- Природа нестехиометрических дефектов, ответственных за появление примесных полос на спектрах фотолюминесценции Si-легированного эпитаксиального GaAs, зависит от амфотерного поведения кремния. При одинаковом отклонении давлений мышьяка и галлия в процессе роста от стехиометрического равновесия процесс дефектообразования различен в слоях с ориентациями (111)А и (111)В. При недостатке мышьяка в GaAs (111)А, в основном, образуются вакансии VAs и пары VAs-SiAs, а в GaAs (111)В - пары VGa-GaAs. При избытке мышьяка в n-GaAs(lll)A доминируют дефекты AsGa, которые при низких температурах образуют пары AsGa-SiAs.
- Зависимость интенсивности фотолюминесценции от ширины квантовых ям в модулированно-легированных структурах n-AlGaAs/GaAs имеет немонотонный вид и содержит максимумы при ширинах, отвечающих условию резонансного захвата фотовозбужденных дырок. В резонансной яме концентрация фотовозбужденных дырок возрастает почти на 2 порядка и заметно повышается квазиуровень Ферми для дырок.
- На экситонных спектрах фотолюминесценции из квантовых ям GaAs/AlGaAs обнаружена полоса, обусловленная экситон-экситонными столкновениями. Относительная интенсивность полосы суперлинейно растет с ростом оптического возбуждения (в диапазоне умеренных плотностей до распада экситонов) и уменьшается с ростом ширины квантовой ямы и температуры.
- Краевая фотолюминесценция сильно легированного эпитаксиального твердого раствора InxGai_xAsi_yPy при низких температурах T<у (у - амплитуда флуктуаций потенциала, вызванных случайным распределением примеси) обусловлена рекомбинацией носителей, локализованных во флуктуациях краев зон. Это приводит к уменьшению энергии максимума и уширению спектров по сравнению с аналогичными параметрами нелегированного InxGai.xAsi.yPy.
- Экспериментально доказано влияние внутреннего отражения от контактов и эффектов «многопроходности» в подложке на характеристики торцевых InGaAsP/InP-светодиодов и их зависимости от внутренней эффективности структуры и длины излучающего кристалла.
- Яркость торцевых InGaAsP/InP-светодиодов может быть повышена изменением геометрии излучающего кристалла: увеличением длины по сравнению со стандартными размерами L/nD ≈1 (L - длина, D - толщина структуры, n - показатель преломления), либо скашиванием поверхности подложки InP. В обоих случаях положительный эффект достигается за счет вклада излучения, отраженного от контактов.
- Получены соотношения, позволяющие рассчитать ширину запрещенной зоны тройного твердого раствора InyGa1-yAs с произвольным содержанием индия в диапазоне температур (0-300) К.
- Энергетическая дистанция между уровнем Ферми и первым электронным уровнем, которая лежит в основе фотолюминесцентного метода оценки слоевой концентрации электронов в HEMT-структурах, определяется по температурной зависимости отношения интенсивностей полос, обусловленных переходами с 1-го и 2-го электронных уровней.
А2. Гуляев Ю.В., Мильвидский М.Г., Долгинов Л.М., Кузнецов Г.Ф., Страхов В.А., Чусов И.И., Шевченко Е.Г., Яременко Н.Г., Иванов В.Ю. Влияние рассогласования периодов решеток эпитаксиальных слоев в ДГС InGaAsP/InP на электрические и люминесцентные характеристики светодиодов на 1,3 мкм. // Тез. докл. Всесоюз. конф. ВОЛС-3 (Москва, 198I). – М.: 1981.- C. 25.
А3. Гуляев Ю.В., Мильвидский М.Г., Яременко Н.Г., Долгинов Л.М., Кузнецов Г.Ф., Шевченко Е.Г., Страхов В.А., Чусов И.И., Иванов В.Ю. Влияние рассогласования периодов решеток эпитаксиальных слоев ДГС InGaAsP/InP на электрические и люминесцентные характеристики светодиодов на 1,3 мкм / ИРЭ АН СССР.- М.- 1983.- 12 с.- Деп. в ВИНИТИ, № 5010.
А4. Гуляев Ю.В., Дворянкин В.Ф., Страхов В.А., Телегин А.А., Фишер Л.Ф., Яременко Н.Г. Получение и исследование двойной гетероструктуры InGaAsP/InP, излучающей на длине влоны 1,5 мкм // Тез. докл. Всесоюз. конф. ВОЛС-3 (Москва, 198I). – М.: 1981.- С. 37.
