- Основной причиной образования структурных дефектов при гетероэпитаксии AIIBVI/GaAs наряду с рассогласованием параметров кристаллических решеток является нарушение баланса валентных электронов в гетеропереходе за счет образования промежуточных соединений между компонентами пленки и подложки. Образование связей галлий - халькоген в решетке сфалерита является причиной фасетирования подложки плоскостями (111)В и двойникования в растущей пленке AIIBVI.
- Микрорельеф чистой поверхности Si(310) после предэпитаксиального отжига в широком интервале температур образован террасами плоскости (100), разделенными эквидистантными ступенями двухатомной высоты.
- Ансамбль структурных дефектов в гетероструктурах CdHgTe/CdTe/ZnTe/Si(310) определяется условиями формирования гетерограницы ZnTe/Si(310). Плотность антифазных границ зависит от соотношений давлений паров Zn и Te2 и температуры подложки в начальный момент роста теллурида цинка. Высокое давление паров цинка обеспечивает получение монодоменных слоев. В свою очередь, высокое давление паров Zn предопределяет огранение трехмерных островков на начальной стадии роста фасетками (111) одной полярности и приводит к анизотропному распределению дефектов упаковки в объеме гетероструктуры.
- Различие в структурном совершенстве слоев CdTe/ZnTe, выращенных на подложках GaAs(310) и на подложках Si(310), определяется различием кинетики формирования гетеропереходов ZnTe/GaAs(310) и ZnTe/Si(310), а не вкладом рассогласования параметров кристаллических решеток пленки и подложки. Скорость роста теллурида цинка на подложках GaAs(310) на начальных стадиях осаждения не лимитируется образованием и ростом зародышей и определяется только скоростью поступления осаждаемого материала на подложку. При осаждении ZnTe на подложке Si(310) имеет место образование и рост зародышей, которые определяют скорость формирования пленки на начальных стадиях. Большая часть прорастающих дефектов в гетероструктуре CdTe/ZnTe/Si(310), такие как дислокации и дефекты упаковки, образуется при коалесценции островков ZnTe в начальный момент роста.
- Кристаллизация CdHgTe на поверхности (310) не имеет кинетических ограничений. Коэффициент встраивания атомов Hg для CdHgTe(310) в четыре раза выше, чем для CdHgTe(100). Диссоциация двухатомных молекул теллура на поверхности CdHgTe (310) происходит с преодолением более низкого активационного барьера. В результате в процессе роста (в пределах ошибки измерения - 0,1 монослоя) не происходит образования адсорбционного слоя теллура. На поверхности (310) выращивание слоёв CdHgTe с высокими электрофизическими и структурными характеристиками возможно в более широком диапазоне давлений ртути, чем на поверхности (112)В.
2.Якушев М.В. О локальных неоднородностях вхождения Ga и As в пленку ZnSe из подложки GaAs / Т.А.Гаврилова, Ю.Г.Сидоров, М.В.Якушев // Письма в ЖТФ. – 1995. - Т.21,№1. -С.72-75.
3.Якушев М.В. Двойникование на начальных стадиях эпитаксии полупроводниковых соединений А2В6 на подложках GaAs / М.В.Якушев, Ю.Г.Сидоров, Л.В.Соколов // Поверхность. – 1996. - №10. - С. 35-46.
4.Якушев М.В. РФЭС анализ гетеросистем ZnSe/GaAs(112)B полученных МЛЭ / М.В.Якушев, В.Г.Кеслер, Л.М.Логвинский, Ю.Г.Сидоров // Поверхность. – 1997. - №2. - С. 58-67.
5.Sidorov Yu.G. Pecularities of the MBE growth physics and tecnology of narrow- gap II-VI compounds / Yu.G.Sidorov, S.A.Dvoretsky, M.V.Yakushev, N.N.Mikhhailov, V.S.Varavin, V.I.Liberman // Thin Solid Films. – 1997. - Vol.311. - P.253-266.
6.Иванов И.С. Сопряжение решеток CdTe(112)/GaAs(112) при молекулярно лучевой эпитаксии / И.С.Иванов, Ю.Г.Сидоров, М.В.Якушев // Неорганические материалы. – 1997. -Т.33,№3. - С. 298-302.
7.Shvets V.A. Ellipsometric study of tellurium molecular beam interaction with dehydrogenated vicinal silicon surface / V.A.Shvets, S.I.Chikichev, D.N.Pridachin, M.V.Yakushev, Yu.G.Sidorov, A.S. Mardezhov // Thin Solid Films. – 1998. - Vol.313-314. - P.561 – 564.
