Положение 2. Уменьшение степени рассогласования параметров кристаллических решёток в гетероструктурах типа А2IIIВ3VI(или А3IIIВ4VI)/AIIIBV обеспечивает минимальные значения плотности ПЭС на границе раздела, что позволяет управлять высотой потенциального барьера в структурах с барьером Шоттки.
Положение 3. Увеличение фототока и напряжения холостого хода в гетероструктурах Au/Ga2Se3/GaAs с барьером Шоттки обусловлено уменьшением плотности ПЭС на границе раздела.
Положение 4. Кристаллографическая ориентация подложки и концентрация стехиометрических вакансий катионов определяют структурно-фазовые превращения AIII3BVI4(100)с(2×2) → А2IIIВ3VI(100)(2×3) → А2IIIВ3VI(100)(1×1) на подложках AIIIBV(100) и AIII2BVI3(111)(√3×√3)-R300 → А3IIIВ4VI(111)(2×2) на подложках AIIIBV(111).
Положение 5. Методом гетеровалентного замещения на поверхности InAs(100) получен тонкий слой новой псевдоморфной кубической фазы со стехиометрическими вакансиями катионов In2Se3(1×1) c параметром кристаллической решётки 0,564 нм.
Положение 6. Максимальная плотность ~(108-109) см-2 наноостровков фазы AIII2BVI3 или AIII3BVI4, образовавшихся в процессе гетеровалентного замещения, обусловлена микродефектами на реальной поверхности подложек AIIIBV независимо от температуры и типа подложки.
1.Сысоев Б.И. Барьеры Шоттки на арсениде галлия, предварительно обработанном в парах селена / Сысоев Б.И., Стрыгин В.Д., Котов Г.И. // Письма в ЖТФ. -1990. –Т.16. -Вып. 9. –С.22-26
2.Сысоев Б.И. Кинетика формирования гетероструктур Ga2Se3/ GaAs при термической обработке подложек GaAs в парах селена/ Сысоев Б.И., Стрыгин В.Д., Чурсина Е.И., Котов Г.И. // Известия АН СССР. Неорганические материалы. -1991. –Т.27. -№8. –С. 1583- 1585.
3.Sysoev B.I. Formation of Me/GaAs heterocontact with an intermediate layer of Gallium Selenide / B.I. Sysoev, V.D. Strygin, G.I. Kotov, E.N. Nevrueva, E.P. Domashevskaya // Phys. Stat. Sol. (a). -1992. -V.129. -Р.207-212.
4.Сысоев Б.И. Влияние обработки поверхности арсенида галлия в парах халькогенов на свойства барьеров Шоттки в структурах Ме-GaAs / Сысоев Б.И., Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Стрыгин В.Д. // ФТП. -1993. -Т.27. -№1. -С.131-135.
5.Сысоев Б.И. Пассивация поверхности GaAs(100) халькогенидами галия A2IIIB3VI(110) / Сысоев Б.И., Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Агапов Б.Л., Стрыгин В.Д. // ФТП. -1995. -Т.29. -№1. -С.24-32.
6.Безрядин Н.Н. Реконструкция поверхности полупроводников АIIIBV, обработанной в халькогене / Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Сумец М.П. // Вестник ВГТУ. -1997. -вып.1-2. -С.88-89.
7.Агапов Б.Л. Реконструкция и электронные состояния гетерограницы Ga2Se3-GaAs / Б.Л. Агапов, И.Н. Арсентьев, Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, М.П. Сумец // ФТП. -1999. –Т.33. –Вып.6. -№3. –С.712-715.
8.Безрядин Н.Н. Электронные состояния в приповерхностной области арсенида галлия, обработанной в парах селена с мышьяком / Безрядин Н.Н., Домашевская Э.П., Арсентьев И.Н., Котов Г.И., Кузьменко Р.В., Сумец М.П. // ФТП. -1999. -т.33. -№6. -С.719-722.
9.Безрядин Н.Н. Псевдоморфизм в системе арсенид индия – селенид индия / Н.Н.Безрядин, А.В.Буданов, Е.А. Татохин, Г.И. Котов, Б.Л. Агапов // Вестник ТГУ. Серия: Естественные и технические науки. -2000. –Т.5. –вып.2-3. –С.322-323.
10.Безрядин Н.Н. Образование наноостровков и плёнок селенида галлия на поверхности GaAs, обработанной в парах селена / Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Назаренко И.Н. и др // Конденсированные среды и межфазные границы. -2004. -Т.6. -№3. -С.225-228.
11.Каданцев А.В. Автоматизированная установка для ёмкостной спектроскопии полупроводников / Каданцев А.В., Котов Г.И., Левин М.Н., Татаринцев А.В., Шлык Ю.К. // ПТЭ. -2004. -№6. -С.138-139.
12. Безрядин Н.Н. Формирование наноструктур в системе Ga2Se3/GaAs / Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Арсентьев И.Н., Стародубцев А.А. // ФТП. -2005. - Т.39. -№9. -С.1025-1028.
