- Методология формирования регулярных наноструктур на сверхгладких кристаллических поверхностях и управления параметрами регулярных наноструктур на примере Al2 O3.
- Связь между эпитаксиальным ростом наносимого из газовой фазы вещества и упорядоченностью нанорельефа поверхности; переход от поликристаллического роста к монокристаллическому при переходе от стохастического нанорельефа к регулярному.
- Явление существенной интенсификации механохимического синтеза при использовании предварительно механоактивированных реагентов.
- Теоретическая модель механохимических твердофазных превращений, рассматривающая механохимическую реакцию как локализованный на активной контактной поверхности раздела реагирующих соединений процесс формирования новой фазы, основанный на зернограничном проскальзывании, сопровождаемом генерацией динамических вакансий с последующим фазообразованием по механизму диффузионно- инициируемой миграции границ.
- Представление о структурных неоднородностях с характерным размером, соответствующим межатомным расстояниям, как основном факторе, определяющем активные свойства поверхности.
- Влияние несоразмерности (метрической и композиционной) полиморфных фаз на примере бинарного соединения CdTe на формирование реальной (дефектной) структуры кристалла при его выращивании из расплава.
- Способы образования активных участков (ступени, домены, нарушение стехиометрии) путем хрупкого разрушения (скол) кристаллов ZnS, ЩГК и ТГС. Роль ступеней в процессе переполяризации доменов сегнетоэлектриков. Модификация поверхности внешними воздействиями (парами газов, облучением электронами) для эпитаксиального роста металлических пленок (Au, Ag, Cu).
- Размерные эффекты в гетерофазных системах. Изменение их свойств при различных соотношениях: шероховатость-параметр ячейки, параметры различных фаз, размер зерна - диффузионная длина компонентов, ширина террасы-диффузионная длина компонентов.
2.Власов В.П., Дистлер Г.И. Каневский В.М. Влияние примесной структуры на хрупкое разрушение кристаллов ZnS и ZnO. // Изв. АН СССР, сер.физич. 1980. Т. 44. № 6. С. 1303-1304.
3.Дистлер Г.И., Герасимов Ю.М., Каневский В.М. Получение тонких пленок с гладкой поверхностью методом дальнодействующей кристаллизации. // Изв. АН СССР, сер.физич. 1984. Т. 48. № 9. С. 1697-1702.
4.Герасимов Ю.М., Дистлер Г.И., Каневский В.М., Макаров В.П., Шнырев Г.Д. О твердофазных реакциях, инициированных термообработкой на поверхности кристаллов KCl, легированных SrCl2. // Изв. АН СССР, сер.физич. 1986. Т. 50. № 3. С. 486-490.
5.Герасимов Ю.М., Дистлер Г.И., Каневский В.М., Макаров В.П. О микроканалах, возникающих при твердофазных примесных реакциях, инициированных термообработкой, на поверхности кристаллов KCl, легированных SrCl2.//Изв. АН СССР, сер.физ. 1986. Т. 50. № 3. С. 440-445.
6.Власов В.П., Каневский В.М. Электронная спектроскопия и электронография переходных слоев, образующихся при эпитаксии Au, Ag, Cu на KCl. // Изв. РАН, сер.физич. 2001. Т. 65. № 9. С. 1288.
7.Иванов Ю.М., Чудаков В.С., Каневский В.М., Поляков А.Н., Пашаев Э.М., Писаревский Ю.В., Абрамец Ю.В., Тихомиров С.А. Получение однородных монокристаллов теллурида кадмия. // Поверхность. 2001. № 10. С. 65-68.
8.Власов В.П., Каневский В.М. Исследование изменения доменной структуры кристаллов ТГС методом декорирования хлористым серебром// Поверхность. 2002. № 6. С. 38-41.
9. Власов В.П., Каневский В.М. О возможности получения сплошных моно-кристаллических пленок металлов нанометровой толщины на поверхностях щелочно-галоидных кристаллов.//Поверхность. 2002. № 9. С. 69-73.
