- Впервые объяснены линейная зависимость между температурой сверхпроводящего перехода Тс и углом моноклинной сверхрешетки в монокристаллах Bi2+xSr2-xCu06+s (Bi2201), возникновение двух типов сверхрешеток и появление подвижного междоузельного кислорода в легированных лантаном монокристаллах Bi2201 при рассмотрении структур купратных ВТСП как напряженных сверхрешеток атомных размеров.
- В упруго напряженных эпитаксиальных слоях и сверхрешетках Sii_xGex/Si(001), обнаружена неизвестная ранее стадия роста еще до появления дислокаций несоответствия, характеризующаяся возрастанием на несколько порядков неравновесной концентрации вакансий.
- Показано, что периодические структуры с квантовыми точками (КТ) Ge(Si)/Si(001), полученные при напылении нескольких монослоев германия, являются наилучшими объектами для выявления в них послеростового диффузионного размытия нижних слоев Ge(Si) за время роста верхних периодов, а также что степень диффузии германия зависит от стабильности испарения германия и диффузионное размытие КТ уменьшается при их формировании из твердого раствора Sio.7Geo.3-
- Обнаружено, что накопление в адсорбционном слое избыточного кадмия в напряженных периодических структурах [(Zno.5Cdo.5Seo.96So.04 4нм + ZnSeo.93So.07 200 нм)х20] /GaAs(OOl) 10° off, выращенных методом МВЕ при 300 °С, приводит к диффузии его в барьерные слои на многие десятки нанометров без каких-либо признаков возрастания дислокаций несоответствия.
- Обнаружен эффект моноклинизапии в противоположных направлениях решеток квантовых ям и барьеров А В , выращенных на подложках GaAs, разориентированных на 10° в направлении [111]. Это эффект позволяет выявлять неоднородности в КЯ ZnSe и Cdi_xZnxS при сравнении кривых качания асимметричных рефлексов (444) и (44 4), а также частичное разложение состава барьерных слоев Zn^xMgxSei.ySy с образованием фазы, имеющей параметр решетки, близкий к параметру решетки подложки.
- Разработаны дополнительные методики рентгеновской дифрактометрии, основанные на тонких структурных особенностях каждой конкретной исследованной системы, для лучшего выявления этих самых особенностей.
А2 A.I. Golovashkin, E.V. Ekimov, S.I. Krasnosvobodtsev, V.P. Martovitsky, E.V. Petchen. High-Tc superconducting films grown by magnetron and laser-beam technique. Physica, C162-164, 715-716 (1989).
A3 А.И. Головашкин, В.П. Мартовицкий, Е.В. Печень, В.В. Родин. Эпитаксиальный рост пленок УВагСизО^-х на подложках MgO. Письма в ЖТФ, 15, №3, 31-34 (1989).
А4 В.П. Мартовицкий, В.В. Родин, Д.Н. Токарчук. Ориентапионные соотношения пленок УВагСизС^-х с подложками (ПО) SrTi03. Краткие сообщения по физике, №5, 13-15 (1989).
А5 В.П. Мартовицкий, В.В. Родин. Моноклинизация решетки УВагСизС^-х при эпитаксиальном росте пленок на (001) SrHC^. Краткие сообщения по физике, №2, 9-11 (1990).
А6 Ю.В. Вишняков, В.П. Мартовицкий, В.В. Родин. Структурные особенности пленок Y-Ba-Cu-O, полученных магнетронным распылением на холодные подложки. Краткие сообщения по физике, №2, 12-14 (1990).
А7 V.P. Martovitsky and V.V. Rodin. Lattice monoclinization of YBa2Cu307_x films.Physica C182, 269-276 (1991).
A8 А.Л. Васильев, СИ. Красносвободцев, В.П. Мартовицкий, Е.В. Печень, В.В. Родин. Структура эпитаксиальных пленок УВагСизО^-х- ФТТ, 33, №1, 25-29 (1991).
А9 Y.I. Gorina, G.A. Kaljuzhnaia, V.I. Ktitorov, V.P. Martovitsky, V.V. Rodin, V.A. Stepanov, A.A. Tsvetkov and S.I. Vedeneev. Superconducting and structural properties of homogeneous BiSrCaCuO (2212) single crystals prepared by solution growth. Solid State Commun. 85, 695-700 (1993).
