- Зонная структура энергетических уровней поперечного движения при каналировании электронов и позитронов в кристаллах приводит к качественному изменению картины начальных заселенностей квантовых состояний поперечного движения релятивистских электронов и позитронов.
- Угловое распределение дифрагированного рентгеновского излучения при каналировании (DCR) с учетом зонной структуры представляет собой очень узкие кольцеобразные пики большой высоты (более, чем в 10 раз превышающими высоту углового распределения параметрического рентгеновского излучения - PXR) на фоне PXR.
- Пики DCR вблизи брэгговского направления образуют систему окружностей, радиусы и координаты центров которых зависят от энергии перехода между энергетическими уровнями поперечного движения кана-лированного электрона.
- Форма углового распределения PXR при каналировании (PXRC) с учетом зонной структуры определяется поперечным форм-фактором ка-налированных электронов и как следствие, в угловом распределении
- PXRC возникает асимметрия (по сравнению с угловым распределением PXR).
- Вклад вторичной электронной эмиссии при каналировании электронов -Channeling Secondary Electron Emission (CSEE) в полное сечение К-иони-зации может быть сравнимым с сечением К-ионизации (около 16% при γ = 100).
- Спектральное распределение излучения при каналировании (ИК) для электронов, каналированных вдоль плоскостей (111) кристалла LiF, сохраняет характерные квантовомеханические черты ИК - линейчатый спектр - при увеличении релятивистского фактора электронов вплоть до γ = 5000.
- В противоположность PXR, карта направлений линейной поляризации DCR имеет две области резкой неоднородности, расположенных далеко от центра брэгговского направления и не зависит от типа кристалла, причем величина изменения направлений линейной поляризации внутри кольца DCR зависит и от угловой ширины пика DCR, и от типа каналирования (аксиальное или плоскостное).
2.Korotchenko K. B. On crystal-assisted processes by means of 20-800 MeV e/e+ LNF beams. / A. A. Babaev, O. V. Bogdanov, V. I. Efremov, K. B. Korotchenko, Yu. P. Kunashenko, Yu. L. Pivovarov, S. B. Dabagov. Frascati: LNF-08/22(IR), 2008.
3.Богданов O. B., Коротченко K. Б., Пивоваров Ю. Л. Угловое распределение дифрагированного рентгеновского излучения при (111) каналиро-вании электронов в Si: влияние зонной структуры энергетических уровней // Письма в ЖЭТФ. 2007. Т. 85, № 11. С. 684-688.
4.Богданов O. B., Коротченко K. Б., Пивоваров Ю. Л., Тухфатуллин T. A. Рентгеновское и гамма-излучение релятивистских электронов при каналировании в кристалле LiF: переход от квантового к классическому описанию // Известия вузов. Физика. 2007. Т. 50, № 10. С. 132–138.
5.Богданов O. B., Коротченко K. Б., Пивоваров Ю. Л. Эволюция спектров излучения релятивистских позитронов при (100) и (111) каналировании в Si с изменением угла и энергии частиц // Известия Томского политехнического университета. 2007. Т. 311, № 2. С. 62–65.
6.Коротченко K. Б. Особенности заселенностей квантовых состояний при плоскостном каналировании электронов и позитронов в кристалле Si // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2008. № 10. С. 81–85.
7.Богданов O. B., Коротченко K. Б., Пивоваров Ю. Л. Влияние зонной структуры энергетических уровней на угловое распределение дифрагированного рентгеновского излучения при плоскостном каналировании позитронов в Si // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2008. № 4. С. 35–41.
8.Bogdanov O. V., Korotchenko K. B., Pivovarov Yu. L. Peculiarities of channelling radiation spectra from 100 to 800 MeV electrons and positrons in (111) Si crystal // Journal of Physics B: Atomic, Molecular and Optical Physics. 2008. Vol. 41. P. 055004.
9.Bogdanov O. V., Korotchenko K. B., Pivovarov Yu. L., Tukhfatullin T. A. Channeling Radiation from Relativistic Electrons in a Thin LiF Crystal: When is a Classical Description Valid? // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 2008. Vol. B 266. Pp. 3858–3862.
