- методика моделирования процессов массо- и теплопереноса, позволяющая решать описывающие данные процессы линейные и нелинейные дифференциальные, интегральные, а также интегро-дифференциальные уравнения с переменными в пространстве и времени коэффициентами;
- критерии оценки пространственных и временных характеристик диффузионного процесса (время установления стационарного распределения примеси, глубина проникновения примеси в легируемую структуру, оптимальное время отжига при формировании p-n-переходов);
- возможность уменьшения или увеличения времени установления стационарного распределения примеси в среде с переменным коэффициентом диффузии по сравнению со временем установления в среде с усреднённым значением коэффициента диффузии путём соответствующего выбора закона изменения коэффициента диффузии;
- возможность управления резкостью и глубиной залегания диффузионного и им-плантационного электронно-дырочного перехода, а также однородностью распределения примеси в легированной области путём подбора соотношения между коэффициентами диффузии в двух смежных слоях многослойной полупроводниковой структуры и оптимизации продолжительности отжига;
- уширение и асимметризация распределения примеси в дельта-легированной области многослойной структуры в процессе её заращивания может быть объяснено с помощью одного процесса диффузии с учётом неоднородности многослойной структуры и/или асимметричности начального распределения;
- методика, повышающая точность оценки предельно допустимой мощности рентгеновской трубки при непрерывном и импульсном режимах излучения для стационарного и вращающегося анодов.
2.Дубков, А.А. Эффективное время установления концентрации вещества в среде со слабо неоднородным коэффициентом диффузии / А.А. Дубков, А.А. Мальцев, Е.Л. Панкратов // Журнал технической физики. – 2002. - Т.72, №11. - С. 14-18.
3.Панкратов, Е.Л. Ускорение и замедление диффузии в среде путём временной модуляции коэффициента диффузии /Е.Л. Панкратов // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. –2003. –Т.11, №2.–С.96–101.
4.Панкратов, Е.Л. Управление динамикой диффузионных процессов временным изменением коэффициента диффузии / Е.Л. Панкратов // Журнал технической физики. – 2004. –Т.74, №1. – С.115-119.
5.Pankratov, E.L. Acceleration and deceleration of dopant diffusion in a semiconductor by space and time modulation of diffusion coefficient / E.L. Pankratov // Journal of molecular liquids. - 2004. - Vol.114, №1-3. - P. 179-185.
6.Панкратов, Е.Л. Время установления распределения примеси в неоднородной среде с переменным во времени коэффициентом диффузии / Е.Л. Панкратов // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. - 2004. - Т.12, №3. - С. 35-44.
7.Pankratov, E.L. Optimization of impurity profile for p-n-junction in heterostructures / E.L. Pankratov, B. Spagnolo // European Physical Journal B.- 2005. - Vol.46, №1. - P. 15-19.
8.Pankratov, E.L. Influence of spatial, temporal and concentrational dependence of diffusion coefficient on dopant dynamics: Optimization of annealing time / E.L. Pankratov // Physical Review B. - 2005. – Vol.72, №7. - P. 075201-075208.
9.Панкратов, Е.Л. Тепловые нагрузки рентгеновских трубок с неподвижным анодом при длительных выдержках / Е.Л. Панкратов, Н.И. Чхало // Теплофизика высоких температур. - 2006. - Т.44, №5. - С. 573-581.
10.Панкратов, Е.Л. Динамика примеси при формировании p-n-переходов в неоднородных структурах. Оптимизация времени отжига / Е.Л. Панкратов // Микроэлектроника. 2007. Т.36, №1. С.37-44.
11.Pankratov, E.L. Dynamics of delta-dopant redistribution during growth of het-erostructure / E.L. Pankratov // European Physical Journal B. - 2007 - Vol.57, №3. - P. 251 -256.
12.Pankratov, E.L. Asymmetrization of spatial distribution of δ-dopants / E.L. Pankra-tov // Journal of Applied Physics. - 2007. - Vol. 101, №11. P. 114308-114316.
13.Панкратов, Е.Л. Влияние непостоянства коэффициента диффузии и растворимости примеси в многослойной структуре на распределение примеси при формировании в ней диффузионного p-n-перехода. Оптимизация длительности отжига / Е.Л. Панкратов // Журнал радиоэлектроники. 2007. №3. С.9-27.
14.Панкратов, Е.Л. Тепловые нагрузки рентгеновских трубок с вращающимся анодом в импульсном режиме излучения / Е.Л. Панкратов // Журнал радиоэлектроники. 2007. №10. С.1-20.