А5. Гуляев Ю.В., Дворянкин В.Ф., Кяргинская Л.Г., Страхов В.А., Телегин А.А., Фишер Л.Ф., Чусов И.И., Яременко Н.Г. Получение методом жидкостной эпитаксии ДГС на основе InxGa1-xAsyP1-y (λ = 1,5 мкм) и исследование их люминесцентных и фотоэлектрических свойств // ЖТФ.- 1982.- Т. 52, № 6.-С. 1244-1246.
А6. Gulyaev Yu.V., Dvoryankin V.F., Michaleva L.F., Strachov V.A., Telegin A.A., Yaremenko N.G. Luminescence and photoelectric study of the DH InP-InxGa1 – xAsyP1-y at the λ=1,5 mkm // Proceedings of the 9th USSR-Japan Electronics Symposium on Properties of Compound Semiconductors and Their Applications to Devices. (Moscow, 9-10 decem., 1982).- M.- 1982.- Р. 27-31.
А7. Гуляев Ю.В., Дворянкин В.Ф., Кяргинская Л.Г., Телегин А.А., Фишер Л.Ф., Чусов И.И., Страхов В.А., Яременко Н.Г. Люминесцентные и фотоэлектрические свойства ДГС InGaAsP/InP на длину волны 1,5 мкм // Тез. докл. III Всесоюз. конф. по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах (Одесса, 7-9 июня 1982 г.).- Одесса, 1982.- Т. 2.- С. 43-44.
А8. Петров В.И., Прохоров В.А., Рычкова О.В., Страхов В.А., Юнович А.Е., Яременко Н.Г. Люминесценция эпитаксиальных двойных гетероструктур InP/InGaAsP в растровом электронном микроскопе // Тез. докл. Всесоюз. симпоз. РЭМ-84 (Звенигород, 1984 г.). 1984, С. 17.
А9. Петров В.И., Прохоров В.А., Страхов В.А., Яременко Н.Г. Исследование инфракрасной катодолюминесценции полупроводниковых соединений AIIIBV и твердых растворов на их основе // Изв. АН.- сер. физическая.-1984.- Т. 48, № 9.- С. 1739-1743.
А10. Петров В.И., Прохоров В.А., Рычкова О.В., Страхов В.А., Юнович А.Е., Яременко Н.Г. Исследование эпитаксиальных двойных гетероструктур InGaAsP-InP методами катодолюминесценции в РЭМ и фотолюминесценции // Изв. АН, сер. физическая.- 1984.- Т. 48, № 12.- С. 2404-2407.
А11. Страхов В.А., Яременко Н.Г., Телегин А.А., Оганджанян В.А., Карачевцева М.В., Михалева Л.Ф., Петров В.И., Прохоров В.А. Исследование влияния несоответствия параметров решеток эпитаксиальных слоев на люминесцентные свойства гетероструктур InGaAsP/InP, излучающих на длине волны λ = 1,5 мкм // ФТП.- 1985.- Т. 19, № 4.- С. 601-608.
А12. Петров В.И., Дворянкин В.Ф., Карачевцева М.В., Страхов В.А., Телегин А.А., Шабалин А.В., Яременко Н.Г. Катодолюминесцентные исследования слоев в гетероструктурах InGaAsP/InP на длины волн 1,2-1, 5 мкм // Тез. докл. на Всесоюз. симпозиуме «РЭМ-86» (Звенигород, 1986). 1986.- С. 25.
А13. Петров В.И., Дворянкин В.Ф., Карачевцева М.В., Страхов В.А., Телегин А.А., Шабалин А.В., Яременко Н.Г. Катодолюминесцентные исследования гетероструктур InGaAsP/InP // Изв. АН, сер. физическая.- 1987.- Т. 51. № 3.- С. 447-451.
А14. Карачевцева М.В., Страхов В.А., Яременко Н.Г. Туннельно-рекомбинационные токи в неидеальных гетеропереходах InGaAsP/InP // Тез. докл 1 Российской конф. по физике полупроводников (Нижний Новгород, 10-14 сент. 1993 г.) 1993.- Т. 1.- С. 77.
А15. Карачевцева М.В., Страхов В.А., Яременко Н.Г. Туннельно-рекомбинационные токи в неидеальных гетероструктурах InGaAsP/InP // ФТП.- 1994.- Т. 28, № 6.- С. 1027-1031.
А16. А1 1736310 SU H 01 №33/00. Светодиод торцевого типа / Воробьев А.Л., Карачевцева М.В., Страхов В.А., Яременко Н.Г. (ИРЭ АН СССР).-№4763289/25; Заявл. 30.11.89 // Изобретения (Заявки и патенты).- 1992.
