- Освещение M(TI)S(TI)M-структур "собственным" светом приводит к существенному перераспределению напряженности электрического поля в кристалле. При этом в результате накопления свободных носителей в кристалле электрическое поле смещается к темновому электроду и может увеличиваться близи него более, чем на порядок..
- Время установления стационарного электрического поля в M(TI)S(TI)M-структурах при освещении определяется временем установления сквозного фототока в структуре и не зависит от времени экспозиции.
- После выключения освещения напряженность электрического поля в M(TI)S(TI)M-структурах возвращается к своему темновому значению благодаря наличию туннельно прозрачного диэлектрика (TI), позволяющего записанному заряду свободных носителей покидать структуру после выключения освещения за время единиц микросекунд.
- Определена прозрачность туннельной тонких диэлектрических слоев (TI) в M(TI)S(TI)M-структурах, изучено воздействие прозрачности (TI)-слоев на параметры приборов, реализованных на их основе (фотонные ключи, корреляторы изображений)
- Освещение n-p(TI)M-структур с обратно смещенным n-p переходом сопровождается резким уменьшением (на порядок) напряженности поля в области n-p перехода и возрастанием поля на участке кристалла вблизи (TI) слоя
- Запись изображений на n-p(TI)M-структурах на "чистых" кристаллах (CdTe, Nt<1013см-3) осуществляется на зарядах свободных фотоносителей с быстродействием до 105-106 цикл/с.
- Сопоставление сравниваемых изображений с эталонным на n-p(TI)M-структурах осуществляется путем регистрации фототока, возникаюшего при освещении поверхности структуры со стороны TI-слоя сравниваемым изображением.
К2. В.П.Иванова, П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев. Емкость n-p переходов на компенсированном CdTe. ФТП, 3, 7, (1969).
К3. А.П.Богомазов, В.П.Карпенко, П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев, Р.С.Стецюк. Электрические свойства поверхностно-барьерных n-p переходов на высокоомном CdTe. ФТП, 4, 5 (1970).
К4. В.П.Карпенко, П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев. Фотопамять поверхностно- барьерных переходов на CdTe.. ФТП, 4, 5, 937-940 (1970).
К5. В.П.Карпенко, П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев. Глубокие примесные уровни в кристаллах CdTe. ФТП, 4, 9, 1740-1744 (1970).
К6 В.П.Карпенко, П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев. Фотоэлектретный эффект на полупроводниковых материалах. ФТП, 5, 1, 62-60 (1971).
К7 В.П.Карпенко, П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев. Память фототоков n-p структур с глубокими центрами на CdTe к действию облучения. ФТП, 5, 7,1458-1460 (1971).
К8 Г.Д.Дмитриев, В.П.Карпенко, П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев. Фотоэлектретный эффект на низкоомных кристаллах CdTe при облучении Υ-квантами Co60. ФТП, 5, 12, (1971).
К9. В.П.Карпенко, П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев. Поляризация n-p переходов на Ge под действием Υ-облучения. ФТП, 6, 2 (1972).
К10. В.П.Карпенко, П.Г.Кашерининов, Л.Л.Маковский, О.А.Матвеев. Поляризация слоя объемного заряда n-p (n-i- p) детекторов при облучении. ФТП, 6, 2 (1972).
К11. В.П.Карпенко, П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев, А.А.Томасов Определение параметров примесных центров методом перезарядки их электромагнитным излучением. ФТП, 7, 10, 1901-1907 (1973).
К12. П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев, А.А.Томасов. Термическая диссоциация комплексов в полупроводниковых материалах. ФТП,8, 3, 623-616 (1974).
К13. П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев, А.А.Томасов. Образование ассоциации мелкий донор- глубокий акцептор в германии. ФТП,8 3, 799-900 (1974).
К14 С.И.Затолока, П.Г. Кашерининов, О.А.Матвеев, Д.Г.Матюхин, А.А.Томасов, В.С.Хрунов. Природа низкотемпературной диссоциации комплексов в полупроводниковых материалах. ФТП ,9. 3, 580-583 (1975)
К15. С.И.Затолока, П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев Д.Г.Матюхин, А.А.Томасов, В.С.Хрунов. Влияние электрического поля на процесс объединения разноименно заряженных примесей в комплексы. . ФТП,9, 3,580-583 (1975).
К16. Л.Г.Забелина,В.П.Крепкая, П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев, А.А.Томасов. Медь и кислород в кристаллах фосфида галлия, Электронная тех.сер.4,Электровакуумные и газоразрядные приборы, в.2 стр. 84-87 (1976).
