- Универсальный метод аналитического решения задач эллипсометрии (для оптически прозрачных и поглощающих сред) в виде пространственной кривой, одна из проекций которой на плоскости параметров является логарифмической спиралью с переменным коэффициентом роста, что позволяет определить адекватность выбранной модели, оптические константы и толщины слоев.
- Увеличение точности метода эллипсометрии для восстановления параметров измеряемых систем путем оптимизации информативности эллипсометрических измерений, способов минимизации функционала (выбора формы функции ошибок, выбора шага итераций и момента останова) и способа формирования симплекса (при статистической обработке результатов решения).
- Метод оценки единственности решения или определения числа (семейства) решений задач эллипсометрии в заданной области параметров пленки при фиксированной и известной нормализованной толщине пленки (d/λ). Метод предсказывает, что число решений определяется числом нулей и полюсов мероморфной функции, полученной из основного уравнения эллипсометрии.
- Метод специальных номограмм для определения параметров наноразмерных пленок оксидов на полупроводниках [GaAs(llO), CdTe(lll)], диэлектриках (Si3N4) и металлах (Си, V, Ti). Объяснение зависимости толщины и состава оксидов от условий окисления, подтвержденное независимыми методами анализа поверхности.
- Графоаналитический метод построения номограмм для восстановления двух независимых параметров (толщины de и коэффициента заполнения q) из четырех (nе, ке, dе, q, полностью описывающих гетерогенную пленку диэлектриков, полупроводников и металлов.
- Метод имитационного моделирования поверхности с вытравленным нерегулярным рельефом, позволяющий объяснить: а) ограничения на точность измерения оптических констант; б) общие закономерности (наличие экстремумов в зависимостях Ψ(фо) и А(фо), обусловленных интерференцией отраженного и рассеянного света) и в) существенные отличия (в магнитуде и ширине экстремумов и их количестве) для поляризации света, отраженного от модельной поверхности диэлектриков и металлов.
- Неразрушающий бесконтактный высокочувствительный метод диагностики, разработанный на базе двух методов: метода параметризации диэлектрической функции (на основе зонной теории твердого тела) и метода эквивалентной пленки (на основе принципа аддитивности) для определения параметров наноразмерных пленок high-k dielectric и пленок в гетероструктурах, содержащих сверхрешетку, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией для изготовления транзисторов гигагерцового диапазона.
2.Ржанов А. В., Свиташева С. Н., Свиташев К. К., Соколов В. К.. Ашкеров Ю. В., Осадчев Л. А., Цеснек Л. С. Эллипсометрический метод определения качества обработки поверхности. -//Доклады Академии Наук СССР. 1982, т. 267, № 2, с. 373.
3.Свиташева С.Н., Свиташев К.К., Семенов Е.В., Васильев А.Г. Изменение эллипсометрических параметров в зависимости от механической обработки поверхности.- //Поверхность. Физика, химия, механика, 1983, №12, с.64.
4.Ржанов А. В., Свиташева С. Н., Свиташев К. К. Графический метод интерпретации результатов эллипсометрических измерений на шероховатых поверхностях.-// Доклады Академии Наук СССР,- 1983, 273, N5, с. 1123-1126.
5.Свиташева С.Н., Любинская Р.И., Свиташев К.К. Исследование процесса формирования пленки естественного окисла на поверхности меди методом эллипсометрии.-//Поверхность. Физика, химия, механика, № 11, 1986, с. 80-85.
6.Брагинский Л. С, Гилинский И. А, Свиташева С.Н. Отражение света шероховатой поверхностью: интерпретация эллипсометрических измерений.- //Доклады Академии Наук СССР, -1987, 293, №5, с. 1097-1102.
7.Галицын Ю. Г., Петренко И. П., Свиташева С. Н. Исследование кинетики образования и состава окисла на сколотой поверхности GaAs (110).-//Поверхность. Физика, химия, механика, № 11, 1987, с. 51-58.
8.Свиташева С. Н. Точное решение обратной задачи эллипсометрии для поглощающих пленок, -//Доклады Академии Наук СССР, 1991, 318, № 5, с. 1154-1158.
