Середин Павел Владимирович

Научная тема: «СУБСТРУКТУРА И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ А3В5»

Специальность: 01.04.10

Год: 2012

Отрасль науки: Физико-математические науки

Основные научные положения, сформулированные автором на основании проведенных исследований:

1. Закономерности возникновения сверхструктурных фаз упорядочения в эпитаксиальных тройных ТР полупроводников А₃В₅ при половинном замещении в металлической подрешетке на основе комплексных исследований структурными и спектроскопическими методами.
2. Образование сверхструктурной фазы упорядочения являющейся химическим соединением AlGaAs2 в эпитаксиальных твердых растворах Al_xGai__xAs при х~0.50. Кристаллическая решетка обнаруженной фазы AlGaAs₂ описывается тетрагональной структурой InGaAs₂-типа (Layered Tetragonal) с параметрами с^±=2а^±=2*5.646=П.292А, а "=5.6532Ǻ и направлением упорядочения [100].
3. Появление новой интенсивной эмиссионной полосы в спектрах фотолюминесценции с энергией E_g=2.17еВ наряду с основной полосой Е=2.05еВ в твердом растворе Al₀₅oGa₀₅oAs обусловлено образованием сверхструктурной фазы AlGaAs₂.
4. Возникновение фазы упорядочения Ga₂InP₃ в виде квазипериодических доменов при распаде твердых растворов GaJn^P с х~0.50 обеспечивает хорошую планарность и минимальные внутренние напряжения кристаллической решетки в гетероструктурах GaJni._xP/GaAs(100).
5. Обнаружение упорядоченной стехиометрической фазы InGaAs₂ в метаморфных твердых растворах In_xGai__xAs, выращенных на GaAs(lOO).
6. Образование микродоменов с поперечной слоистой наноструктурой при спинодальном распаде четверных твердых растворах In_xGai__xAs_yPi__y, заключенных между слоями тройных ТР GaJn^P.
7. Определение условий полного согласования параметров кристаллических решеток эпитаксиальных твердых растворов Al_xGai__xAs с подложкой GaAs(lOO) в результате образования четверных твердых растворов (Al_xGa_{b x}As)i__vSi_v и (Al_xGai__xAs)i__vC_v при легирования высокими концентрациями кремния или автолегировании углеродом.

Список опубликованных работ

1.Середин, П.В. Цифровое представление информации при рентгенографической регистрации рентгенограмм / П.В. Середин // Конденсированные среды и межфазные границы. – 2003. - Т. 5, №1. - С. 112-115.

2.Середин, П.В. Закон Вегарда и сверхструктурная фаза AlGaAs2 в эпитаксиальных гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs (100) / Э.П. Домашевская, П.В. Середин, Э.А. Долгополова [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2005. - Вып. 3. - С. 354-360.

3. Середин, П.В. ИК-спектры отражения и морфология поверхности эпитаксиальных гетероструктур AlxGa1-x As/GaAs(100) c фазой упорядочения AlGaAs2 / Э.П. Домашевская, П.В. Середин, А. Н. Лукин [и др.] // Полупроводниковые гетерострукруры: сб. науч. тр. - Воронеж, 2005. – С. 34.

4. Середин, П.В. Структурные и спектральные характеристики эпитаксиальных гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs (100) выращенных методом жидкофазной эпитаксии / Э.П. Домашевская, П.В. Середин, К.С. Борщев [и др.] // Конденсированные среды и межфазные границы. – 2005. - Т.7, № 3. - С. 291-295.

5. Середин, П.В. ИК-спектры отражения и морфология поверхности эпитаксиальных гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs(100) с фазой упорядочения AlGaAs2 / Э.П. Домашевская, П.В. Середин, А.Н. Лукин [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2006. – Т. 40, вып.4. – С. 411-418.

6. Seredin, P.V. XRD, AFM and IR investigation of ordered AlGaAs2 phase in epitaxial AlxGa1-xAs/GaAs (100) Heterostructures / E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, А.N Lukin [et al.] // Surface and Interface Analysis. – 2006. - vol. 8, I. 4. - P. 828 – 832.

7. Середин, П.В. Экспериментальное исследование и математическое моделирование процессов однофононного резонанса в соединениях A3B5 / П.В. Середин, Ю.А. Анцупова, А.Н. Лукин // Вестник физико-математического факультета Елецкого гос. ун-та им. И.А. Бунина. – 2006. - Вып. 1. - С. 211-214.

8.Середин, П.В. Масштабированный нано- и микрорельеф областей упорядочения в эпитаксиальных гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs (100) / Э.П. Домашевская, П.В. Середин, Э.П. Домашевская [и др.] // Поверхность: Рентгеновские и синхротронные спектры. - 2008. - № 2. - С. 62-65.

9.Seredin, P.V. Investigations of porous InP properties by XRD, IR, USXES, XANES and PL techniques / E.P. Domashevskaya [et al.] // Materials Science and Engineering B – 2008. – N 147. – P. 144-147.

10. Середин, П.В. Исследования пористого InP методами рентгеновской дифракции, ИК-спектроскопии, USXES, XANES AND PL / Э.П. Домашевская, В.М. Кашкаров, В.А. Терехов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. – 2008. – Т. 72, № 4. – C. 470-473.

11. Середин, П.В. ИК-спектры отражения многослойных эпитаксиальных гетероструктур с погруженными слоями InAs и GaAs / П.В. Середин, Э.П. Домашевская, А.Н. Лукин [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2008. – Т. 42, № 9. – С. 1072-1078.

12.Середин, П.В. Состав и параметры доменов, образующихся в результате спинодального распада четверных твердых растворов в эпитаксиальных гетероструктурах GaInP/GaxIn1-xAsyP1-y/GaInP/ GaAs(001) / Э.П. Домашевская, Н.Н. Гордиенко, П.В. Середин [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2008. – Т. 42, № 9. – C. 1086-1093.

