- при аддитивном окрашивании кристаллов CaF2, и CaF2:Na, CaF2:Li с 18 3 концентрацией примеси N < 10 см образуются преимущественно 18 3 простые центры окраски, при концентрации примеси N > 10 см" доминируют высоко-агрегированные центры;
- под действием УФ излучения при температуре выше комнатной в кристаллах фторида кальция с малой концентрацией одновалентной катионной примеси простые центры окраски преобразуются в высоко-агрегированные центры, при высокой концентрации - имеет место обратное преобразование;
- установлено, что при аддитивном окрашивании кристаллов CaF2 и CdF2 по методу тепловой трубы существует динамическое равновесие между давлением паров и концентрацией центров окраски, что обеспечивает получение однородной окраски заданной интенсивности;
- на основе аддитивно окрашенных кристаллов CaF2 и CaF2:Na(Li) 18 3 (N < 1018 см-3) созданы высокостабильные голографические среды; дифракционные решетки в них формируются за счет пространственной модуляции концентрации высоко-агрегированных центров окраски;
- определен механизм записи эффективных голограмм в CaF2: фотоиндуцированная диффузия высоко-агрегированных центров из пучностей в узлы интерференционной картины;
- система специальным образом ориентированных наложенных голограмм в кристаллах фторида кальция реализует новую многозначную меру плоского угла - голографическую призму;
- бистабильные центры, образующиеся при аддитивном окрашивании кристаллов CdF2:Ga и CdF2:In, имеют двухэлектронное основное и водородоподобное метастабильное состояние;
- на основе кристаллов CdF2:Ga и CdF2:In созданы среды динамической голографии, работающие в широком диапазоне реального времени;
- динамические голографические элементы на основе кристаллов фторида кадмия позволяют производить коррекцию волновых фронтов и изображений и формировать пространственные фильтры для оптических корреляторов.
2а. Архангельская В.А., Рейтеров В.М., Трофимова Л.М., Щеулин А.С.
Оптические свойства кристаллов типа флюорита с МА-центрами окраски // Журнал прикладной спектроскопии. - 1982. - т. 37. - № 4. - с. 644-648.
3а. Архангельская В.А., Крылов В.А., Щеулин А.С. Эффект Штарка на
бесфононных линиях МА-центров в кристаллах типа флюорита // Опт. и спектр. - 1983. - т. 54. - № 6. - с. 1123-1124.
4а. Архангельская В.А., Щеулин А.С. Структура и спектроскопические свойства возмущенных М-центров в кристаллах типа флюорита со щелочными ионами // Опт. и спектр. 1984. - т. 57. - № 5. - с. 847-852.
5а. Lukishova S.G., Pashinin P.P., Batygov S.Kh, Arkhangelskaya V.A., Poletimov A.E., Shcheulin A.S., Terentiev B.M. High-power laser beam shaping using apodized apertures // Laser and Particle Beams. - 1990. - v. 8. - № 1-2. - p. 349-360.
6а. Королев Н.Е., Мокиенко И.Ю., Полетимов А.Е., Щеулин А.С. Механизмы фото- и термохимических превращений TV-центров в аддитивно окрашенных кристаллах со структурой флюорита // Опт. и спектр. - 1991. - т. 70. - № 4. - с. 784-789. 7а. Королев Н.Е., Мокиенко И.Ю., Полетимов А.Е., Щеулин А.С. Кристаллысо структурой флюорита: синтез, аддитивное окрашивание, фотохимия центров окраски // Опт. и спектр. - 1991. - т. 70. - № 5. - с. 1030-1034. 8а. Архангельская В.А., Щеулин А.С. Исследование структуры центров окраски в кристаллах SrF2-Na методом оптически наведенного дихроизма // Опт. и спектр. - 1991. - т. 70. - № 6. - с. 1242-1247. 9а. Мокиенко И.Ю., Полетимов А.Е., Щеулин А.С. Оптические запоминающие среды на основе активированных кристаллов типа флюорита // Опт. и спектр. - 1991. - т. 71. - № 1. - с. 77-82. 10а. Korolev N.E., Mokienko I.Yu, Poletimov A.E., Shcheulin A.S. Optical storage material based on doped fluoride crystals // Phys. stat. sol. (a). - 1991. - v. 127.