9.Воскобойников Ю. Е., Свиташева С. Н. Точность восстановления параметров и обусловленность обратной задачи эллипсометрии. Часть!, -//Автометрия, 1992, 4, с. 76.
10.Воскобойников Ю. Е., Свиташева С. Н. Точность восстановления параметров и обусловленность обратной задачи эллипсометрии. Часть II; -/Автометрия, 1992, 4, с. 81.
11.Воскобойников Ю. Е., Лантюхова Е. В., Свиташева С. Н. Однозначность, устойчивость и независимость решения обратной задачи эллипсометрии; -//Автометрия, 1994, №4, с. 91.
12.Воскобойников Ю. Е., ПетуховаЕ. В., Свиташева С. Н. Эффективный алгоритм решения обратной задачи эллипсометрии при исследовании тонких пленок. - //Автометрия, 1996, 4, с. 110-119.
13.Свиташева С. Н. Особенности решения обратной задачи эллипсометрии для сильно поглощающих пленок.- //Автометрия, 1996, №4, с. 119-126.
14.Gritsenko V. A., Novikov Yu. N, Petrenko I. P., Svitasheva S. N., and Wong H. Enriching of the Si3N4 -thermal oxide interface by excess Silicon in ONO structures. -//Microelectronic Engineering, 1997, 36, 123.
15.Polovinkin V. G., Svitasheva S. N. The analysis of general ambiguities of the inverse ellipsometric problem. -//Thin Solid Films, 1998, 313-314 , P.128-131
16.Svitasheva S. N., Kruchinin V. N. Spectral dependence of the complex refractive index shift across the semiconductor-metal transition in thermally- oxidized Vanadium. -//Thin Solid Films, 1998, 313-314, 319-322.
17.Gritsenko V. A., Petrenko I. P., Svitasheva S. N., and Wong H. Excess Silicon at Si3N4-SiO2 Interface. -//Appl. Phys. Lett, 1998, 72, №4, p.462-464,.
18.Gritsenko V. A., Morokov Yu. N, Novikov Yu. N., Petrenko I. P., Svitasheva S. N., Kwok R., Chan R., Wong H. Characterization of the Silicon Nitride - Thermal Oxide Interface in ONO Structures by ELS Spectroscopy and Ellipsometry. - //Microelectronics and Reliability, 1998, 38. P.745-751.
19.Половинкин В. Г., Свиташева С. Н Определение числа решений обратной задачи эллипсометрии в заданной области параметров. - //Автометрия, 1999, №4, с. 94-103.
20.Gritsenko V. A., Svitasheva S. N., Petrenko I. P., Wong Hei, Xu J. B., and Wilson I. H. Study of excess silicon at Si3N4 / Thermal SiO2 Interface using EELS and Ellipsometric Measurements, -// Journal of Electrochemical Society, 1999, 146 (2) 780-785.
21.Badmaeva I.A., Repinskij S.M., Sveshnikova L.L., Khapov Y.I., Kruchinin V.N., Svitasheva S.N., Tereshchenko O.E., Yanovskij Y.A. Photolysis of Langmuir-Blodgett films containing lead. silver, and cooper behenates.-// Journal of Physical Chemistry A(75) 2001, pp. 828-833.
22.Sharafutdinov, R., Khme, S., Semenova, O., Svitasheva, S., Bilyalov, R., Poortmans, J. A new high-rate deposition method for thin film crystalline Si solar cells.-// Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2002, pp. 1178-1181.
23.Nastaushev Yu. V., Prinz V. Ya., Svitasheva S.N. A technique for fabrication Au/Ti micro- and nanotubes.-//Nanotechnology, 2005, 16, p. 908-912.
24.Naumova O. V., Nastaushev Y.V., Svitasheva S. N., Sokolov L. V., Werner Peter, Zakharov N. D., Gavrilova T. A., Dultsev F. N., Aseev A. L. Properties of Silicon Nanowhiskers Grown by Molecular-Beam Epitaxy. -AIP Conference Proceeding, 2007, 893, p. 793-740.
25.Свиташева С. Н. Определение оптических констант МЛЭ пленок GaAs n-типа в спектральном диапазоне 1.5-4.75 эВ.-//Автометрия, 2007, 43, № 6, стр. 108-115,.
