- Систематизация и классификация артефактов топографических изображений в атомно-силовой микроскопии служит основой для правильной интерпретации изображений и получения адекватной информации о самом объекте исследования, а не о приборе.
- Разработанная система метрических и фрактальных параметров, рассчитанных по АСМ-данным, и методики количественного анализа шероховатости позволяют расширить информацию о рельефе поверхности различных материалов, выявить скрытую анизотропию и периодичность структуры поверхности в нанометровом диапазоне размеров.
- Специализированный метрологический комплекс на основе чистых зон с расширенными функциями по управлению искусственным климатом и повышенной виброзащитой обеспечивает оптимальные условия для проведения измерений методом атомно-силовой микроскопии и снижает вероятность появления артефактов изображений.
- Комплексное использование методов и методик мультимодовой атомно-силовой микроскопии повышает достоверность интерпретации контраста топографических изображений зарядово-неоднородной поверхности и позволяет разделить элементы рельефа и доменной структуры в случае сегнетоэлектрических кристаллов.
- Разработанная методика АСМ-исследования нанорельефа атомарно-гладкой поверхности естественного скола (010) сегнетоэлектрических кристаллов семейства триглицинсульфата дает возможность оценивать степень дефектности структуры кристаллов в объеме.
А2. Белугина Н.В. Исследование микрорельефа поверхности кристаллов сегнетоэлектриков ТГС и Rb2ZnCl4 методом атомно-силовой микроскопии./ Белугина Н.В., Толстихина А.Л. // Кристаллография. – 1996. – Т.41. – №6. – С.1072-1076.
А3. Толстихина А.Л. Исследование поверхности пленок SnO2 методами ДЭВЭО и АСМ. / Толстихина А.Л. // Изв. РАН. Сер. физ. – 1997. – Т.61. – №10. – С.1925-1930.
А4. Арутюнов П.А. Сканирующая зондовая микроскопия (туннельная и силовая) в задачах метрологии наноэлектроники. / Арутюнов П.А., Толстихина А.Л. // Микроэлектроника. – 1997. – Т.26. – №6. –С.426-439.
А5. Арутюнов П.А. Конструктивные и электрофизические характеристики датчиков силы в атомно-силовой микроскопии. / Арутюнов П.А., Толстихина А.Л. // Микроэлектроника. – 1998. – Т.27. – № 4. – С.304-316.
А6. Арутюнов П.А. Параметры шероховатости по данным измерений атомно-силового микроскопа. / Арутюнов П.А., Толстихина А.Л., Демидов В.Н. // Микроэлектроника. –1998. – Т.27. – С.431-439.
А7. Арутюнов П.А. Феноменологическое описание характеристик поверхности, измеряемых методом атомно-силовой микроскопии. / Арутюнов П.А., Толстихина А.Л. // Кристаллография. – 1998. – Т.43. – №3. – С.524-534.
А8. Арутюнов П.А. Система параметров для анализа шероховатости поверхности материалов в сканирующей зондовой микроскопии. / Арутюнов П.А., Толстихина А.Л., Демидов В.Н. // Законодательная и прикладная метрология. –1998. –№5. – С.14-20.
А9. Беляев В.В. Строение упорядоченных полиэлектролитных пленок по данным атомно-силовой микроскопии и рентгеновской рефлектометрии. / Беляев В.В., Толстихина А.Л., Степина Н.Д., Каюшина Р.Л. // Кристаллография. –1998. – Т.43. – №1. – С.134-138.
А10.Степина Н.Д. Структура пленок Ленгмюра-Блоджетт на основе ацетовалератов целлюлозы. / Степина Н.Д., Толстихина А.Л., Клечковская В.В., Беляев В.В., Фейгин Л.А., Хрипунов А.К., Лаврентьев В.К., Баклагина Ю.Г., Волков А.Я. // Изв. РАН. Сер. физ. – 1998. –Т.62. – №3. – С.492-495.
