Научная тема: «ГЕНЕРАЦИЯ И ИЗЛУЧЕНИЕ СВЕРХШИРОКОПОЛОСНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ СИГНАЛОВ И ИХ ВОЗДЕЙСТВИЕ НА ЭЛЕМЕНТНУЮ БАЗУ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ»
Специальность: 01.04.03
Год: 2013
Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:
  • результаты теоретических и экспериментальных исследований эффектов обратимой деградации при воздействии сверхширокополосных импульсов нано и субнаносекундной длительности на полевые транзисторы и элементы цифровой КМОП-логики;
  • физические механизмы обратимой деградации при воздействии сверхширокополосных импульсов нано и субнаносекундной длительности на полевые транзисторы и элементы цифровой КМОП-логики;
  • методы и критерии отбора элементной базы радиоэлектронных систем устойчивой к воздействию сверхширокополосных импульсных помех нано и субнаносекундной длительности;
  • математические модели, учитывающие эффекты обратимой деградации характеристик полевых транзисторов с затвором Шоттки при воздействии импульсных помех нано и субнаносекундной длительности;
  • модель диода с накоплением заряда, результаты теоретического и экспериментального исследования процессов генерации импульсных сигналов нано и субнаносекундной длительности, методы и схемотехнические решения для улучшения параметров генерируемых импульсных сигналов;
  • метод компенсации искажений излученного СКИ и синтеза импульсных сигналов произвольной формы в дальней зоне.
Список опубликованных работ
Статьи в журналах из перечня ВАК

1.Бобрешов А.М. Моделирование деградационных процессов в полевом транзисторе под воздействием импульсных помех большой амплитуды / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Вестн. Воронеж. гос. ун–та. Сер. Физика. Математика. – Воронеж, 2006. – № 1. – С. 10–16.

2.Бобрешов А.М. Определение параметров структурных моделей транзистора по экспериментальным данным / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Вестн. Воронеж. гос. ун–та. Сер. Физика. Математика. – Воронеж, 2006. – № 2. – С. 19–23.

3.Бобрешов А.М. Исследование обратимых отказов GaAs ПТШ при импульсных перегрузках / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2006. – № 5. – С. 69–77.

4.Бобрешов А.М. Характеристики помехозащищенности полевого транзистора в условиях действия импульсных помех большой амплитуды / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Вопросы радиоэлектроники. Сер. Радиолокационная техника. – М., 2007. – № 1. – С. 31–45.

5.Бобрешов А.М. Экспериментальное исследование обратимой деградации GaAs ПТШ под действием сверхкоротких видеоимпульсов / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. – 2007. – Т. 10, № 1. – С. 104–111.

6.Бобрешов А.М. Механизмы обратимых отказов GaAs ПТШ при мощных импульсных воздействиях / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. – 2008. – Т. 11, № 3. – С. 60–68

7.Бобрешов А.М. Оптимизация геометрических размеров ТЕМ–рупорной антенны для излучения сверхкоротких импульсов / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Антенны. – 2009. – №6. – С. 80–83.

8.Бобрешов А.М. Обратимые отказы HEMT–транзисторов под действием сверхкоротких видеоимпульсов / А.М. Бобрешов, М.П. Ряполов, Г.К. Усков // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. – 2009. – Т. 12, № 1. – С. 62–67.

9.Бобрешов А.М. Экспериментальное исследование стойкости интегральных триггеров Шмитта КМОП–логики к сверхкоротким импульсным перегрузкам / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Измерительная техника, – 2009 г. –№12. – С.46–50.

10.Бобрешов А.М. Деградация интегральных триггеров Шмитта КМОП– логики под воздействием сверхкоротких импульсных перегрузок / А.М. Бобре-шов, Г.К. Усков [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника, – 2009. – №6. – С.28–36.

11.Бобрешов А.М. Хаотические системы связи с нелинейным подмешиванием в присутствии помех / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Физика волновых процессов и радиотехнические системы, – 2009. – Т.12. – №3, – С.63–68.

