- Разработка и экспериментальные исследования образцов туннельных детекторов с многослойной структурой электродов, в том числе, детекторов с трехслойным электродом Al/Nb/NbN, обеспечивающим условия направленной диффузии квазичастиц к туннельному барьеру, и детекторов с пассивными электродами Al/Nb и Ti/Nb. Исследования детекторов со структурой Ti/Nb/Al,AlOx/Al/Nb/NbN, имеющих энергетическое разрешение 90 эВ на рентгеновской линии 6 кэВ, что в ≈ 1.7 раза лучше разрешения кремниевых полупроводниковых детекторов.
- Анализ временной формы сигналов и собственных шумов СТП-детекторов, учитывающий конкуренцию электронного и дырочного каналов туннелирования и режим многократного туннелирования квазичастиц. Получение аналитического выражения для собственной ширины линии. Вывод о том, что конкуренция каналов туннелирования ведет к заметному уширению линии СТП-детекторов.
- Расчет допустимых значений электрических параметров СТП-детекторов, обеспечивающий заданный уровень электронных шумов (например, 80 эВ, 40 эВ и т.д.).
- Разработка диффузионной модели туннельных детекторов, учитывающей двумерное диффузионное движение квазичастиц, их туннелирование и гибель, как в объеме электрода, так и вблизи боковых граней, в том числе для электродов ромбической формы. Анализ энергетического разрешения детекторов, в условиях зависимости сигнала от координаты поглощения кванта (неоднородное уширение). Расчет формы спектральной линии для детекторов, имеющих различную форму электродов. Сравнение расчетов с экспериментальными данными.
- Экспериментальные исследования зависимости амплитуды сигнала СТП-детектора от энергии поглощенного кванта, проведенные методом рентгеновской флюоресценции. Обнаружение сильной нелинейности отклика детектора, обусловленной собственной рекомбинацией неравновесных квазичастиц.
- Разработка диффузионной модели СТП-детекторов с учетом рекомбинационных потерь. Согласованное описание, как формы спектральной линии детектора, так и нелинейной зависимости амплитуды сигнала от энергии поглощенного кванта. Вывод о том, что собственная рекомбинация неравновесных квазичастиц является одним из основных механизмов деградации энергетического разрешения. Формула для оценки вклада рекомбинационных потерь в сигнал детектора.
- Результаты экспериментальных исследований СТП-детекторов со структурой Ti/Nb(1)/Al,AlOx/Al(2)/Nb(2)/NbN: Оптимизация конструкции детекторов с точки зрения улучшения энергетического разрешения и улучшения качества спектров.
- Создание двумерной диффузионной модели стриповых позиционно-чувствительных СТП-детекторов. Анализ влияния краевых и рекомбинационных потерь квазичастиц на амплитуды сигналов и их зависимость от координаты поглощения кванта в поперечном направлении. Анализ уширения спектральной линии и искажения ее формы.
A2. Андрианов В.А., Козин М.Г., Нефедов Л.В., Ромашкина И.Л., Сергеев С.А., Шпинель В.С. Изучение сверхпроводящих туннельных переходов Nb/Al/AlOx/Nb для детектирования мягкого рентгеновского и у излучения // Известия РАН. сер. физ. 1996. Т. 60. N ° 11. С. 184-191.
A3. Andrianov V.A., Abramova I.V., Koshelets V.P., Kozin M.G., Romashkina I.L., Sergeev S.A., Shpinel V.S. STJ-detector charge output: bias voltage and applied magnetic field dependence. // Proceedings of 7-th International Workshop on Low Temperature Detectors (LTD-7), edited by S. Cooper, Munich, 1997, P. 71-72.
A4. Андрианов В.А., Козин М.Г., Сергеев С.А., Шпинель В.С., Абрамова И.В., Кошелец В.П. Туннелирование неравновесных квазичастиц, возбуждаемых рентгеновскими квантами в несимметричном cсверхпроводящем туннельном детекторе. // Физика низких температур. 1997. Т. 23. N° 11. С.1187-1194.
A5. Andrianov V.A., Gorkov V.P., Romashkina I.L., Kozin M.G., Romashkina I.L., Sergeev S.A., Shpinel V.S., Dmitriev P.N., Koshelets V.P. Diffusion and back tunneling effects on the energy resolution of superconducting tunnel junction detectors. // Proceedings of the European Conference on Energy Dispersive X-ray Spectrometry. 1998. Bologna, Italy. ed. J.E. Fernandez and A. Tartari. P. 81-85.