К17. С.И.Затолока, П.Г.Кашерининов, В.П.Карпенко О.А.Матвеев, Д.Г.Матюхин, А.А.Томасов, В.С.Хрунов Определение ширины области поля в полупроводниковых кристаллах ФТП 13, 9, 1681-1687 (1979).
К18. П.Г.Кашерининов, О.А.Матвеев Д.Г.Матюхин Определение произведения (μτ) в полуизолирующих кристаллах теллурида кадмия. ФТП 13, 7, 1288-1292 (1979).
К19.П.Г.Кашерининов, Д.Г.Матюхин. Объемные поляризационные заряды в полуизолирующих кристаллах теллурида кадмия. ФТП 14, 5, 874-881 (1980).
К20.П.Г.Кашерининов, Д.Г.Матюхин, В.А.Сладкова, Природа нелинейности люксамперных характеристик МПМ структур на полуизолирующих кристаллах теллурида кадмия .ФТП 14, 7,1293-1300 (1980).
К21 П.Г.Кашерининов, В.А.Сладкова. Природа отрицательной проводимости (ИК гашения) в высокоомных полупроводниковых кристаллах. ФТП 14, 9,1739-1746. (1980).
К22. П.Г.Кашерининов. Особенности распределения напряженности электрических полей в детекторах на основе МПМ (МДПДМ) структур при регистрации излучения. ФТП 15,10,1888-1894 (1981)
К23.А.А.Томасов, О.А.Матвеев, П.Г.Кашерининов. Влияние эффекта обратной диффузии носителей заряда на энергетический спектр мягкого рентгеновского излучения в полупроводниковых детекторах. ФТП 15, 11,2097-2102. (1981)
К24. П.Г.Кашерининов, А.В.Кичаев, Ю.Н Перепелицын, Ю.О.Семенов, И.Д.Ярошецкий.
Светоуправляемые оптические элементы для оптической обработки информации и ВОЛС. Электросвязь, 10, 37-39 (1990).
К25. П.Г.Кашерининов, А.В.Кичаев, Ю.Н.Перепелицын, В.Е.Харциев, И.Д.Ярошецкий. Фотоэлектрические явления в полупроводниковых структурах с фоточувствительным распределением электрического поля и оптоэлектронные приборы на их основе.
Часть I C-.Пб: Препринт ФТИ-1569. 1991 59стр
Часть II C-.Пб: Препринт ФТИ-1570. 1991 62стр
К26. P.G.Kasherininov, A. V.Kichaev and other. Photon switchers based on nonlinear electric field redistribution. SPIE Proceedings, Nonlinear Optics II-1992-v.1626 p. 66-72. (1992)
К27. П.Г.Кашерининов, А.В.Кичаев, С.Л.Кузьмин, В.Е.Харциев, И.Д.Ярошецкий. Светоуправляемые оптические коммутационные приборы на высокоомных полупроводниковых структурах. Письма в ЖТФ,19,9, 55-58 (1993).
К28. П.Г.Кашерининов, А.В.Кичаев , И.Д.Ярошецкий. Распределение напряженности электрического поля в высокоомных М(ТД)П(ТД)М структурах при освещении. Письма в ЖТФ,19,17,48-53 (1993).
К29. П.Г.Кашерининов, А.В.Кичаев, С.Л.Кузьмин, М.М.Мездрогина, И.Д.Ярошецкий. Быстрые нелинейные ортические среды на гетероструктурах электрооптический-неэлектрооптический кристалл (CdTe-α Si). . Письма в ЖТФ, 19,9,47-50 (1993).
К30. П.Г.Кашерининов, А.В.Кичаев, В.Е.Харциев, И.Д.Ярошецкий. Полупроводниковый фотоприемник со светоуправляемой фоточувствительной областью. Письма в ЖТФ,19,9, 51-54 (1993).
К31. П.Г.Кашерининов, А.В.Кичаев, А.А.Томасов, И.Д.Ярошецкий. Фотоэлектрические явления в структурах с границей раздела полупроволник-тонкий слой диэлектрика на высокоомных “чистых “кристаллах. Письма в ЖТФ, 20,18, 16-21 (1994).
К32 П.Г.Кашерининов, А.В.Кичаев , И.Д.Ярошецкий. Фотоэлектрические явления в высокоомных структурах с границей раздела полупроволник-тонкий слой диэлектрика на высокоомных компенсированных кристаллах. ЖТФ, 65,8 (1995.
К33. П.Г.Кашерининов, А.В.Кичаев, А.А.Томасов. Фотоэлектрические явления в структурах на высокоомных полупроводниковых кристаллах с тонким слоем диэлектрика на границе полупроводник-металл. ФТП, 29,11, 2092-2107 (1995)
К34..П.Г.Кашерининов, А.Н.Лодыгин, Новые полупроводниковые приборы для регистрации энергии (дозы) электромагнитных и ядерных излучений на основе специального типа структур металл-диэлектрик-полупроводник./ Письма в ЖТФ, 1997, том 23, вып. 4, стр 23-29.