А11. Арутюнов П.А. Система параметров для анализа шероховатости и микрорельефа в сканирующей зондовой микроскопии./ Арутюнов П.А., Толстихина А.Л., Демидов В.Н. // Заводская лаборатория. – 1999. – Т.65. – №9. – С.31-41.
А12. Арутюнов П.А. Феноменологические характеристики для анализа шероховатости и микрорельефа поверхности материалов в сканирующей зондовой микроскопии. / Арутюнов П.А., Демидов В.Н., Щеглов Е.Г., Красивский И.Н., Толстихина А.Л., Гайнутдинов Р.В. // Изв. ВУЗов. Электроника. –1999. –№6. – С.89-94.
А13. Арутюнов П.А. Атомно-силовая микроскопия в задачах проектирования приборов микро- и наноэлектроники.(Обзор) Ч.1./ Арутюнов П.А., Толстихина А.Л. // Микроэлектроника. – 1999. –Т.28. – №6. – С.405-414.
А14. Арутюнов П.А. Атомно-силовая микроскопия в задачах проектирования приборов микро- и наноэлектроники. (Обзор) Ч.2./ Арутюнов П.А., Толстихина А.Л. // Микроэлектроника. – 2000. – Т.29. – №1. – С. 13-22.
А15. Белугина Н.В. Исследование топографии поверхности и доменной структуры кристаллов ТГС с различной степенью дефектности методом атомно-силовой микроскопии. / Белугина Н.В., Толстихина А.Л., Шикин С.А. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2000. – №2. – С.22-26.
А16. Степина Н.Д. Структура пленок Ленгмюра-Блоджетт на основе амфифил–полимерных комплексов. / Степина Н.Д., Толстихина А.Л., Клечковская В.В., Фейгин Л.А., Тальрозе Р.В., Лебедева Т.Л., Шандрюк Г.А. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2000. – №2. –С.27-29.
А17. Толстихина А.Л. Исследование морфологии пленок TiO2 методом атомно-силовой микроскопии. / Толстихина А.Л., Арутюнов П.А. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2000. – №7. – С.67-70.
А18. Каюшина Р.Л. Формирование и структурное исследование пленок иммуноглобулина М на твердых подложках. / Каюшина Р.Л., Толстихина А.Л., Степина Н.Д., Беляев В.В., Лапук В.А., Варламова Е.А. // Кристаллография. – 2000. – № 6. – С.1085-1090.
А19. Tolstikhina A.L. AFM Characterization of domain structure of ferroelectric TGS crystals on a nanoscale. / Tolstikhina A.L., Belugina N.V., Shikin S.A. // Ultramicroscopy. – 2000. – V.82. – P.149-152.
А20. Арутюнов П.А. Атомно-силовой микроскоп – универсальное средство измерения физических величин в мезоскопическом диапазоне длин. / Арутюнов П.А., Толстихина А.Л. // Датчики. – 2000. – №4. –С.39-48.
А21. Белугина Н.В. Исследование влияния внешних воздействий на поверхность кристаллов триглицинсульфата методом атомно-силовой микроскопии. / Белугина Н.В., Толстихина А.Л. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. –2000. – №6. – С.72-78.
А22. Толстихина А.Л. О природе двумерных образований на полярной поверхности скола кристаллов ТГС. / Толстихина А.Л., Белугина Н.В., Гайнутдинов Р.В. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2000. – №12. – С.19-22.
А23. Арутюнов П.А. Определение пространственных параметров поверхности материалов по данным измерений трансформант Фурье в атомно-силовой микроскопии. / Арутюнов П.А., Толстихина А.Л. // Микроэлектроника. 2000. – Т.29. – № 6. – С.453-457.
А24. Belugina N.V. About the nature of two-dimensional formations at the polar surface of cleaved triglycine sulfate crystals. / Belugina N.V., Tolstikhina A.L., Gainutdinov R.V. // Ferroelectrics. – 2001. – V.249 (3-4). – P.237-255.
