- Наибольшим структурным совершенством среди синтетических алмазов типа Ib обладают кристаллы, полученные при минимальных скоростях выращивания, вследствие чего в них минимизированы структурные дефекты и упругие напряжения, равномерно распределены примесные дефекты, интенсивны процессы излучательной рекомбинации. Критерием совершенства таких алмазов является отношение µ1130/ µ1344, достигающее в наиболее совершенных никелевых и кобальтовых кристаллах значений 1,48 и 0,95 - соответственно.
- Атомы донорного азота являются причиной: а) тушения процессов излучательной рекомбинации; б) внутренних напряжений, облегчающих образование изолированных вакансий при облучении высокоэнергетичными электронами; в) ускорения диффузии протонов в кристаллическую решетку при LPHT отжиге; г) компенсации заряда в паре дефектов Н4/Н5, где Н5-дефект (ЭКС с БФЛ 804,8 нм/1,539 эВ) связывается с Н4-дефектом, захватившим валентный электрон донорного азота: Н4 + е-→Н5.
- При отжиге без давления, С→А - агрегация в никелевых кристаллах активируется при 1700оС и протекает с ЕА ≈ 6,6±0,6 эВ по интерстиционному механизму, связанному с трансформацией ионов никеля. Появление в структуре NV -, и NI - дефектов приводит к появлению двух дополнительных каналов агрегации: вакансионного - с участием С-, и NV - дефектов; канала с участием донорного и интерстиционного азота; вследствие чего ЕА понижается до ≈ 0,5 ÷ 1,5 эВ. Большие значения EA в кобальтовых кристаллах объясняются меньшим влиянием на агрегацию ионов кобальта, из-за их большего, по сравнению с никелем, атомного радиуса.
- При облучении электронами (3МэВ/1018см-2) каждый третий из падающих на алмаз электронов генерируют одно первичное смещение атома; при этом в кристаллах типа Ib (с [NC]≤ 12 ppm) образуется ~9 ppm изолированных вакансий, среди которых доля отрицательно заряженных возрастает с 6 (при [NC]=0,5 ppm) до 67% (при [NC]=12 ppm).
- Концентрация азотных интерстиций, связана с интенсивностью ИК полосы 1450 см-1 соотношением: [NI](ppm)=(3±0,6 ppm/см-1)×µ1450(см-1); сечения поглощения интерстиционного и донорного азота отличаются на порядок.
- Произведение флюенса «надтепловых» нейтронов на суммарное содержание азота в кристалле, при котором, в результате трансформации NI - дефектов при 1500°С, образуется около 4 ppm С-дефектов, составляет 380×1017 ppm×нейтронов/см2.
- При НРНТ отжиге природных алмазов одновременно происходят две группы процессов, скорость которых выше в более деформированных кристаллах: а) разрушение имеющих дислокационную природу центров коричневой окраски, сопровождающееся образованием, миграцией и захватом вакансий, с появлением H3/H2-, N3-центров окраски; б) диссоциация и агрегация А - дефектов, с образованием С-, и В1-, а иногда и В2 - дефектов, соответственно.
- Поведение при НРНТ отжиге водородной линии 3107 см-1 и обесцвечивание серых графитсодержащих алмазов имеет одну природу и связано с диссоциацией водорода из источников водорода - предположительно микрочастиц графита.
- При термоударном режиме АРНТ отжига, в алмазах происходит такая же трансформация структурных дефектов, что и при НРНТ отжиге.
2.Чепуров А.И., Пальянов Ю.Н., Федоров И.И., Винс В.Г. и др. Авторское свидетельство № 258855 Госкомитета СССР по делам изобретений и открытий (приоритет от 11.05.1986 г.).
3.Елисеев А.П., Винс В.Г., Надолинный В.А., Чепуров А.И., Пальянов Ю.Н. Влияние условий образования синтетических алмазов на их ренгенолюминесценцию.// Сверхтвердые материалы.-1987. -№4.-С.3-9.
4.Чепуров А.И., Пальянов Ю.Н., Федоров И.И., Винс В.Г. и др. Авторское свидетельство № 270061 Госкомитета СССР по делам изобретений и открытий (приоритет от 06.03.1987 г.).
5.Винс В.Г., Елисеев А.П. Особенности экспериментального изучения спектров поглощения синтетических алмазов. // Сверхтвердые материалы.-1987.-№5.-С.20-23.
6.Елисеев А.П., Соболев Е.В., Винс В.Г. Термостимулированная люминесценция в алмазах типа Ib.// Сверхтвердые материалы.-1988.-№1.-С.11-18.