-№ 2. - p. 327-333.
11а. Полетимов А.Е., Щеулин А.С. Яновская И.Л. Аподизирующие апертуры для лазеров видимого и ИК диапазонов // Квантовая электроника. - 1992. -т. 19. - № 10. - с. 997-1000.
12а. Щеулин А.С., Рыскин А.И. Новая фотохромная среда для записи оптической информации на основе кристалла флюорита // Опт. и спектр. -1995. - т.79. - № 1. - с. 101-104.
13а. Ryskin A.I., Shcheulin A.S., KoziarskaВ., Langer J.M., Suchocki A., Buchczinskaya Fedorov P.P., Sobolev B.P. CdF2:In: A novel material for optically written storage of information // Appl. Phys. Lett. - 1995. - v. 67. -№ 1. - p. 31-33.
14а. Koziarska B., Langer J.M., Ryskin A.I., Shcheulin A.S., Suchocki A. Holographic recording with use of bistable centers in CdF2 // Acta Phys.
Polonica A. - 1995. - v. 88. - № 5. - p. 1010-1012. 15а. Koziarska B., Langer J.M., Ryskin A.I., Shcheulin A.S., Suchocki A. Use of
bistable centers in CdF2 in holographic recording // Materials Science Forum.
-1995. - v. 196-201. - p. 1103-1108.
16а. Shcheulin A.S., Ryskin A.I., Swiatek K., Langer J.M. Deep-shallow
transformation of bistable centers in semiconducting CdF2 crystals // Physics Lett. A. - 1996. - v. 222. - № 1. - p. 107-112.
17а. Щеулин А.С., Онопко Д.Е., Рыскин А.И. Электронная структура и строение метастабильных центров в полупроводниковых кристаллах CdF2:Ga, CdF2:In // Физ. твердого тела. - 1997. - т. 39. - № 12. - с. 2130¬2136.
18а. Щеулин А.С., Милоглядов Э.В., Рыскин А.И., Стаселько Д.И., Бучинская И.И., Федоров П.П., Соболев Б.П. Запись динамических голограмм в кристалле CdF2:Ga с метастабильными центрами // Опт. и спектр. - 1998. - т.84. - № 3. - с. 521-527
19а. Ryskin A.I., Shcheulin A.S., Miloglyadov E.V., Linke R.A., Redmond I., BuchinskayaFedorovP.P., Sobolev B.P. Mechanisms of writing and decay of holographic gratings in semiconducting CdF2:Ga // J. Appl. Phys. -1998. - v. 83. - № 4. - p. 2215-2221.
20а. Ryskin A.I., Shcheulin A.S., Onopko D.E. DX-centers in ionic semiconductor CdF2:Ga // Phys. Rev. Lett. - 1998. - v. 80. - № 13. - p. 2949-2952.
21а. Щеулин А.С., Королев Н.Е., Ангервакс А.Е. Форма полос поглощения F^^i-центров в кристаллах CaF2 и SrF2, активированных щелочными
ионами // Опт. и спектр. - 1999. - т. 86. - № 5. - с. 785-788.
22а. Щеулин А.С., Купчиков А.К., Рыскин А.И. Термо- и
фотостимулированная деполяризация в самокомпенсированных кристаллах CdF2:Ga и CdF2:In // Физ. твердого тела. - 1999. - т. 41. - № 9. - с. 1575-1581.
23 а. Nahata A., DiCaprio C.J., Yamada H., Ryskin A.I., Shcheulin A.S., and Linke R.A. Widely distributed Bragg reflector laser using a dynamical holographic grating mirror // IEEE Photonics Tech. Lett. - 2000. - v. 12. - № 11. - p. 1525¬1527.