10. Korotchenko K. B., Pivovarov Yu. L., Tukhfatullin T. A. Angular Distributions of Diffracted X-Ray Radiation from Channeled Electrons in Si and LiF Crystals: Influence of Energy Levels Band Structure // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 2008. Vol. B 266. Pp. 3753–3757.
11.Богданов O. B., Коротченко K. Б., Пивоваров Ю. Л. Особенности формирования спектров излучения при (111) плоскостном каналировании релятивистских электронов в кристалле Si // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2009. № 12. С. 84–88.
12.Korotchenko K. B., Fiks E. I., Pivovarov Yu. L., Tukhfatullin T. A. Angular distributions of DCR from axially channeled electrons in <110> LiF crystal // Journal of Physics: Conference Series. 2010. Vol. 236, no. 1. Article number 012016.
13.Bogdanov O. V., Fiks E. I., Korotchenko K. B. et al. Basic channeling with Mathematica: A new computer code // Journal of Physics: Conference Series. 2010. Vol. 236, no. 1. Article number 012029.
14.Korotchenko K. B., Pivovarov Yu. L., Tukhfatullin T. A. Features of Diffracted Channeling Radiation from Electrons in Si and LiF Crystals // Charged and Neutral Particles Channeling Phenomena - Channeling 2008 / Ed. by S. Dabagov, L. Palumbo; 51st Workshop of the INFN Eloisatron Project. The Science and Culture Series - Physics. World Scientific, 2010. Pp. 430–437.
15.Korotchenko K. B., Pivovarov Yu. L., Tukhfatullin T. A. Diffracted Channeling Radiation from Axially Channeled Relativistic Electrons // Charged and Neutral Particles Channeling Phenomena - Channeling 2008 / Ed. by S. Dabagov, L. Palumbo; 51st Workshop of the INFN Eloisatron Project. The Science and Culture Series - Physics. World Scientific, 2010. Pp. 356–369.
16.Korotchenko K. B., Pivovarov Yu. L., Tukhfatullin T. A. Channeling Radiation from Relativistic Electrons in a Crystal Target as Complementary X-Ray and Gamma Ray Source at Synchrotron Light Facilities // Charged and Neutral Particles Channeling Phenomena - Channeling 2008 / Ed. by S. Dabagov, L. Palumbo; 51st Workshop of the INFN Eloisatron Project. The Science and Culture Series - Physics. World Scientific, 2010. Pp. 291–297.
17.Korotchenko K. B. New Features of Diffracted Channeling Radiation from Electrons in Si and LiF Crystals // International Journal of Modern Physics A. 2010. Vol. 25, no. 1. Pp. 157–164.
18.Коротченко K. Б. Модификация теории дифрагированного рентгеновского излучения для осевого каналирования электронов и позитронов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2010. № 4. С. 599–602.
19.Коротченко K. Б., Пивоваров Ю. Л., Тухфатуллин T. A., Фикс E. И. Дифрагированное рентгеновское излучение при осевом каналировании электронов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2010. № 10. С. 31–32.
20.Korotchenko K. B., Pivovarov Yu. L., Tukhfatullin T. A. Angular distributions of Diffracted Channeling Radiation from moderate energy axially channeled electrons in Si and LiF crystals // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 2011. Vol. B 269. Pp. 2840–2844.
21.Korotchenko K. B., Kunashenko Yu. P., Tukhfatullin T. A. Secondary electron emission induced by channeled relativistic electrons in (110) Si crystal // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 2012. Vol. B 270. Pp. 3753–3757.
22.Korotchenko K. B., Pivovarov Yu. L. Polarization properties of DCR from relativistic channeled electrons // IL Nuovo Cimento. 2011. Vol. 34 C. Pp. 191–198.
23.Korotchenko K. B., Kunashenko Yu. P. Exact Solution of the Dirac Equation for Axially Channeled Relativistic Electrons // IL Nuovo Cimento. 2011. Vol. 34 C. Pp. 537–542.
24.Korotchenko K. B., Kunashenko Yu. P. Neutrons planar channeling in crystals // IL Nuovo Cimento. 2011. Vol. 34 C. Pp. 111–118.
25.Korotchenko K. B., Pivovarov Yu. L., Takabayashi Y. Quantum Effects for Parametric X-ray Radiation during Channeling: Theory and First Experimental Observation // Письма в ЖЭТФ. 2012. Vol. 95, no. 8. Pp. 481–485.