А25. Белугина Н.В. Особенности строения полярной поверхности скола (010) сегнетоэлектрического кристалла ТГС по данным атомно-силовой микроскопии. / Белугина Н.В., Толстихина А.Л. // Кристаллография. – 2001. – Т.46. – № 5. – С.924-929.
А26. Feigin L.A. On the supramolecular organization of Langmuir-Blodgett cellulose acetovalerate films / Feigin L.A., Klechkovskaya V.V., Stepina N.D., Tolstikhina A.L., Khripunov A.K., Baklagina Yu.G., Volkov A.Ya., Antolini R. // Colloids and Surfaces A. – 2002. –V.198-200. – P.13-19.
А27. Ковальчук М.В. Атомно-силовая микроскопия в исследовании морфологии поверхности кристаллов и пленок / Ковальчук М.В., Толстихина А.Л. / Физика кристаллизации. К 100-летию Г.Г. Леммлейна. Сб. серии "Проблемы кристаллографии". М.: Наука, 2002. С.317-350.
А28. Толстихина А.Л. Об использовании естественной поверхности скола кристаллов со спайностью для калибровки пьезосканера атомно-силового микроскопа. / Толстихина А.Л., Белугина Н.В., Гайнутдинов Р.В. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2003. –№ 3. – С.51-56.
А29. Сорокина К.Л. Модификация атомно-силовой микроскопии для изучения электрических свойств кристаллов и пленок. Обзор. / Сорокина К.Л., Толстихина А.Л. // Кристаллография. – 2004. – Т.49. – №3. – С.541-565.
А30. Степина Н.Д. Особенности формирования пленок Ленгмюра-Блоджетт из растворов гребнеобразных полимеров. / Степина Н.Д., Клечковская В.В., Янусова Л.Г., Фейгин Л.А., Толстихина А.Л., Склизкова В.П., Хрипунов А.К., Баклагина Ю.Г., Кудрявцев В.В. // Кристаллография. – 2005. –Т.50. – №4. – С.665-675.
А31. Сорокина К.Л. Возможности атомно-силовой микроскопии для исследования электрических свойств поверхности. Обзор. / Сорокина К.Л., Толстихина А.Л. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2006. – № 9. – С.32-43.
А32. Гайнутдинов Р.В. О некоторых особенностях АСМ изображений сегнетоэлектрических доменов в кристаллах ТГС. / Гайнутдинов Р.В., Белугина Н.В., Толстихина А.Л. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2006. – №9. – С.15-19. А33. Гайнутдинов Р.В. АСМ исследование структурообразования в ЛБ-пленках преполимера полиимида./ Гайнутдинов Р.В., Толстихина А.Л., Степина Н.Д., Мазурова О.М., Волков В.В., Склизкова В.П., Баклагина Ю.Г., Кудрявцев В.В. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2006. – №12. – С.53-58.
А34. Zanaveskin M.L. The surface roughness investigation by the atomic force microscopy, Х-ray scattering and light scattering. / Zanaveskin M.L., Grishchenko Yu.V., Tolstikhina A.L., Asadchikov V.E., Roshchin B.S., Azarova V.V. // SPIE – 2006. – V. 6260. – Р. 62601(A-1) – 62601(A-9);
А35. Занавескин М.Л. Исследование шероховатости поверхности методами атомно-силовой микроскопии, рентгеновского рассеяния и дифференциального рассеяния света./ Занавескин М.Л., Занавескина И.С., Рощин Б.С., Асадчиков В.Е., Кожевников И.В., Азарова В.В., Грищенко Ю.В., Толстихина А.Л. // Вестник московского университета. Серия 3. Физика. Астрономия. – 2006. – №.3. – С.80-82.