24а. Kazanskii S.A., Ryskin A.I., Shcheulin A.S., Linke R.A., andAngervaks A.E. DX center gratings in real-time holography // Physica B: Condensed Matter. -2001. - v. 308-310. - p. 1035-1037.
25а. Linke R.A., Shcheulin A.S., Ryskin A.I., Buchinskaya I.I., Fedorov P.P. Sobolev B.P. Properties of CdF2:Ga as a medium for real-time holography // Appl. Phys. B (Lasers and Optics). - 2001. - № 6 - v. 72. - p. 677-683.
26а. Милоглядов Э.В., Рыскин А.И., Стаселько Д.И., Щеулин А.С.,
Климентьев С.И., Свенцицкая Н.А. Эффективная широкополосная запись объемных динамических голограмм в кристаллах CdF2:Ga при комнатных температурах // Опт. и спектр. - 2002. - т. 92. - № 1. - с. 127¬132.
27а. Федоров П.П., Бучинская И.И., Иванов С.П., Соболев Б.П., Щеулин А.С., Рыскин А.И. Новый класс голографических материалов на основе полупроводниковых кристаллов CdF2 с бистабильными центрами. II. Получение оптически совершенных кристаллов // Опт. и спектр. - 2002. -т. 92. - № 1. - с. 133-140.
28а. Shcheulin A.S., Kupchikov A.K., Angervax A.E., Onopko D.E., Ryskin A.I., RitusA.I., Pronin A.V., VolkovA.A., LunkenheimerP., LoidlA. Radio-frequency response of semiconducting CdF2:In crystals with Schottky barriers
// Phys. Rev. B. - 2001. - v. 63. - № 20. - 205207 (1-8).
29а. Ангервакс А.Е., Димаков С.А., Климентьев С.И., Рыскин А.И., Щеулин А.С. Динамические отражательные голограммы в кристаллах CdF2 с бистабильными центрами // Опт. и спектр. - 2002. - т. 93. - № 2. - с. 331¬338.
30а. Щеулин А.С., Ангервакс А.Е., Рыскин А.И., Линке Р.А. Новый класс голографических материалов на основе полупроводниковых кристаллов CdF2 с бистабильными центрами. III. Механизмы записи и распада голографических решеток // Опт. и спектр. - 2002. - т. 92. - № 1. - с. 141¬149.
31а. Uesu Y., Yasukava K., Saito N., Odoulov S., Shcherbin K., Ryskin A.I., Shcheulin A.S. Backward-wave four-wave mixing and coherent oscillation in CdF2:Ga,Y // Appl. Phys. B (Lasers and Optics). - 2004. - v. 78. - № 5. - p.
601-605.
32а. Щеулин А.С., Ангервакс А.Е., Рыскин А.И. Запись динамических голограмм в полупроводниковом кристалле CdF2:In // Опт. и спектр. -2004. - т. 97. - № 5. - с. 799-803.
33а. Ангервакс А.Е., Димаков С.А., Климентьев С.И., Рыскин А.И., Щеулин А. С. Динамическое обращающее волновой фронт зеркало на основе кристаллов CdF2 с бистабильными центрами // Опт. и спектр. - 2005. - т.
98. - № 6. - с. 1017-1020.
34а. Щеулин А.С., Верховский Е.Б., Ангервакс А.Е., Рыскин А.И. Запись
информационных динамических голограмм в кристаллах CdF2:In // Опт. и
спектр. - 2005. - т. 99. - № 5. - с. 835-837. 35а. Ангервакс А.Е., Димаков С.А., Климентьев С.И., Рыскин А.И., Щеулин
А. С. Динамическое обращающее волновой фронт зеркало на основе
кристаллов CdF2 с бистабильными центрами In // Опт. и спектр. - 2006. -
т. 101. - № 1. - с. 137-141. 36а. Щеулин А.С., Закиров Р.Я., Серов Т.В., Ангервакс А.Е., Рыскин А.И.