К35.КашерининовП.Г.,ЛодыгинА.Н./Дозиметр для оперативного контроля энергии (дозы) ядерных излучений на структуре металл (М)-газовый диэлектрик (ГД)-полупроводник (П) (М(ГД)П). Письма в ЖТФ, 1998, том 24, № 22, стр. 64-69.
К36. П.Г.Кашерининов, А.Н.Лодыгин, С.С.Мартынов, В.С.Хрунов.. Неполяризующиеся детекторы излучений на основе монокристаллов широкозонных полупроводников./ ФТП, 1999, том 33, вып.12, стр.1475-1478.
К37. А.Д.Бондарев, П.Г.Кашерининов, А.Н.Лодыгин, С.С.Мартынов, В.С.Хрунов/ Периодический пробой газового слоя в структуре металл-газовый диэлектрик-полупроводник-металл при стационарном освещении структуры /Письма в ЖТФ, 2000, том 26, вып 3,стр.67-72.
К38. Kasherininov,PG; Lodygin,AN; Sokolov,VK “Real-time optoelectronic image correlators based on semiconductor structures”,in Proceedings of SPIE Vol.5066) Lasers for Measurements and Information Transfer 2002, edited by E.Privalov, (SPIE,Bellingham,WA,2003, p: 273-280
К39.Кашерининов,ПГ; Лодыгин,АН; Тарасов,ИС ”Полупроводниковые преобразователи непрерывного лазерного излучения в импульсное излучение” Письма ЖТФ, 2003, т.29, 21 страницы: 17-21
К40 П.Г.Кашерининов, А.В.Кичаев, В.И.Корольков, В.К.Соколов, Ф.Ю.Солдатенков, А.А.Томасов “Фотодетекторы с оптически управляемой областью фоточувствительности на наноструктурах на основе GaAs и CdTe” Конференция: Лазеры, Измерения, Информация. Санкт-Петербург, 7-8 июня 2006г. доклад, Тезизы доклада стр.73-74,
К41. П.Г.Кашерининов, А.В.Кичаев, А.Н.Лодыгин, А.А.Томасов, В.К.Соколов “Быстрые фотонные ключи на основе полупроводниковых наноструктур” Конференция: Лазеры, Измерения, Информация. Санкт-Петербург, 8-9 июня 2005г. доклад, Тезизы доклада стр. 80-81
К42. П.Г.Кашерининов ”Полупроводниковый фотодетектор для интеллектуальных систем” IWRFRI-2000. Четвертый международный семинар ”Российские технологии для индустрии”, Санкт-Петербург,29-31 мая,2000, Сборник тезисов, стр 194-195
К43. П.Г.Кашерининов, А.В.Кичаев ”Светоуправляемые оптические переключатели на полупроводниковых структурах для оптических линий связи” IWRFRI-2000. Четвертый международный семинар ”Российские технологии для индустрии”, Санкт-Петербург,29-31 мая,2000, Сборник тезисов, стр 196-197.
К44.. П.Г.Кашерининов, А.Н.Лодыгин” Полупроводниковые детекторы-дозиметры для одновременного оперативного измерения интенсивности и энергии (дозы) электромагнитных, рентгеновских и гамма излучений на широкозонных изолирующих кристаллах.” ” IWRFRI-2000 . Четвертый международный семинар ”Российские технологии для индустрии”, Санкт-Петербург,29-31 мая,2000, Сборник тезисов, стр 198-199.