А17. Карачевцева М.В., Страхов В.А., Шкердин Г.Н., Яременко Н.Г. Диаграмма направленности и квантовая эффективность торцевых светодиодов на основе гетероперехода InGaAsP/ InP // Тезисы доклада на X Всесоюзной конференции Физические процессы в полупроводниковых гетероструктурах (Минск, 27-29 мая, 1986 г.). – Минск.:1986.- Т. 1.- С. 124-125.
А18. Карачевцева М.В., Карапетян А.Р., Страхов В.А., Яременко Н.Г. Эффективность вывода излучения планарных и торцевых диодов на основе гетероструктур InP/InGaAsP // Тез. докл. на Республиканской конференции по актуальным проблемам физики (г. Дилижан, Армения, 1985).- 1985.- С. 203.
А19. Карачевцева М.В., Страхов В.А., Федотова Л.А., Яременко Н.Г. Влияние эффекта многопроходности на характеристики торцевых светодиодов из гетероструктур InGaAsP/InP.- М., 1987. – 25 с. (Препринт АН СССР, ИРЭ АН СССР: № 3 (462)).
А20. А1 1455373 SU 4 H 01 L 33/00. Светодиод торцевого типа / Карачевцева М.В., Страхов В.А., Яременко Н.Г. (ИРЭ АН СССР, М.).- №4049232/31-25; Заявл. 04.04.86 // Изобретения (Заявки и патенты).- 1989.- № 4.
А21. Гуляев Ю.В., Карачевцева М.В., Страхов В.А., Яременко Н.Г. Торцевые светодиоды InGaAsP/InP на длину волны λ = 1,5 мкм. // ЖТФ.- 1989.- Т. 59, № 6.- С. 76-81.
А22. Игнатьев А.С., Карачевцева М.В., Мокеров В.Г., Немцев Г.З., Страхов В.А., Яременко Н.Г. Механизмы уширения экситонной линии фотолюминесценции структур InxGa1-xAs/GaAs с одиночными квантовыми ямами // Тез. докл. 1 Российской конф. по физике полупроводников (Нижн. Новгород, 10-14 сент. 1993 г.) 1993.- Т. 1.- С. 54.
А23. Игнатьев А.С., Карачевцева М.В., Мокеров В.Г., Немцев Г.З., Страхов В.А., Яременко Н.Г. Ширина экситонной линии низкотемпературной фотолюминесценции структур InxGa1-xAs/GaAs с одиночными квантовыми ямами // ФТП.- 1994. -Т. 28, №. 1.- С. 125-132.
А24. Karachevtzeva M.V., Ignat’ev A.S., Mokerov V.G., Nemtzev G.Z., Strakhov V.A., Yaremenko N.G. Temperature investigation of photoluminescense in InxGai.xAs/GaAs quantum well structures // International Symposium “Nanostructures: physics and technology” (St.Peterburg, Russia, 20-24 June, 1994).- St.Peterburg.- 1994.
А25. Карачевцева МВ., Игнатьев А.С., Мокеров ВГ., Немцев Г.З., Страхов В.А., Яременко Н.Г. Температурные исследования фотолюминесценции структур InxGai_xAs/GaAs с квантовыми ямами // ФТП.- 1994.- Т. 28, № 7.- С. 1211-1218.
А26. Мокеров В.Г., Галиев Г.Б., Гук А.В., Слепнев Ю.В., Федоров Ю.В., Яременко Н.Г. Фотолюминесценция однородно и 5-легированных кремнием слоев GaAs, выращенных методом МЛЭ на подложках с ориентациями (100), (111)А и (111)В // Тезисы доклада на III Всероссийской конф. по физике полупроводников (Москва, 1997г).
А27. Мокеров В.Г., Федоров Ю.В., Гук А.В., Яременко Н.Г., Страхов В.А.. Фотолюминесценция двумерного электронного газа в метаморфных N-InAlAs/InGaAs/InAlAs-гетероструктурах на подложках GaAs (100) // Доклады АН.- 1998.- Т. 362, № 2.- С. 194-197.
А28. Мокеров В.Г., Федоров Ю.В., Гук А.В., Галиев Г.Б., Страхов В.А., Яременко Н.Г. Оптические свойства легированных кремнием слоев GaAs (100), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП.- 1998.-Т. 32, № 9.- С. 1060-1063.
А29. Карачевцева М.В., Страхов В.А., Яременко Н.Г.. Краевая фотолюминесценция сильно легированного InxGai.xAsi.yPy (A, = 1,2мкм) // ФТП.- 1999.- Т. 33, №8.- С. 907-912.