26.Mansurov V.G., Nikitin A.Yu., Galitsyn Yu.G., Svitasheva S. N., Zhuravlev K.S., Osvath Z., Dobos L., Horvath Z.E., Pecz B. A1N growth on sapphire substrate by ammonia MBE.-//Journal of Crystal Growth , 2007, 300 , P.145-150.
27.Naumova O. V., Nastaushev Yu. V., Svitasheva S. N., Sokolov L. V., Zakharov N. D., Werner P., Gavrilova T. A., Dultsev F. N. and Aseev A. L. MBE-grown Si whisker structures: morphological, optical and electrical properties. - //Nanotechnology -2008, 19, 225708, P. 1-5.
28.Svitasheva S. N., Gritsenko V. A., Kolesov B. A. Optical properties of ТЮ2 films made by air oxidation of Ti.-// Phys. Status Solidi (c) 2008, 5, №5, p. 1101-1104; /DOI 10.1002/pssc.200777731.
29.Svitasheva S. N, Mansurov V. G., Zhuravlev K. S., Nikitin A. Yu., Sheglov D. V., and Pecz B. Correlation between optical properties of MBE films of A1N and morphology of their surface.-//Phys. Status Solidi (a) -2008, 205, № 4, P.941-944.
30.Svitasheva S.N. Optical Constants of MBE n-type GaAs Films doped by Si or Те.-// JEMAA, Vol.2, No. 6, 2010, p.357-361 DOI: 10.4236/jemaa.2010.26046.
31.Svitasheva S.N. Random Phase Mask as Model of rough surface. Part I Theory-//Thin Solid Films v. 519 2011, p.2718-2721; DOI information: 10.1016/j.tsf.2010.11.070. Svitasheva S.N. Random Phase Mask as Model of rough surface. Part II Experiment-// Thin Solid Films v. 519 2011, p.2722-2724; DOI information: 10.1016/j.tsf.2010.11.067.
33.Dultsev F.N., Svitasheva S.N., Nastaushev Yu.V., Aseev A.L. Ellipsometric investigation of the mechanism of the formation of titanium oxynitride nanolayers.- //Thin Solid Films, 519, 2011, p.6344-6348; Doi: 10.1016/j.tsf.2011.04.034.
34.Свиташева С.Н., Поздняков Г.А., Щеглов Д.В., Настаушев Ю.В. Оптические свойства и морфология алмазоподобных углеродных пленок, полученных в сверхзвуковом потоке плазмы.-// Автометрия 2011, т.47 №5 стр.59-66.
35.Свиташева С.Н., Журавлев К.С. Зависимости оптических характеристик пленок AlxGai_xN от состава и полярности поверхности. - //Автометрия 2011, т.47 №5 стр.82-87.
37.Свиташева С. Н., Поздняков Г. А., Настаушев Ю.В. Cвойства алмазоподобных пленок, выращенных в сверхзвуковом потоке углеводородной плазмы.-// Proceedings of The First International Conference “Development of nanotechnologies”, p. 124-126, 2012.
38.Svitasheva S. N. Experimental Study of Polarization Properties of Rough Surface.-// Electrical and Electronic Engineering, Vol. 2, No. 6, p. ,2012.
39.Svitasheva S. N. Optimization of maximum VO2 content in polymorphous oxides of vanadium.-// Key Engineering Materials, Vol. 538, p. 113-116, 2013.
40.Svitasheva S.N., Pozdnyakov G. A. Monitoring of technological conditions for preparing DLC films in supersonic flow of a hydrocarbonic plasma. // Key Engineering Materials, Vol. 538, p. 281-284, 2013.
41.Svitasheva S. N, Gilinsky A.M. Influence of doping level on shift of absorption edge of gallium nitride films (Burstein-Moss effect).-//Appl. Surf. Sci., Vol. 281, p. 109-112, (2013); http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2013.02.094.
42.Svitasheva S.N. Optical properties of Si nano-whisker structures grown by MBE technique: impact of Ti metallization and nitrogen plasma treatment.-//Известия АлтГУ, 1/1, с. 189, 2013.
43.Svetlana Svitasheva. Modeling Methods of Optical Inhomogeneous Structures. Application of ellipsometry. // Lambert Academic Publishing, 2013, Book pp.1-112.