., Холуянов Г., Косов В., Яфаев P., Халлен А., Константинов А. // III Международный семинар ^рбид кремния и родственные материалы .Великий Новгород. 2000. C.213-221.
7.Калинина, Е. Фотоэлектрические свойства 4^SiC ионно-легированных алюми¬нием p+-n переходов / Е. Калинина, Виолина Г., Холуянов Г., Косов В., Яфаев P., Халлен А., Константинов А., Онушкин Г. // III Международный семинар ^рбид кремния и родственные материалы. Великий Новгород. 2000. C.136-141.
8.Kalinina, E.V. Photoelectrical properties of 4H-SiC Al ion-doped p+-n junctions. (Фотоэлектрические свойства 4H-SiC Al ионно-легированных p+-n переходов) / E.V. Kalinina, Violina G.N., Kholujanov G.F., Kossov V.,Yafaev R., Hallen A., Kon-stantinov A., Onushkin G. //J.of Wide Bandgap Materials. 2000. V.8, No.1. P.41-48.
9.Kalinina, E. Influence of ion implantation on the quality of 4H-SiC CVD epitaxial layers (Влияние ионной имплантации на качество 4H-SiC CVD эпитаксиальных слоев) / E. Kalinina, Kholujnov G., Solov´ev V, Strel´chuk A., Kossov V., Yafaev R., Kovarski A., Shchukarev A., Obyden S., Saparin G., Ivannikov P., Hallen A., Konstanti-nov A. // Appl. Surf. Sci. 2001. V.184. P.323-329.
10.Kalinina, E.V. Vacancy-related defects in ion-beam and electron irradiated 6H-SiC (Вакансионные дефекты в 6H-SiC, облученном ионами и электронами) / E.V. Kalin¬ina, Bratus´ V.Ya., Petrenko T.T., von Bardeleben H.J., Kalinina E.V., Hallen A. // Appl. Surf. Sci. 2001.V.184. P.229-236.
11.Kalinina, E. Characterization of Al-implanted 4H SiC high voltage diode (Характе-ризация 4H-SiC высоковольтных диодов, сформированных имплантацией Al) /E. Kalinina, Onushkin G., Strel´chuk A., Davidov D., Kossov V., Yafaev R., Hallen A., Kuznetsov A. Konstantinov A. // Physica Scripta T. 2002. V.101. P.207.
12.Калинина, Е.В. Результаты экспериментальных исследований радиационных эффектов структурных повреждений в диодах и диодах Шоттки на карбиде крем¬ния / Е.В.Калинина, Никифоров А.Ю., Лучинин В.В., Стрельчук А.М., Давыдов Д.В.// Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-2002": C6. науч. работ. — Москва: Паимс, 2002. B.5. C.169.
13.Kalinina, E. Ion implantation tool for fabrication of advanced 4H-SiC devices (Ион¬ная имплантация — способ формирования улучшенных 4H-SiC приборов) / E. Kalin-ina, Kholujanov G., Goldberg Yu., Blank T., Onushkin G., Strel´chuk A., Violina G., Kossov V., Yafaev R., Hallen A., Konstantinov A. // Mat. Sci. Forum. 2002. V.389-393.
P.835-838.
14.Kalinina, E. Electrical and optical study of 4H-SiC CVD epitaxial layers irradiated with swift heavy ions. (Электрические и оптические исследования 4H-SiC CVD эпи-таксиальных слоев, облученных быстрыми тяжелыми ионами) / E. Kalinina, Kho-lujanov G., Onushkin G., Davidov D., Strel´chuk A., Hallen A., Konstantinov A., Skura-tov V., Stano J. // Mat. Sci. Forum. 2003. V.433-436. P.467-470.
15.Kalinina, E. Gettering effect with Al implanted into 4H-SiC CVD epitaxial layers. (Эффект геттерирования с Al, имплантированном в 4H-SiC CVD эпитаксиальные слои)ЛЁ;. Kalinina, Kholujanov G., Sitnikova A., Kossov V., Yafaev R., Pensl G., Re-shanov S., Hallen A., Konstantinov A// Mat. Sci. Forum. 2003. V.433-436. P.637-640.
16.Kalinina, E.V. Dose Rate Behavior of 4H-SiC Diodes. (Поведение 4H-SiC диодов от скорости набора доз) / E.V. Kalinina, Nikiforov A.Y., Skorobogatov P.K., Boychenko D.V., Figurov V.S., Luchinin V.V. // Proceedings for RADECS 2003, Noord-wijk. 2003. P.15-16.
17.Kalinina, E. Electrical study of the fast neutrons irradiated devices based on 4H-SiC CVD epitaxial layers. (Электрические исследования приборов на основе 4H-SiCCVD эпитаксиальных слоев, облученных быстрыми нейтронами) / E. Kalinina, Kholuyanov G., Strel´chuk A., Davydov D., Hallen A., Konstantinov A., Nikiforov A. // Mat. Sci. Forum. 2004. V.457-460. P.705-708.
18.Kalinina, E. Comparative study of 4H-SiC irradiated with neutrons and heavy ions (Сравнительные исследования 4H-SiC, облученного нейтронами и тяжелыми ионами) / E. Kalinina, Kholujanov G., Onushkin G., Davydov D., Strel´chuk A., Konstantinov A., Hallen A., Skuratov V., Kuznetsov A. // Mat. Sci. Forum. 2005. V.483-485. P.377-380.
19.Kalinina, E.V. Influence of gamma-ray and neutron irradiation on injection charac¬teristics of 4H-SiC pn structures. (Влияние гамма и нейтронного облучения на ин-жекционные характеристики 4H-SiC pn структур) / E.V. Kalinina, Strel´chuk A.M, Konstantinov A.O., Hallen A. // Mat. Sci. Forum. 2005. V.483-485. P.993-996.
20.Kalinina, E. High energy resolution detectors based on 4H-SiC.(4H-SiC детекторы с высоким разрешением) / E. Kalinina, Ivanov A., Kholujanov G., Onushkin G., Stro-kan N., KonstantinovA., Hallen A//Mat. Sci.Forum 2005. V.483-485. P.1029-1032.
21.Kalinina, E. Radiation hard devices based on SiC. (Радиационно-стойкие приборы на основе SiC) / E. Kalinina, Strel´chuk A., Lebedev A., Strokan N., Ivanov A., Kho-luyanov G. // Mat. Sci. Forum. 2006.V.527-529. P.1473-1476.
22.Kalinina, E. 4H-SiC high temperature spectrometers (Высокотемпературные 4H-SiC спектрометры) / E. Kalinina, Strokan N., Ivanov A., Sadohin A., Azarov A., Kos-sov V.,Yafaev R., Lashaev S. // Mat. Sci. Forum. 2007. V.556-557. P.941-944.
23.Kalinina, E.V. Investigation of 4H-SiC layers implanted by Al ions. (Исследование 4H-SiC слоев, имплантированных ионами Al)/ E.V. Kalinina, Kolesnikova E.V., Sit-nikova A.A., Zamoryanskaya M.V., Popova T.B. // Solid State Phenomena. 2008. V.131-133. P.53-58