15.Климов, А.Ю. Экспериментальные исследования возможностей интерферометра с дифракционной волной сравнения для контроля формы оптических элементов / А.Ю. Климов, Е.Б. Клюенков, А.Л. Мизинов, Е.Л. Панкратов, В.Н. Полковников, Н.Н. Салащенко, Е.Д. Чхало, Н.И. Чхало, Н.Б. Вознесенский // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2007. №6. С. 99-103.
16.Pankratov, E.L. Influence of the inhomogeneity of a multilayer structure on the depth of an implanted-junction rectifier / E.L. Pankratov // Physics Letters A. - 2008. -Vol. 372, №1. - P. 893-897.
17.Pankratov, E.L. Redistribution of dopant, implanted in a multilayer structure for production of a p-n-junction, during annealing radiative defects / E.L. Pankratov // Physics Letters A. – 2008. - Vol. 372, №11. - P. 1897-1903.
18.Pankratov, E.L. Dynamics of radiative point defects in gallium arsenide during relaxation of local heating / E.L. Pankratov, S.V. Obolensky. // International Journal of Bifurcation and Chaos. - 2008. -Vol. 18, №9. – P. 2845-2849.
19.Pankratov, E.L. Analysis of redistribution of radiation defects with account diffusion and several secondary processes / E.L. Pankratov // Modern Physics Letters B. 2008. Vol. 22, №28. P. 2779-2779.
20.Pankratov, E.L. Redistribution of dopant during microwave annealing of a multilayer structure for production p-n-junction / E.L. Pankratov // Journal of Applied Physics. - 2008. - Vol. 103, №6. - P. 064320-064330.
21.Панкратов, Е.Л. Распределение примеси в многослойной структуре при формировании транзисторных структур / Е.Л. Панкратов // Журнал радиоэлектроники. -2008. - № 1. - С. 1-23.
22.Pankratov, E.L. Redistribution of dopant during annealing of radiative defects in a multilayer structure by laser scans for production an implanted-junction rectifiers // International Journal of Nanoscience. 2008. Vol. 7, №4-5. P. 187–197.
23.Панкратов, Е.Л. Расчет эволюции вакансионных кластеров в кремнии с учетом диффузии и вторичных процессов / Е.Л. Панкратов, Д.И. Тетельбаум // Вестник ННГУ. - 2008. - № 3. - С. 31–39.
24.Pankratov, E.L. Increasing of the sharpness of p-n-junctions in thyristor structures by optimization of inhomogeneity of doped structure and annealing time // Nano. 2009. Vol. 4, № 1. P. 31–40.
25.Pankratov, E.L. Decreasing of spatial dimension of a serial of diffused-junction rectifiers in a multilayer structures with account nonlinear effects. Optimization of annealing time // International Journal of Modern Physics B. 2009. Vol. 23, № 22. P. 4637-4653.
26.Pankratov, E.L. Synchronization of impurities infusion for production of a sequence of diffused-junction rectifiers // Nano. 2009. Vol. 4, № 3. P. 177–188.
27.Pankratov, E.L. Local doping and optimal annealing of a mesh multilayer structure for decreasing of spatial dimentions of integrated p-n-junctions // Nano. 2009. Vol. 4, № 5. P. 303-323.
28.Pankratov, E.L. Decreasing of depth of implanted-junction rectifier in semiconductor heterostructure by optimized laser annealing / E.L. Pankratov // Journal of Computational and Theoretical Nanoscience. – 2010. - Vol. 7, №1. - P. 289-295.
29.Pankratov, E.L. Optimization of near-surficial annealing for decreasing of depth of p-n-junction in semiconductor heterostructure / E.L. Pankratov // Proc. of SPIE. – 2010. -Vol. 7521, №1. - P. 75211D-1-75211D-9.
30.Pankratov, E.L. Optimization of annealing for decreasing of depth of system of serial p-n-junctions in a heterostructure. // Journal of Computational and Theoretical Nano-science. 2010. Vol. 7, №6. P. 1011–1020.
31.Pankratov, E.L. Influence of mechanical stress in a multilayer structure on spatial distribution of dopants in implanted-junction and diffusion-junction rectifiers / E.L. Pank-ratov // Modern Physics Letters B. 2010. Vol. 24, № 9. P. 867-895.
32.Панкратов, Е.Л. Уменьшение глубины залегания элементов системы имплан-тационных p-n-переходов и увеличение степени интеграции их системы оптимизацией неоднородности и отжига легируемой структуры / Е.Л. Панкратов // Журнал радиоэлектроники. - 2010. - № 6. - С. 1-29.
33.Pankratov, E.L. Influence of inhomogeneity of a multilayer structure on redistribution of infused dopant during production a bipolar transistors / E.L. Pankratov // International Journal of Nanoscience. 2010. Vol. 9, № 3. P. 159-168.