Аддитивное окрашивание кристаллов фторида кадмия // Оптический
журнал. - 2006. - т. 73. - № 11. - с. 3-7. 37а. Ryskin A.I., Shcheulin A.S., Kazanskii S.A., Angervaks A.E. CdF2 crystals
with bistable impurity centers as media of the real-time holography // J. of
Luminescence. - 2007. - v. 125. - № 1. - p. 18-24. 38а. Казанский С.А., Щеулин А.С., Рыскин А.И. Энергетический барьер,
разделяющий два состояния бистабильного центра в фотохромных
кристаллах CdF2:Ga, CdF2:In // Опт. и спектр. - 2007. - т. 102. - № 3. - с.
469-473.
39а. Щеулин А.С., Купчиков А.К., Рыскин А.И. Высокостабильная
голографическая среда на основе кристаллов CaF2:Na с коллоидными центрами окраски. I. Фототермохимические преобразования центров окраски в кристаллах CaF2:Na // Опт. и спектр. - 2007. - т. 103. - № 3. - с.
496-501.
40а. Щеулин А.С., Купчиков А.К., Ангервакс А.Е., Рыскин А.И.
Высокостабильная голографическая среда на основе кристаллов CaF2:Na с коллоидными центрами окраски. II. Механизмы записи и стирания голограмм // Опт. и спектр. - 2007. - т. 103. - № 4. - с. 664-667.
41 а. Щеулин А.С., Вениаминов А.В., Корзинин Ю.Л., Ангервакс А.Е., Рыскин А.И. Высокостабильная голографическая среда на основе кристаллов CaF2:Na с коллоидными центрами окраски. III. Свойства голограмм // Опт. и спектр. - 2007. - т. 103. - № 4. - с. 668-672.
42а. Щеулин А.С., Семенова Т.С., Корякина Л.Ф., Петрова М.А., Купчиков А.К., Рыскин А.И. Аддитивное окрашивание кристаллов фторидов кальция и кадмия. // Опт. и спектр. - 2007. - т. 103. - № 4. - с. 673-678.
43а. Рыскин А.И., Щеулин А.С., Ангервакс А.Е., Купчиков А.К., Казанский С.А. Вениаминов А.В., Корзинин Ю.Л. Статические и динамические голографические среды на основе ионных кристаллов с центрами окраски - технология получения, принципы фотохромии, голографические свойства, применения // Тр. Всерос. семинара «Юрий Николаевич Денисюк - основоположник отечественной голографии» - С¬Пб, 2007. - с.281-287.
По результатам работы получены авторские свидетельства и патенты:
1b. Архангельская В.А., Новиченков А.И., Тибилов С.С., Щеулин А.С. Способ записи и считывания оптической информации в активированном кристалле щелочно-земельного галогенида // Авт. свид. СССР № 1140621. - 1983.
2b. Архангельская В.А., Щеулин А.С. Реверсивный фотохромный материал и
способ его получения // Авт. свид. СССР, № 1626953. - 1986. 3b. Батыгов С.Х., Архангельская В.А., Лукишова С.Г., Полетимов А.Е.,
Щеулин А.С. Способ получения амплитудных фильтров // Авт. свид.
СССР № 1647044. - 1988. 4b. Королев Н.Е., Мокиенко И.Ю., Полетимов А.Е., Щеулин А.С. Способ
регистрации оптического изображения // Авт. свид. СССР, № 1816142. -
1990.
5b. Соболев Б.П., Федоров П.П., Бучинская И.И., Рыскин А.И., Щеулин А.С.,
Линке Р., Редмонд Я. Материал для оптической записи информации //
Патент на изобретение № 2161337. - 2000. 6b. Грановский В.А., Кудрявцев М.Д., Рыскин А.И., Щеулин А.С.
Многозначная голографическая мера угла. // Патент РФ на изобретение
№ 2006140710 - 2006.