А3О. Галиев Г.Б., Карачевцева М.В., Мокеров В.Г., Страхов В.А., Яременко Н.Г. Фотолюминесцентные исследования амфотерного поведения кремния в арсениде галлия // Докл. АН.- 1999.- Т. 367, № 5.- С. 613-616.
А31. Яременко Н.Г., Галиев Г.Б., Карачевцева М.В., Мокеров ВГ., Страхов В.А., Шкердин Г.Н. Фотолюминесценция двойных квантовых ям AlGaAs/GaAs/AlGaAs с AlAs-барьером // Тез. докл. Международн. конф. Оптика, оптоэлектроника и технологии (Ульяновск, 17-21 июня 2002 г.).-2002.- С. 17.
А32. Галиев Г.Б., Карачевцева М.В., Мокеров В.Г., Страхов В.А., Шкердин Г.Н., Яременко Н.Г. Фотолюминесцентные исследования двойных квантовых ям AlGaAs/GaAs/AlGaAs с тонким разделяющим AlAs-слоем // ФТП.- 2003.- Т. 37, № 5.- С. 599-603.
АЗЗ. Яременко Н.Г., Галиев Г.Б., Карачевцева М.В., Мокеров В.Г., Страхов В.А. Температурные исследования фотолюминесценции модулированно-легированных структур AlGaAs/GaAs с квантовыми ямами // Радиотехника и электроника.- 2005.- Т. 50, № 9.- С. 1184-1188.
А34. Яременко Н.Г., Карачевцева М.В., Страхов В.А. Фотолюминесцентная диагностика полупроводниковых транзисторных структур на основе арсенида галлия и его соединений // Успехи современной радиоэлектроники.- 2005.- № 12.- С. 63-69.
А35. Яременко Н.Г., Галиев Г.Б., Карачевцева М.В., Мокеров В.Г., Страхов В.А. Экситон-экситонное взаимодействие в квантовых ямах GaAs/AlGaAs при интенсивном оптическом возбуждении // Доклады АН.- 2006.- Т. 409, № 6.-С. 759-763.
А36. Яременко Н.Г., Карачевцева М.В.,. Страхов В.А. Фотолюминесцентная диагностика наноструктур на основе полупроводников A3B5 // Тез. докл. IV Международной конф. «Нанотехнология – производству» (Фрязино, 28-30 нояб. 2007 г.).- 2007.- С. 88-89.
А37. Яременко Н.Г., Карачевцева М.В.,. Страхов В.А. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaAs, легированных кремнием // Известия ВУЗов.-Электроника.- 2008.- № 1.- С. 10-19.
А38. Яременко Н.Г., Галиев Г.Б., Карачевцева М.В., Мокеров В.Г., Страхов В.А. Нестехиометрические дефекты в Si-легированных эпитаксиальных слоях GaAs, выращенных на подложках с ориентациями (111)A и (111)B // Доклады АН.- 2008.- Т. 419, № 4.- С. 483-487.
А39. Федоров Ю.В., Щербакова М.Ю., Гнатюк Д.Л., Яременко Н.Г., Страхов В.А. HEMT на структурах In0,52Al0,48As/In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As/InP с предельной частотой усиления по мощности до 323 ГГц // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники.- 2010.- № 2-1. С. 191-197.
А40. Яременко Н.Г., Карачевцева М.В., Страхов В.А. Резонансный захват неравновесных носителей тока в наногетероструктурах n-AlGaAs/GaAs с квантовыми ямами // Тез. докл. на VIII Международной конф. «Нанотехнология – производству» (Фрязино, 4-6 апреля 2012 г.).- 2012.- С. 71-72.
А41. Яременко Н.Г., Карачевцева М.В., Страхов В.А. Резонансный захват дырок в модулированно-легированных структурах N-AlGaAs/GaAs с квантовыми ямами // Доклады АН.- 2011.- Т. 437, № 3.-С. 321-326.
А42. Яременко Н.Г., Карачевцева М.В., Страхов В.А. Фотолюминесцентная спектроскопия односторонне легированных структур n-AlGaAs/GaAs с квантовыми ямами // Изв. вузов. Электроника.- 2012.- № 1 (93).- С. 3-13.
А43. Яременко Н.Г., Галиев Г.Б.,. Васильевский И.С, Климов Е.А., Карачевцева М.В., Страхов В.А. Определение концентрации двумерных электронов в δ-легированных псевдоморфных транзисторных структурах InGaAs/GaAs методом фотолюминесцентной спектроскопии // Радиотехника и электроника. -2013.- Т. 58, № 3.- С. 1-8.