34.Pankratov, E.L. Optimization of diffusion process for production of systems of dif-fused-junction rectifiers / E.L. Pankratov // Modern Physics Letters B. 2010. Vol. 24, № 29. P. 5793-5806.
35.Pankratov, E.L. Influence of porosity of materials on redistribution of dopant during manufacturing a diffusion-junction rectifiers in semiconductor heterostructures / E.L. Pankratov // Modern Physics Letters B. 2010. Vol. 24, № 32. P. 3049-3069.
36.Pankratov, E.L. Increasing of homogeneity of dopant distribution in a p-n-junction by using an overlayers / E.L. Pankratov // Journal of Computational and Theoretical Nano-science. 2011. Vol. 8, № 2. P. 207-209.
37.Pankratov, E.L. Application of radiation processing of materials to increase sharpness of p-n-junction in a semiconductor heterostructure / E.L. Pankratov // Journal of Computational and Theoretical Nanoscience. 2011. Vol. 8, № 9. P. 1888-1894.
38.Панкратов, Е.Л. Диффузия в пористом карбиде кремния / Е.Л. Панкратов, М.Г. Мынбаева, Е.Н. Мохов, К.Д. Мынбаев // Физика твёрдого тела. - 2011. – Т. 53, № 5. - С. 885-891.
39.Pankratov, E.L. Decreasing of depth of p-n-junction in a semiconductor heterostruc-ture by serial radiation processing and microwave annealing / E.L. Pankratov // Journal of Computational and Theoretical Nanoscience. 2012. Vol. 9, № 1. P. 41-49.
40.Pankratov, E.L. Application of porous layers and optimization of annealing of dopant and radiation defects to increase sharpness of p-n-junctions in a bipolar heterotran-sistors / E.L. Pankratov // Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics. 2011. Vol. 6, № 2. P. 188-206.
41.Панкратов, Е.Л. Влияние механических напряжений в полупроводниковой ге-тероструктуре на плотность p-n-переходов / Е.Л. Панкратов // Журнал радиоэлектроники. - 2011. - № 6. - С. 1-36.
42.Decreasing of dimensions of planar field-effect transistors by using native inho-mogeneities / E.L. Pankratov // Journal of Computational and Theoretical Nanoscience. 2012. Vol. 9, № 12. P. 2166-2171.
43.Mynbaeva, M.G. Analysis of erbium and vanadium diffusion in porous silicon carbide / M.G.Mynbaeva, E.L. Pankratov, E.N. Mokhov, K.D. Mynbaev // Advances in Condensed Matter Physics. 2012. ID 439617.
44.Pankratov, E.L. Analytical approach to analysis nonlinear model of relaxation of mechanical stress in a heterostructure with porous epitaxial layer / E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva // Nanoscience and Nanotechnology Letters. 2013. Vol. 5, № 3. P. 418-426.
45.Pankratov, E.L. Decreasing of mechanical stress in a semiconductor heterostructure by radiation processing / E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva // Journal of Computational and Theoretical Nanoscience. 2014. Vol. 11, № 1. P. 91-101.
46.Pankratov, E.L. Application of native inhomogeneities to increase compactness of vertical field-effect transistors / E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva // Journal of Computational and Theoretical Nanoscience. 2013. Vol. 10, № 4. P. 888-893.
47.Pankratov, E.L. Analytical approach to model distribution of dopant in an im-planted-heterojunction rectifier with account mechanical stress / E.L. Pankratov, E.A. Bu-laeva // Physics Research International. 2013. Vol. 2013. ID 645620.
48.Pankratov, E.L. Decreasing of mechanical stress in a semiconductor heterostructure by radiation processing / E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva // Journal of Computational and Theoretical Nanoscience. Vol. 2014. Vol. 11, № 1. P. 91-101.
49.Pankratov, E.L. On the relations between porosity of heterostructured materials and mismatch-induced stress / E.L. Pankratov, E.A. Bulaeva // Journal of Computational and Theoretical Nanoscience. Vol. 2014. Vol. 11, № 2. P. 497-503.
51. Панкратов, Е.Л. Аномальное распределение германия, имплантированного в диэлектрический слой структуры КНИ, после отжига радиационных дефектов / Е.Л. Панкратов , О.П. Гуськова, М.Н. Дроздов, Н.Д. Абросимова, В.М. Воротынцев // Физика и техника полупроводников. 2014. №5. С. 631-635.
52. Панкратов, Е.Л. Оптимизация технологических режимов изготовления биполярных гетеротранзисторов / Е.Л. Панкратов // Сборник научных трудов IV Всероссийской научно-технической конференции «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем–2010». Ред. А.Л. Стемпковский. / М.: ИППМ РАН. – 2011. – С. 662-665.