7.Винс В.Г., Елисеев А.П., Малоголовец В.Г. Оптическая спектроскопия синтетических алмазов, облученных нейтронами.// Сверхтвердые материалы.-1988.-№4.-С.22-28.
8.Yelisseyev A.P., Vins V.G., Chepurov A.I., Palyanov Yu.N. Effect of formation conditions on synthetic diamond luminescence. // Proceedings XI AIRAPT International Conference. Kiev, 1989. -P.45-49.
9.Винс В.Г., Елисеев А.П. Туннельная люминесценция в синтетических алмазах. // Сверхтвердые материалы. -1989.-№3.-С.13-17.
10.Винс В.Г., Фейгельсон Б.Н., Елисеев А.П. и др. Оптически активные дефекты в алмазах, выращенных в диапазоне температур 1350-1740С.// Сверхтвердые материалы.-1991.-№3.-С.21-26.
11.Винс В.Г. Изменение цвета коричневых природных алмазов под действием высоких давлений и температур. Записки Всероссийского Минералогического Общества, 2002, №4, с. 111-121.
12.Vins V.G., Kononov O.V. A model of HPHT color enhancement mechanism in natural gray diamonds. Diamond and Related Materials, Vol.12, Issues 3-7, March-July 2003, p. 542-545.
13.Винс В.Г. Способ получения алмазов фантазийного красного цвета. Патент РФ №2237113 (приоритет от 26.06.2003).
14. Vins V.G. On The Transformation Of Optically Active Defects In Diamonds Crystal Lattice. Diamond and Related Materials, Vol.13, Issues 4-8, 2004, p. 732-735.
15.Козьменко О.А., Винс В.Г. и др. Способ очистки алмаза. Патент РФ №2285070 (приоритет от 10.11.2004).
16.Vins V.G. New radiation induced defects in HPHT synthetic diamonds. Diamond & Related Materials, Vol.14, Issues 4-8, 2005, p. 364-368.
17.Vins V.G., Pestryakov E.V. Color centers in diamond crystals: Their potential use in tunable and femtosecond lasers. Diamond & Related Materials, Vol.15, Issues 4-7, 2006, p.569-571.
18.Vins V.G., Yeliseyev A.P., Chigrin S.V., Grizenko A.G., Natural Diamond Enhancement: The Transformation of Intrinsic and Impurity Defects in the Diamond Lattice. Gems &Gemology, Fall 2006, p.120-121.
19.Козьменко О.А., Винс В.Г. и др. Способ обработки алмазосодержащих концентратов. Патент РФ 2316472 (приоритет от 08.02.2006).
20.Винс В.Г., Елисеев А.П. Получение, свойства и перспективы использования структурно совершенных НРНТ синтетических алмазов типа Ib. В кн. «Высокие технологии в промышленности России. Материалы XIV Международной научно-технической конференции». Москва, ЦНИТИ «Техномаш», 2008, стр.242-247.
21.Козьменко О.А., Винс В.Г. Способы полной очистки алмазов. «Заводская лаборатория. Диагностика материалов», 2008, т.74, №6, стр.30-31.
22.Винс В.Г., Елисеев А.П. Влияние условий выращивания на спектральные характеристики синтетических алмазов типа Ib. Перспективные материалы, 2009, №6, стр.36-42.
23.Винс В.Г., Елисеев А.П. Влияние отжига при высоких давлениях и температурах на дефектно - примесную структуру природных алмазов. Перспективные материалы, 2010, №1, стр.49-58.
24.Vins V.G., Yelisseyev A.P., Lobanov S.S., Afonin D.V., Maksimov A.Yu, Blinkov A.Ye. APHT treatment of brown type Ia natural diamonds: dislocation movement or vacancy cluster destruction? Diamond & Related Materials, Vol.19, 2010, p.829-832.
25.Vins V.G., Eliseev A.P. Effect of annealing at high pressures and temperatures on the defect- admixture structure of natural diamonds. Inorganic Materials: Applied Research. 2010, Vol.1, No 4, p.303 – 310.
26.Yelisseyev A., Vins V., Lobanov S., Afonin D., Maksimov A., Blinkov A. Aggregation of Donor Nitrogen in Irradiated Ni-Containing Synthetic Diamonds. Journal of Crystal Grows, 2011, Vol. 318, Issue 1, p. 539-544.
27.Винс В.Г., Елисеев А.П. Агрегация азота в синтетических алмазах с никелевыми и радиационными дефектами. Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2011, том 8, №1, стр.17 – 24.
28.Винс В.Г., Елисеев А.П., Старостенков М.Д. Генерация и отжиг радиационных дефектов в алмазах, облученных электронами. Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2011, том 8, №1, стр. 66 - 79.