13.Середин, П.В. Влияние буферного пористого слоя GaAs и легирования диспрозием в гетероструктурах GaInP:Dy/por-GaAs/GaAs(100) / П.В. Середин, Э.П. Домашевская, Н.Н. Гордиенко [и др.] // Вестник Воронеж. гос. ун-та. Серия: Физика. Математика. – 2008. – № 1. – С. 88-92.

14.Середин, П.В. Влияние технологических параметров на элементный состав и согласование параметров в эпитаксиальных тройных твердых растворах гетероструктур GaxIn1-xP/GaAs(100) / В.Е. Руднева, В.Е. Руднева, П.В. Середин [и др.] // Вестник Воронеж. гос. ун-та. Серия: Физика. Математика. – 2008. – № 1. – С. 81-87.

15.Seredin, P.V. Role of the buffer porous layer and dysprosium doping in GaInP:Dy/por-GaAs/GaAs(100) heterostructures / P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev [et al.] // Phys. Status Solidi C. – 2009. – V. 6, N 7. – P. 1694– 1696.

16.Середин, П.В. Фазообразование под воздействием спинодального распада в эпитаксиальных твердых растворах гетероструктур GaxIn1-xP/GaAs(100) / П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевскaя [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т. 43, № 9. – С. 1261-1266.

17.Середин, П.В. Влияние буферного пористого слоя и легирования диспрозием на внутренние напряжения в гетероструктурах GaInP:Dy/por-GaAs/GaAs(100) / П.В. Середин, Э.П. Домашевская, Н.Н. Гордиенко [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т. 43, № 8. – С. 1137 – 1141.

18.Seredin, P.V. Role of the buffer porous layer and dysprosium doping in GaInP:Dy/por-GaAs/GaAs(100) heterostructures / P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya, A.N. Lukin [et al.] // Известия высших учебных заведений. Физика. – 2009. – Т.8/2. – P. 366-368.

19.Середин, П.В. Структурные и оптические свойства низкотемпературных МОС-гидридных гетероструктур AlGaAs/GaAs(100) на основе твердых растворов вычитания / П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевскaя [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2009. – T. 43, № 12. – C. 1654-1661.

20.Середин, П.В. Структурные и оптические свойства эпитаксиальных твердых растворов при спинодальном распаде в гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs(100) и GaxIn1-xP/GaAs(100) / П.В. Середин // Известия высших учебных заведений. Физика. – 2009. – Т.12/3.

21.Seredin, P.V. Raman investigation of low temperature AlGaAs/GaAs(100) heterostructures / P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya // Physica B: Condensed Matter. – 2010. – V.405, I.12. – P. 2694–2696.

22.Seredin, P.V. Raman and Photoluminescence spectroscopy of low temperature AlGaAs/GaAs(100) heterostructures. / P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya [et al.] // Конденсированные среды и межфазные границы. – 2009. – Т. 11, № 2. – С. 95— 100.

23. Середин, П.В. Субструктура и люминесценция низкотемпературных гетероструктур AlGaAs/GaAs(100) / П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2010. –Т. 44, № 2. – С. 194-199.

24.Середин, П.В. Релаксация параметров кристаллической решетки и структурное упорядочение в эпитаксиальных твердых растворах InxGa1-xAs / П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2010. – Т. 44, № 8. – С. 1140-1146.

25.Seredin, P.V. XRD and Raman Study of Low Temperature AlGaAs/GaAs(100) Heterostructures / P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya [et al.] // Springer Advanced Materials and Technologies for Micro/Nano-Devices, Sensors and Actuators Series (NATO Science for Peace and Security Series Subseries: NATO Science for Peace and Security Series B: Physics and Biophysics) / ed. by E. Gusev, E. Garfunkel. – Springer: Dordrecht, 2010. – P.225-236.

26.Середин, П.В. Спинодальный распад в эпитаксиальных твердых растворахгетероструктур AlxGa1-xAs/ GaAs(100) и GaxIn1xP/GaAs(100) / П.В. Середин // Известия Самарского научного центра Российской академии наук. – 2009. – Т. 11, №3. – С.46-52.

27.Середин, П.В. Эпитаксиальные гетероструктуры AlxGa1-xAs/GaAs(100), полученные методом МОС-гидридной эпитаксии, с высокой степенью легированния твердого раствора кремнием / П.В. Середин // Конденсированные среды и межфазные границы. – 2010. - Т. 12. № 3. - С. 258-267.

28.Seredin, P.V. Structural and optical investigations of AlxGa1-xAs:Si/GaAs(100) MOCVD heterostructures / P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya [et al.] // Physica B: Condensed Matter. – 2011. – V.405, I.22. – P. 4607–4614.

29.Середин, П.В. Влияние кремния на релаксацию кристаллической решетки в гетероструктурах AlxGa1-xAs: Si/GaAs(100), полученных МОС-гидридным методом / П.В.Середин, А.В. Глотов, В.Е. Терновая [и др.] // ФТП. – 2011. – Т. 45, № 4. - С. 488-499.

30.Середин, П.В. Спинодальный распад четверных твердых растворов GaxIn1-xAsyP1-y / П.В. Середин, А.В. Глотов, В.Е. Терновая, Э.П. Домашевская [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2011. –Т. 45, № 11. – Р. 1489-1497.

31.Середин П.В. Структурные и спектральные особенности МОС-гидридных твердых растворов AlxGayIn1–x–yAszP1–z /GaAs(100) / П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская [и др.] // Физика и техника полупроводников, – 2012. – Т. 46, вып. 6. – С. 739-751.