A10 Y.I. Gorina, G.A. Kaljuzhnaia, V.I. Ktitorov, V.P. Martovitsky, V.V. Rodin, V.A. Stepanov and S.I. Vedeneev. Growth from solution-melt in KC1 and properties of high-quality low-Tc phase (2201) single crystals. Solid State Commun. 91, 615-619 (1994). All V.P. Martovitsky, Y.I. Gorina and G.A. Kaljushnaia. Improved Bi-(2201) single crystals grown in cavities formed in KC1 solution-melt. Solid State Commun. 96, 893-896 (1995).
A12 Y.I. Gorina, G.A. Kaljuzhnaia, V.P. Martovitsky, V.V. Rodin and N.N. Sentjurina. Comparative study of Bi2201 single crystals grown from solution melt and in cavities formed in KC1. Solid State Commun. 108, 275-278 (1998).
A13 Y.I. Gorina, G.A. Kaljuzhnaia, V.P. Martovitsky, V.V. Rodin, N.N. Sentjurina, V.A. Stepanov. Growth and structural and superconducting properties of Bi2Sr2Cu30io (Bi2223) crystals grown in cavities formed in solution-melt KC1. Solid State Commun. 110, 287-292 (1999).
A14 В.П. Мартовицкий, В.В. Родин. Структурная неоднородность нелегированных кристаллов Bi2223, полученных свободным ростом в кавернах внутри раствора-расплава КС1. Краткие сообщение по физике ФИАН, №6, 36-42 (1999).
А15 V.I. Kozlovsky, V.P. Martovitsky, Ya.K. Skasyrsky, Yu.G. Sadofiev, and A.G. Turyansky. MBE Growth of II-VI Epilayers and QW Structures on Hexagonal ZnCdS and CdSSe Substrates. Phys. Status Solidi, B229, 63-67 (2002).
A16 В.П. Мартовицкий, В.И. Козловский, П.И. Кузнецов, Я.К. Скасырский, Г.Г. Якущева. Слоистое строение пленок Zn!_xCdxSe, выращенных газофазной эпитаксией из металл органических соединений на подложках Cdo.92Zno.08S (0001). ФТП, 37, 310-317 (2003).
А17 Ю.В. Клевков, В.П. Мартовицкий, С.А. Медведев. Особенности дефектной структуры текстурированных слитков нелегированного CdTe, выращенных свободным ростом из газодинамического потока паров. ФТП, 37, 129-133 (2003).
А18 В.П. Мартовицкий, В.В. Родин. Пластинчатое строение ВТСП кристаллов Bi, выросших в кавернах раствора-расплава шихты в КС1. Краткие сообщения по физике ФИАН, №7, 13-21 (2003).
А19 В.П. Мартовицкий. Типы упорядочения структурных дефектов в нелегированных и легированных лантаном монокристаллах Bi2201. ЖЭТФ, 129, 1087-1096 (2006).
А20 Ю.В. Клевков, В.П. Мартовицкий, B.C. Багаев, B.C. Кривобок. Морфология, двойникование и фотолюминесценция кристаллов ZnTe, выращенных методом химического синтеза компонентов из паровой фазы. ФТП, 40, 153-159 (2006).
А21 В.П. Мартовицкий. Межслоевые напряжения в купратных ВТСП р-типа. Краткие сообщения по физике ФИАН, №5, 3-10 (2006).
А22 В.П. Мартовицкий. Слоистое строение легированных лантаном монокристаллов Bi2201. Краткие сообщения по физике ФИАН, №5, 11-19 (2006).
А23 В.П. Мартовицкий, В.И. Козловский, П.И. Кузнецов, Д.А. Санников. Самосогласованная неоднородность квантовых ям полупроводников ЖЭТФ, 132, 1379-1392 (2007).