А36. Гайнутдинов Р.В. Критерии идентификации сегнетоэлектрических доменов в кристаллах ТГС по АСМ изображениям. / Гайнутдинов Р.В., Белугина Н.В., Толстихина А.Л., Лысова О.А. // Кристаллография. – 2007. – Т.52. – № 2. – С.348-353.
А37.Толстихина А.Л. Специфические артефакты топографических изображений диэлектрических материалов в атомно-силовой микроскопии. / Толстихина А.Л., Гайнутдинов Р.В., Занавескин М.Л., Сорокина К.Л., Белугина Н.В., Грищенко Ю.В. // Кристаллография. – 2007. – Т.52. – №5. – С.939-946.
А38. Занавескин М.Л. Связь шероховатости подложки с потерями света на интерференционных зеркальных покрытиях./ Занавескин М.Л., Рощин Б.С., Грищенко Ю.В., Азарова В.В., Асадчиков В.Е., Толстихина А.Л. // Кристаллография. – 2008. – Т.53. – №4. – С.730-736.
А39. Белугина Н.В. Атомно-силовая микроскопия поверхности зеркального скола дефектных кристаллов ТГС. / Белугина Н.В., Гайнутдинов Р.В., Толстихина А.Л. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2008. – №.9. – С.9-13.
А40. Толстихина А.Л. Специфика исследований поверхности диэлектриков методом атомно-силовой микроскопии. / Толстихина А.Л., Гайнутдинов Р.В., Занавескин М.Л., Сорокина К.Л., Белугина Н.В., Грищенко Ю.В. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2008. – №9. – С.48-52.
А41. Gaynutdinov R.V. Multimode atomic force microscopy of triglycine sulfate crystal domains structure. / Gaynutdinov R.V., Belugina N.V., Tolstikhina A.L., Lysova O.A. // Ferroelectrics. – 2008. – V.368 (1). – P.42-48.
А42. Толстихина А.Л. Чистые боксы с искусственным климатом для атомно-силовой микроскопии: новые возможности для диагностики наноразмерных объектов. / Толстихина А.Л., Гайнутдинов Р.В., Занавескин М.Л., Сорокина К.Л., Белугина Н.В., Грищенко Ю.В., Шестаков В.Д. // Микроэлектроника. – 2009. – №2– С.122-129.
А43. Овчинникова Г.И. АСМ–исследование микроволнового воздействия на водородосодержащий сегнетоэлектрик триглицинсульфат. / Овчинникова Г.И., Солошенко А.Н., Белугина Н.В., Гайнутдинов Р.В., Толстихина А.Л. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2009. – №10. – С.24-28.
А44. Толстихина А.Л. Электричество под микроскопом. / Толстихина А.Л., Сорокина К.Л., Белугина Н.В., Гайнутдинов Р.В. // Природа. – 2009. – №4. – С.18-27.
А45. Грищенко Ю.В. Влияние рельефа подложки на формирование многослойного пленочного покрытия./ Грищенко Ю.В., Занавескин М.Л., Толстихина А.Л. // Кристаллография. – 2010. – Т.55. – №1. – С.1269-1275. А46.Белугина Н.В. Нанорельеф естественного скола кристаллов триглицинсульфата с примесями замещения и внедрения. / Белугина Н.В., Гайнутдинов Р.В., Ломакова Е.М., Толстихина А.Л., Долбинина В.В., Сорокина Н.И., Алексеева О.А. // Кристаллография. – 2011. – Т.56. – №3. – С.373-379
Патенты
АП1.Способ калибровки пьезосканера атомно-силового микроскопа / Толстихина А.Л., Белугина Н.В., Гайнутдинов Р.В. // Патент на изобретение №2179704 от 20.02.2002.
АП2. Способ повышения достоверности результатов исследования поверхности твердого тела методом атомно-силовой микроскопии. / Гайнутдинов Р.В., Толстихина А.Л., Занавескин М.Л., Грищенко Ю.В., Белугина Н.В., Сорокина К.Л. // Патент на изобретение №2415444 от 27.03.2011.