К45. P.G.Kasherininov ,A.N.Lodygin, V.K.Sokolov “Real time optoelectronic image correlators on the base of semiconductor structures with a nano-dimensional dielectric layer”, Nanotechnologies in the area of physics, chemistry and biotechnology, Fifth ISTC Scientieic Advisory Committee Seminar, St-Petersburg, Russia, May 27-29, 2002, ABSTRACTS, p 118-119
К46. P.G.Kasherininov, A.N.Lodygin, V.K Sokolov, “Real time optical information recording on semiconductor nano-structures”, Partnership Development in Russia/CIS, 2nd ISTS-Samsung forum, October13-14, 2003 Moscow, Abstracts, p2
К47. Kasherininov,PG; Kichaev,AV; Lodygin,AN; Sokolov,VK “Real-time optical information recording on semiconductor nanostructures” Lasers for Measurements and Information Transfer 2003 Proc. SPIE, v.5381, 1, p. 292-301. 2004 SPIE ISSN: 0277-786X
К48. Kasherininov,PG; Lodygin,AN; Sokolov,VK “ Detectors based on wide-gap insulating crystals for registration of intensive beams of nuclear, x-ray and electromagnetic radiation” Lasers for Measurements and Information Transfer 2004 Proc. SPIE, v.5447, p.346-356 2005 SPIE ISSN: 0277-786X
К49. P.G.Kasherininov, A.N.Lodygin and V.K.Sokolov “Semiconductor nanostructures for creation number of new types light controlled high speed operation optoelectronic devices” 12th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, 2004, p.184-186)
К50.Кашерининов,ПГ; Кичаев,АВ; Корольков,ВИ; Лодыгин,АН; Солдатенков,ФЮ Быстрые фотонные ключи на наноструктурах на основе арсенида галлия: Письма ЖТФ, т.32, 9 ,7-17 (2006)
К51. P.G.Kasherininov, A.V.Kichaev, A.N.Lodygin, А.А.Тоmаsоv, V.K.Sokolov “Fast photon switches on semiconductor nanostructures” Laser for Measurements and Information Transfer 2005, edited by Vadim E.Privalov, Proceedings of SPIE Vol 6251, p. 327-337 (SPIE, Bellingham, WA, Apr 2006 )
К52. P.G. Kasherininov , A.V.Kichaev, А.А.Тоmаsоv, V.K. Sokolov “Photodetectors for fast images recognition on structures with Shottky barriers” Laser for Measurements and Information Transfer 2006, edited by Vadim E.Privalov, Proceedings of SPIE Vol. 6594, p. 65941G (SPIE, Bellingham, WA, Jan 2007)
К53. P.G.Kasherininov, A.A.Tomasov, “High-efficiency optical analog computers of incoherent light on semiconductor nanostructures” Конференция: Лазеры, Измерения, Информация. Санкт-Петербург, 7-8 июня 2007г. доклад, Тезизы доклада стр.75-76,
К54. P.G.Kasherininov, A.A.Tomasov, “High-efficiency optical analog computers of incoherent light on semiconductor nanostructures” Laser for Measurements and Information Transfer 2007, edited by Vadim E.Privalov, Proceedings of SPIE: Proc. SPIE Vol. 7006 p.7006OK (SPIE, Bellingham, WA, J 2008
К55. П.Г.Кашерининов, А.А.Томасов “Высокопроизводительные оптические процессоры для оптических аналоговых компьютеров некогерентного света с параллельной обработкой изображений на полупроводниковых наноструктурах” Письма в ЖТФ, 34, 8, стр.68-76, (2008)
К56. П.Г.Кашерининов, А.А.Томасов. Быстрые оптические регистрирующие среды на полупроводниковых наноструктурах для записи и обработки изображений ФТП, 42, 11, 1391-1399 (2008)
К57. P.G.Kasherininov, A.A.Tomasov, “High-efficiency optical analog computers of incoherent light on semiconductor nanostructures” Laser for Measurements and Information Transfer 2007, edited by Vadim E.Privalov, Proceedings of SPIE: Proc. SPIE Vol. 7006OK p. (SPIE, Bellingham, WA, J 2008),
К58. Патент на изобретение N 2250159. Фотодетектор Патентообладатель:Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН. Приоритет от 15.02.1999. Авторы изобретения: Кашерининов Петр Георгиевич, Лодыгин Анатолий Николаевич, Хрунов Владимир Семенович, Мартынов Станислав Семенович, Кашерининова Руслана Сергеевна. Зарегистрирован в Государственном реестре изобретений Российской Федерации, г. Москва, 27 мая 2000г.
К59. Патент на изобретение N 2250130. Способ регистрации излучения Патентообладатель:Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН. Приоритет от 15.02.1999. Авторы изобретения: Кашерининов Петр Георгиевич, Лодыгин Анатолий Николаевич, Хрунов Владимир Семенович, Мартынов Станислав Семенович, Кашерининова Руслана Сергеевна. Зарегистрирован в Государственном реестре изобретений Российской Федерации, г. Москва, 27 мая 2000г.
К60. Патент на изобретение N 2212054. Оптический коррелятор. Патентообладатель:Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН. 25.03.2002. Авторы изобретения: Кашерининов Петр Георгиевич, Лодыгин Анатолий Николаевич, Соколов Владимир Константинович. Зарегистрирован в Государственном реестре изобретений Российской Федерации, г. Москва, 10 сентября 2003 г.
К61. Кашерининов П.Г, Томасов А.А, Берегулин Е.В “Быстрые оптические регистрирующие среды на полупроводниковых наноструктурах для записи изображений на зарядах свободных фотоносителей” ФТП, 2011, том 45, выпуск 1, с 3-22