А24 И.П. Казаков, В.И. Козловский, В.П. Мартовицкий, Я.К. Скасырский, Ю.М. Попов, П.И. Кузнецов, Г.Г. Якущева, А.О. Забежайлов, Е.М. Дианов. Наноструктура на основе ZnSe/ZnMgSSe для лазерной электронно-лучевой трубки в синей области спектра. Квантовая электроника, 37, 857-862 (2007).
А25 В.П. Мартовицкий, А. Крапф, Л. Дюди. Существование двух типов совершенных монокристаллов Bi2Sr2.xLaxCu06+s. Письма в ЖЭТФ, 85, 349-353 (2007).
А26 L. Dudy, В. Mtiller, В. Ziegler, A. Krapf, H. Dwelk, О. Ltibben, R.-P. Blum, V.P. Martovitsky, C. Janowitz, R. Manzke. Charge modulation driven Fermi surface of Pb-Bi2201, Solid State Communications 143, 442-445 (2007).
A27 I.P. Kazakov, V.I. Kozlovsky, V.P. Martovitsky, Ya.K. Skasyrsky, M.D. Tiberi, A.O. Zabezaylov, E.M. Dianov. MBE grown ZnSSe/ZnMgSSe MQW structure for blue VCSEL. // Int. J. of Nanoscience, 6, #5, P.407-410 (2007).
A28 В.П. Мартовицкий, А Крапф. Концентрационное или модуляционное расслоение совершенных монокристаллов Bi2Sr2.xLaxCu06+s и Bi2_yPbySr2- xLaxCu06. Краткие сообщения по физике ФИАН, №3, 29-38 (2008).
А29 B.C. Багаев, Ю.В. Клевков, B.C. Кривобок, В.П. Мартовицкий, В.В. Зайцев, С.Г. Черноок, Е.Е. Онищенко. Изменение спектра фотолюминесценции вблизи двойниковых границ в кристаллах ZnTe, полученных при быстрой кристаллизации. ФТТ, 50, 774-780 (2008).
А30 Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, B.C. Кривобок, В.П. Мартовицкий, С.Н. Николаев. Электрические свойства, фотопроводимость и фотолюминесценция крупнозернистого p-ZnTe. ФТП, 42, 1291-1296 (2008).
А31 B.C. Багаев, B.C. Кривобок, В.П. Мартовицкий, А.И. Новиков. Распределение германия в слоях Sii_xGex (x<0.1), выращенных на подложке Si(001), в зависимости от их толщины. ЖЭТФ, 136, 1154-1169 (2009).
А32 V.I. Kozlovsky, V.P. Martovitsky. Formation of nonuniformity in ZnSe/ZnMgSSe quantum well structures during MOVPE on GaAs(0 01) misoriented by 10° to (lll)A plane. Physica В 404, 5009-5012 (2009).
АЗЗ V.I. Kozlovsky, V.A. Akimov, M.P. Frolov, Yu.V. Korostelin, A.I. Landman, V.P. Martovitsky, V.V. Mislavskii, Yu.P. Podmar’kov, Ya.K. Skasyrsky, and A.A. Voronov. Room-temperature tunable mid-infrared lasers on transition-metal doped II- VI compound crystals grown from vapor phase. Phys. Status Solidi В 247, No. 6, 1553-1556 (2010).
A34 СЮ. Гаврилкин, О.М. Иваненко, В.П. Мартовицкий, К.В. Мицен, А.Ю. Цветков. О перколяционной природе перехода от 60 К- к 90 К-фазе в УВагСизОб+д. ЖЭТФ, 137, №5, 895-900 (2010).
А35 В.П. Мартовицкий, B.C. Кривобок. Хрупко-пластическая релаксация напряжений несоответствия в системе Si(001)/Sii_xGex. ЖЭТФ, 140, 330-349 (2011).
А36 И. Б. Крынецкий, А.И. Головашкин, А.П. Русаков, В.П. Мартовицкий, С. Ю. Гаврилкин, В. И. Коваленко, Н. П. Шабанова. Аномалии теплового расширения высокотемпературного сверхпроводника Bi2Sr2 хЬахСиОб+5 в диэлектрической фазе (х > 0.8) и зарядовое упорядочение в кислородной подрешетке. Известия РАН. Сер. Физ., 75, № 8, с. 1177-1179 (2011).