13.Левин М.Н. Воздействие импульсных магнитных полей на спектр поверхностных электронных состояний монокристаллов арсенида галлия / Левин М.Н., Татаринцев А.В., Дронов А.С., Каданцев А.В., Котов Г.И. // Конденсированные среды и межфазные границы. – 2005. -T.7. -№ 4. –С. 353-357.
14.Татаринцев А.В. Радиационная аннигиляция дефектных комплексов в полупроводниках / Татаринцев А.В., Каданцев А.В., Котов Г.И., Гитлин В.Р., Левин М.Н. // Конденсированные среды и межфазные границы. – 2006. -T.8. -№ 4. –С. 243-245.
15.Агапов Б.Л. Электронномикроскопическое исследование наноразмерных структур GaAs(100)/(Ga2Se3)/GaAs / Б.Л. Агапов, Н.Н. Безрядин, Котов Г.И., С.В. Кузубов [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. -2007. -№12. -С.62-65.
16.Безрядин Н.Н. Пассивация поверхности арсенида галлия халькогенидом галлия / Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Кузубов С.В., Арсентьев И.Н., Тарасов И.С. и др. // Письма в ЖТФ. -2008. -T.34. -№10. -С.47-52.
17.Безрядин Н.Н. Влияние обработки в парах селена на дефекты приповерхностной области арсенида галлия. / Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, Ю.Н. Власов, А.А. Стародубцев, P.K. Bhatnagar, P.C. Mathur // Известия высших учебных заведений. - Сер. Физика, -2009. -№4, -С.72-76.
18.Безрядин Н.Н. Наноразмерный слой фазы AIII2BVI3(111) с упорядоченными вакансиями катиона на GaAs(111) и InAs(111) / Безрядин Н.Н., Г.И. Котов, С.В. Кузубов, Б.Л. Агапов // Кристаллография, -2010, -Т.55. -№5. -C.896-899.
19.Безрядин Н.Н. Кинетика и механизм образования наноструктур селенидов AIII2BVI3 на поверхности полупроводников GaAs и InAs / Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Кузубов С.В. и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. -2010. -Т.12. -№1. -С.28-35.
20.Безрядин Н.Н. Методика регистрации и анализа изотермической релаксации ёмкости полупроводниковых гетероструктур / Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, А.В. Каданцев, Л.В. Васильева, Ю.Н. Власов // ПТЭ. -2010. -№3. -С.119-122.
21.Безрядин Н.Н. Реконструкция границы раздела в наногетероструктурах Ga2Se3/GaAs(100) и In2Se3/InAs(100)/ Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, С.В. Кузубов, Я.А. Болдырева, Б.Л. Агапов // Кристаллография. -2011. -Т.56. -№3, -С.565-569.
22.Безрядин Н.Н. Структура гетерограницы Ga2Se3 – Si / Н.Н. Безрядин, Ю.В. Сыноров, Г.И. Котов, С.В. Кузубов // Конденсированные среды и межфазные границы. -2011. –Т.13. -№ 4. -С.409—412.
23.Котов Г.И. Определение толщины наноразмерных плёнок широкозонных полупроводников класса АIII2BVI3 на подложках AIIIBV / Г.И. Котов, С.В. Кузубов, Б.Л. Агапов, Панин Г.А., Н.Н. Безрядин // Конденсированные среды и межфазные границы. -2012. -Т.14. -№4. -С.428-432.
24.Котов Г.И. Установка для измерения фото-ЭДС и фототока полупроводниковых гетероструктур. / Котов Г.И., Панин Г.А., Титов С.А., Власов Ю.Н. // Вестник ВГТУ. -2012.–Т.8. –№ 8. –С.163-166.
25.Безрядин Н.Н. Влияние финишной подготовки поверхности арсенида галлия на спектр электронных состояний n-GaAs(100)/ Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Арсентьев И.Н., Власов Ю.Н., Стародубцев А.А. // ФТП –2012. -Т.46. – Вып.6. –С.756-760.
26.Безрядин Н.Н. Поверхностная фаза Ga2Se3 на GaP(111) / Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Кузубов С.В., Власов Ю.Н., Панин Г.А., Кортунов А.В., Рязанов А.Н. // Конденсированные среды и межфазные границы – 2013. -№4. –С.375-379.
27.Безрядин Н.Н. Пассивация поверхности GaP(111) обработкой в парах селена / Безрядин Н.Н., Котов Г. И., Арсентев И.Н., Кузубов С.В., Власов Ю.Н., Панин Г.А., Кортунов А.В. //. Письма в ЖТФ –2014. -Т.40. –Вып.3. –С.20-26.
Патенты
28.Патент РФ № 2319798 «Способ получения атомно-гладкой поверхности подложки арсенида галлия» / Н.Н. Безрядин, Г. И. Котов, И.Н. Арсентьев, А.А. Стародубцев, В.Д. Стрыгин // Заявл. 16.05.2006. Опубл. 20.03.2008.
29.Патент РФ № 2494493 «Способ консервации поверхности подложек из арсенида галлия» / Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, И.Н. Арсентьев, С.В. Кузубов, Ю.Н. Власов, А.В. Кортунов // Заявл. 02.04.2012. Опубл. 27.09.2013.