12.Бобрешов А.М. Уменьшение интермодуляционных искажений во входном радиоприемном тракте / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2010. – Т. 53, № 12. – С. 40–45.

13.Макаров Е.С. Компактный крестообразный сверхширокополосный монополь с копланарной запиткой и улучшенными характеристиками диаграммы направленности / Е.С. Макаров, Г.К. Усков // Вестник воронежского государственного технического университета, – 2011. – №7. – С. 91–94.

14.Бобрешов А.М. Воздействие сверхкоротких импульсных перегрузок на ПТШ, изготовленные на полуизолирующих подложках из разных партий / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Вестник Воронежского государственного университета. Сер. Физика. Математика. – Воронеж, – 2011. – № 1. – С. 12–16.

15.Бобрешов А.М. Анализ ТЕМ–рупорной антенны с помощью метода конечных разностей во временной области / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Антенны. – 2011. – №4. – С. 60–63.

16.Бобрешов А.М. Характеристики электромагнитной совместимости ма-лошумящего усилителя на полевом транзисторе с затвором Шоттки при воздействии сверхкоротких импульсных помех / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – Киев, 2011. – Т. 53. № 12. – С.41–46.

17.Бобрешов А.М. Генерация сверхкоротких импульсных сигналов / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. – 2011. – Т. 14, № 3. – С. 103–108.

18.Бобрешов А.М. Автоматизированный измерительный стенд для оценки стойкости радиоэлектронной аппаратуры к воздействию сверхкоротких импульсных помех / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиотехника, – 2011. –№8. – С. 54–57.

19.Бобрешов А.М. Влияние концентраций глубоких уровней в полуизолирующих подложках на электроперегрузки GaAs ПТШ / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиотехника, – 2012 г. – №5. – C. 99–102.

20.Бобрешов А.М. Построение модели излучения сверхкоротких импульсов сверхширокополосным ТЕМ–рупором с помощью метода конечных разностей во временной области / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиотехника, – 2012. – №8. – С. 49–54.

21.Бобрешов А.М. Оптимизация угла раскрыва ТЕМ–рупора для эффективного излучения сверхкоротких импульсов / А.М. Бобрешов, И.И. Мещеряков, Г.К. Усков // Радиотехника и Электроника. – 2012. – Т.57. – №3. – С. 320.

22.Бобрешов А.М. Модель диода с накоплением заряда для анализа схем генерации сверхкоротких импульсов / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Вестник Воронежского государственного университета. Сер. Физика. Математика. – Воронеж, 2012. – № 2. – С. 12–17.

23.Бобрешов А.М. Компенсация искажений формы сверхкоротких импульсов электромагнитного поля в дальней зоне с помощью антенной решетки / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Вестник Воронежского государственного университета. Сер. Физика. Математика. – Воронеж, 2012. – № 2. – С. 18–25.

24.Бобрешов А.М. Схема компенсации искажений формы сверхкоротких импульсов электромагнитного поля, излучаемых сверхширокополосной антенной / А.М. Бобрешов, И. И. Мещеряков, Г.К. Усков // Радиотехника и электроника, – 2013, – Т. 58, № 4. – С. 330–336.

25.Бобрешов А.М. Оптимизация геометрических параметров ТЕМ–рупора для излучения сверхкоротких импульсов в составе антенной решетки с управляемым положением главного лепестка / А.М. Бобрешов, И. И. Мещеряков, Г.К. Усков // Радиотехника и электроника, – 2013. – Т. 58, № 3. – С. 233–337.

26.Усков Г.К. Физика диодов с накоплением заряда при генерации сверхкоротких импульсных сигналов / Г.К. Усков // Теория и техника радиосвязи, – 2012. – № 4. – С. 100–105.