A6. Andrianov V.A., Dmitriev P.N., Koshelets V.P., Kozin M.G., Romashkina I.L., Sergeev S.A., Shpinel V.S. Back tunneling and phonon exchange effects in superconducting tunnel junction X-ray detectors. // Physica B. 1999. V. 263-264. P. 613-616.
A7. Андрианов В.А., Горьков В.П., Козин М.Г., Ромашкина И.Л., Сергеев С.А., Шпинель В.С., Дмитриев П.Н., Кошелец В.П. Электронные и фононные эффекты в сверхпроводящих туннельных детекторах рентгеновского излучения. // Физика Твердого тела. 1999. Т. 41, №7. С. 1168-1175.
A8. Andrianov V.A., Dmitriev P.N., Koshelets V.P., Kozin M.G., Romashkina I.L., Sergeev S.A., Shpinel V.S. Phonon effects in STJ X-ray detectors. // Nucl. Instr. and Meth. In Phys. Res. A. 2000. V. 444. P. 19-22.
A9. Andrianov V.A., Dmitriev P.N., Koshelets V.P., Kozin M.G., Romashkina I.L., Sergeev S.A. STJ X-Ray Detectors with Killed Electrode.// AIP Conf. Proc. 2002. V. 605. P. 161-164.
A10. Andrianov V.A., Gorkov V.P. Numerical Calculations of Diffusion Effects in STJ-Detectors. // AIP Conf. Proc. 2002. V. 605. P. 39-42.
A11. Samedov V. V., Andrianov V.A. Fluctuations of STJ-Detector Signal due to Competition of Electron and Hole Tunneling Channels. // AIP Conf. Proc. 2002. V. 605. P. 47-50. A12. Андрианов В.А., Горьков В.П. Диффузионная модель детекторов на основе сверхпроводящих переходов. // Прикладная математика и информатика. 2004. № 19. C. 5-20.
A13. Andrianov V.A., Filippenko L.V., Gorkov V.P., Koshelets V.P. Quasiparticle Recombination in STJ X-ray detectors. // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. A. 2006. V. 559. P. 683-685.
A14. Andrianov V.A., Filippenko L.V., Gorkov V.P., Koshelets V.P. Recombination losses in STJ X-ray detectors with killed electrode. // Journal of Physics: Conference Series 2006. V. 43. P. 1311-1314.
A15. Андрианов В.А., Горьков В.П., Кошелец В.П., Филиппенко Л.В. Рекомбинация квазичастиц в сверхпроводящих туннельных детекторах рентгеновского излучения // Измерительная техника. 2006. № 8. C. 59-64.
A16. Андрианов В.А., Горьков В.П., Кошелец В.П., Филиппенко Л.В. Сверхпроводящие туннельные детекторы рентгеновского излучения. Вопросы энергетического разрешения. // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41. № 2. C. 221-228.
A17. Andrianov V.A., Filippenko L.V., Gorkov V.P., Koshelets V.P. Bias Voltage Dependence of Quasiparticle Recombination in STJ Detectors with Killed Electrode. // J. of Low Temp. Phys. 2008. V. 151. P. 287-291.
A18. Andrianov V.A., Gorkov V.P. Quasiparticle Edge Losses in Double STJs Strip X-Rays Detectors. // J. of Low Temp. Phys. 2008. V. 151. P. 327-332.
A19. Андрианов В.А., Горьков В.П. Энергетическое разрешение стриповых сверхпроводящих детекторов с двумя туннельными переходами. // Известия РАН серия физическая. 2008. Т. 72. № 6. С. 793-797.
A20. Andrianov V.A., Gorkov V.P. Quasiparticle Self-Recombination in Double STJs Strip X-ray Detectors. // AIP Conference Proceedings. 2009. V. 1185. P. 465-468.
A21. Горьков В.П., Андрианов В.А. Двумерная модель стрипового детектора с двумя туннельными переходами. // Прикладная математика и информатика. 2010. № 36. С. 25-36.
A22. Андрианов В.А., Кошелец В.П., Филиппенко Л.В. О сигнале пассивного электрода в рентгеновских детекторах на базе сверхпроводящих туннельных переходов. ФТТ, 2011, Т. 53, № 8, С. 1466-1472.