10.Власов В.П., Каневский В.М. Электронно-микроскопические исследования эволюции ориентации первичных микрокристаллов при вакуумном осаждении Au, Ag, AgCl на поверхности (100) щелочно-галоидных кристаллов. // Поверхность. 2002. № 10. С.26-29.
11.Ivanov Yu.M., Polyakov A.N., Kanevsky V.M., Pashaev E.M., Horvath Zs.J. Detection of Polymorphous Transformations in CdTe by Dilatometry. // Phys. Stat. Solid. (С) 2003. №3. Р. 889-892.
12.Артемов В.В., Каневский В.М.,. Иванов Ю.М. Исследование структуры кристаллов CdTe методами просвечивающей и растровой электронной микроскопии //Поверхность.2003. № 3. С. 96-98.
13.Ivanov Yu.M., Kanevsky V.M., Dvoryankin V.F., Artemov V.V., Polyakov A.N., Kudryashov A.A., Pashaev E.M., Horvath Zs.J. The Possibilities of Using Semi-Insulating CdTe Crystals as Detecting Material for X-Ray Imaging Radiography //Phys. Stat. Solid., (С) 2003. № 3. Р. 840-844.
14.Иванов Ю.М., Артемов В.В., Поляков А.Н., Каневский В.М., Чудаков В.С., Пашаев Э.М., Сенин Р.А. Получение структурно-совершенных кристаллов CdTe // Поверхность. 2004. №9. С. 12-16.
15.Ivanov Yu.M., Artemov V.V., Polyakov A.N., Kanevsky V.M., Chudakov V.S., Pashaev E.M., Senin R.A. Production of Structurally Perfect Single Crystals of CdTe and CdZnTe // Eur. Phys. J. Appl. Phys. 2004. V. 27. P. 371.
16.Иванов Ю.М., Поляков А.Н., Зенкова М.Д., Каневский В.М., Акчурин М.Ш., Асадчиков В.Е., Рощин Б.С., Кожевников И.В., Гайнутдинов Р.В., Занавескин М.Л. Исследование шероховатости поверхности подложек из совершенных монокристаллов CdTe // Поверхность. 2006. №12. С. 12-14.
17.Ковальчук М.В., Каневский В.М., Тихонов Е. О., Дерябин А.Н. Установка для горизонтальной односторонней очистки поверхности круглых пластин полупроводниковых и оптических материалов. Патент на изобретение № 53592 от 27.05.2006.
18.Каневский В.М., Михайлов В.И., Поляк Л.Е. Масс-спектрометрическое исследование кинетики молекулярно-лучевой эпитаксии CdTe: часть 1. Cd, Te2 иCdTe. // Поверхность. 2007. № 6. С.53-58.
19.Каневский В.М., Михайлов В.И., Поляк Л.Е. Масс-спектрометрическое исследование кинетики молекулярно-лучевой эпитаксии CdTe: часть 2. Cd, Te2 иCdTe. // Поверхность. 2007. № 11. С.48-54.
20.Буташин А.В., Каневский В.М., Семенов В.Б., Федоров В.А., Занавескин М.Л. Контейнер для отжига оксидных монокристаллов. Патент на полезную модель №73877. Заявка № 2007146175/22(050606) от 13.12.2007. Положительное решение от 17.01.2008 г. Дата рег. 10.06.08 г.
21.Каневский В.М., Тихонов Е. О., Дерябин А.Н. Установка для двухсторонней вертикальной очистки поверхности круглых пластин полупроводниковых и оптических материалов. Патент на изобретение № 2327247 от 20.06.2008.
22.Ковальчук М.В., Каневский В.М., Тихонов Е. О., Дерябин А.Н. Способ изготовления пластин полупроводниковых и оптических материалов. Патент на изобретение № 2337429 от 27.10.2008.