27.Бобрешов А.М. Влияние сверхширокополосной помехи с высокой пиковой мощностью на функционирование малошумящих GaAs ПТШ / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиотехника, – 2013. – №4. – С. 54-57

Патенты:

28.Бобрешов А.М. Генератор субнаносекундных импульсов : пат. 2457615 Рос. Федерация : МПК Н 03 К 3/33 / А.М. Бобрешов, Ю.И. Китаев, Г.К. Усков ; заявитель и патентообладатель ФГБОУ ВПО ВГУ .— № 2010129401; заявл. 15.07.2010 ; опубл. 27.07.2012, Бюл. №21 .— 9 с.

29.Бобрешов А.М. АИК ЭМС 3.6.2: свидетельство. 2013611752 / Воронеж. гос. ун-т; А.М. Бобрешов, И.С. Коровченко, В.А. Степкин, Г.К. Усков. - 2013. (№2012660891; заявл. 11.12.2012 ; опубл. 20.03.2013)

30.Бобрешов А.М. Программа электродинамического моделирования RFDTD3D: свидетельство. 2012660468 / Воронеж. гос. ун-т; А.М. Бобрешов, П.А. Кретов, И.И. Мещеряков, Г.К. Усков. - 2013. (№ 2012618063; заявл. 26.09.2012 ; опубл. 21.11.2012)

Труды Международных и Всероссийских конференций и другие издания:

31.Бобрешов А.М. Метод и устройство испытаний стойкости полевых транзисторов к импульсным перегрузкам / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XII Международ. науч.-техн. конф. - Воронеж, 2006.- Т. 2. - С. 1237-1243.

32.Бобрешов А.М. Распространение биполярных импульсов субнаносе-кундной длительности / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XIII Междунар. науч.-техн. конф. - Воронеж, 2007.- Т. 2. - С. 702-705.

33.Бобрешов А.М. Воздействие субнаносекундных импульсов на аналоговые и цифровые устройства / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Физика и технические приложения волновых процессов: VI Междунар. науч.-техн. конф. -Казань, 2007.- С. 223-224.

34.Бобрешов А.М. Деградация HEMT-транзисторов на GaAs под действием сверхкороткой длительности / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // 62 Научная сессия, посвященная Дню радио: труды.- М., 2007.- С. 225-227.

35.Бобрешов А.М. Исследование помехозащищенности малошумящих усилителей на основе ПТШ к воздействию сверхкоротких видеоимпульсов / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Сборник докладов 10-й Российской научно-технической конференции по электромагнитной совместимости технических средств и электромагнитной безопасности: ЭМС-2008.- СПб., 2008.- С. 307-311.

36.Бобрешов А.М. Излучение сверхкоротких импульсов с помощью ТЕМ-рупорной антенны / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XIV Междунар. науч.-техн. конф.- Воронеж, 2008.- Т. 1. - С. 724-728

37.Бобрешов А.М. Исследование влияния партии подложки на параметры GaAs ПТШ при воздействии сверхкоротких видеоимпульсов / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии: 18-я Междунар. Крымская конф.: материалы конф. - DOI: 10.1109/CRMICO.2008.4676551. -М.; Киев; Минск; Севастополь, 2008.- Т. 2. - С. 672-673.

38.Bobreshov A.M. Substrate batch effect in GaAs MESFET under ultra-short pulses / A.M. Bobreshov, G.K. Uskov [et al] // IEEE, Electromagnetic Compatibility, 2009 20th International Zurich Symposium on Volume , Issue , 12-16 Jan. –DOI: 10.1109/EMCZUR.2009.4783472. – 2009. – P. 389 - 392.

39.Бобрешов А.М. Определение параметров модели диода с накоплением заряда по экспериментальным данным / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XVII Междунар. науч.-техн. конф. - Воронеж, 2011.Т. 1. - С. 802-810.

40.Бобрешов А.М. Совместное моделирование генератора сверхкоротких импульсов и планарного дипольного излучателя / А.М. Бобрешов, Г.К. Усков [и др.] // Радиолокация, навигация, связь: XIX Международная научно-техническая конференция, г. Воронеж, 16-18 апр. 2013 г. - Воронеж, 2013.- Т. 2. - С. 967-970.