23.Асадчиков В.Е., Буташин А.В., Волков Ю.О., Грищенко Ю.В., Дерябин А.Н., Занавескин М.Л., Каневский В.М., Кожевников И.В., Рощин Б.С., Тихонов Е.О., Толстихина А.Л., Федоров В.А. Неразрушающие методы контроля нанорельефа поверхности на примере сапфировых подложек // Заводская лаборатория; диагностика материалов. 2008. № 10. С. 21-24.
24.Прохоров И.А., Захаров Б.Г., Асадчиков В.Е., Буташин А.В., Рощин Б.С., Толстихина А.Л., Занавескин М.Л., Грищенко Ю.В., Муслимов А.Э., Якимчук И.В., Волков Ю.О., Каневский В.М., Тихонов Е.О. Характеризация монокристаллических подложек лейкосапфира рентгеновскими методами и атомно-силовой микроскопией // Кристаллография. 2011. Т. 56. № 3. С. 490-496.
25.Муслимов А.Э., Волков Ю.О., Асадчиков В.Е., Каневский В.М., Рощин Б.С., Власов В.П. Применение различных методик атомно-силовой микроскопии для детальной диагностики золотых нанопокрытий на поверхности монокристаллического лейкосапфира// Кристаллография. 2011. Т. 56. № 3. С. 545-554.
26.Михайлов В.И., Буташин А.В., Каневский В.М., Поляк Л.Е., Ракова Е.В., Муслимов А.Э., Кварталов В.Б. Исследование молекулярно-лучевой эпи-таксии теллурида кадмия на сапфире//Поверхность. 2011. № 6. С. 97-102.
27.Каневский В.М. Размерные эффекты механохимии оксидов // Кристаллография. 2011. Т. 56. № 4. С. 711-718.
28.Муслимов А.Э.,Буташин А.В.,Коновко А.А., Смирнов И.С., Рощин Б.С., Волков Ю.О., Ангелуц А.А.,Андреев А.В., Шкуринов А.П., Каневский В.М., Асадчиков В.Е. Упорядоченные наноструктуры золота на поверхности сапфира: получение и оптические исследования // Кристаллография. 2012. Т. 57. № 3. С. 471–476.
29.Асадчиков В.Е., Кожевников И.В., Рощин Б.С., Волков Ю.О., Муслимов А.Э., Каневский В.М., Занавескин М.Л. Анализ шероховатости поверхностей методами рентгеновского рассеяния и атомно-силовой микроскопии // Мир измерений. 2012. №7. С. 11-17.
30.Буташин А.В., Власов В.П., Каневский В.М., Муслимов А.Э., Федоров В.А. Особенности формирования террасно-ступенчатых наноструктур на (0001) поверхности кристаллов сапфира // Кристаллография. 2012. Т. 57. № 6. С. 927–933.
31.Иванов Ю.М., Поляков А.Н., Зенкова М.Д., Каневский В.М. Установка для выращивания кристаллов. Патент на изобретение № 51030 от 27.01.2006 г.
32.Иванов Ю.М., Поляков А.Н., Зенкова М.Д., Каневский В.М., Артемов В.В. Способ выращивания монокристаллов теллурида кадмия. Патент на изобретение № 2 341594С2 от 20.12.2008 г.
33.Pavlyuk M.D., Kanevsky V.M., Dvoryankin V.F., Kudryashov A.A., Petrov A.G., Ivanov Yu.M. Manufacturing detectors for digital x-ray images of melt-grown CdTe and CdZnTe single crystals. // Nuclear Instr. And Methods in Phys. Research A624 (2010) P.482-485.
34. V.E.Asadchikov, A.V.Butashin, V.M. Kanevsky, A.E. Muslimov and B.S.Roshchin Syntetic Sapphire: Growth and Surface Investigations.// Materials Science and technologies. (2013)P35-75.