8.Придачин Д.Н. Изучение процессов адсорбции теллура на кремнии методами эллипсометрии, ДБЭ и Оже-спектроскопии / Д.Н.Придачин, М.В.Якушев, Ю.Г.Сидоров, В.А.Швец // Автометрия. – 1998. - №4. - С.96 – 104.
9.Pridachin D.N. A study of tellurium adsorption processes on silicon by ellipsometry, RHEED and AES methods / D.N.Pridachin, M.V.Yakushev, Yu.G.Sidorov, V.A.Shvets // Journal of Applied Surface Science. – 1999. - Vol.142. - P.485-489.
10.Якушев М.В. Использование эллипсометрических измерений для высокочувствительного контроля температуры поверхности / М.В.Якушев, В.А.Швец // Письма в ЖТФ. – 1999. -Т.25,№14. - С. 65-68.
11.Сидоров Ю.Г. Конструирование и выращивание фоточувствительных структур на основе КРТ МЛЭ для ИК-фотоприемников / Ю.Г.Сидоров, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, В.С.Варавин, В.В.Васильев, А.О.Сусляков, В.Н.Овсюк, М.В.Якушев // Прикладная физика. – 2000. - №5. - С. 121-131.
12.Михайлов Н.Н. Изучение процессов адсорбции и десорбции теллура на поверхности СdTe методом эллипсометрии / Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Сидоров, С.А.Дворецкий, М.В.Якушев, В.А.Швец // Автометрия. – 2000. - №4. - С. 124 - 130.
13.Швец В.А. Применение метода эллипсометрии in situ для контроля гетероэпитаксии широкозонных полупроводников и характеризации их оптических свойств / В.А.Швец, М.В.Якушев, Ю.Г.Сидоров // Автометрия. – 2001. - №3. - С. 20 - 28.
14.Швец В.А. Высокочувствительный эллипсометрический метод контроля температуры / М.В.Якушев, В.А.Швец // Автометрия. - 2002. - №1. - С. 95 - 106.
15.Швец В.А. Влияние поверхностного слоя на определение диэлектрических функций пленок ZnTe методом эллипсометрии / М.В.Якушев, В.А.Швец // Оптика и спектроскопия. – 2002. -Т.92,№5. - С.847-850.
16.Shvets V.A. Ellipsometric measurements of the optical constants of solids under impulse heating / V.A.Shvets, N.N.Mikhailov, E.V.Spesivtsev, M.V.Yakushev // Proc. SPIE. – 2002. - Vol.4900. - Р.46-52.
17.Придачин Д.Н. Получение эпитаксиальных слоев кадмий-цинк-теллур на подложках арсенида галлия (310) / Д.Н. Придачин, А.К. Гутаковский, Ю.Г. Сидоров, И.В. Сабинина, А.В. Колесников, Т.С. Шамирзаев, М.В.Якушев // Изв. Вузов. Приборостроение. – 2004. - Т.47.№9. -С.30-34.
18.Якушев М.В. Изучение эпитаксиальных слоев ZnTe на подложках GaAs(310) методами эллипсометрии и методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / М.В.Якушев, В.А.Швец, В.Г.Кеслер, Ю.Г.Сидоров // Автометрия. – 2001. - №3. - С. 30 - 38.
19.Сидоров Ю.Г. Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов кадмий-ртуть-теллур на «альтернативных» подложках / Ю.Г.Сидоров, С.А.Дворецкий, В.С.Варавин, Н.Н.Михайлов, М.В.Якушев, И.В.Сабинина // ФТП. – 2001. - Т.35,№9. - С.1092-1101.
20.Сидоров Ю.Г. Молекулярно-лучевая эпитаксия узкозонных соединений CdxHg1-xTe. Оборудование и технология / Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, А.П. Анциферов, М.В.Якушев // Оптический журнал. – 2000. - Т.67,№1. - С. 39 -45.
21.Sidorov Yu.G. The heteroepitaxy of II-VI compounds on the non-isovalent substrates (ZnTe/Si) / Yu.G.Sidorov, M.V.Yakushev, D.N.Pridachin, V.S.Varavin, L.D.Burdina // Thin Solid Films. – 2000. -Vol.367,iss.1-2. - Р. 203-209.
22.Придачин Д.Н. Исследование начальных стадий зарождения при эпитаксиальном росте теллурида цинка на поверхности кремния различной ориентации / Д.Н.Придачин, Ю.Г.Сидоров, М.В.Якушев // Поверхность. – 2002. - №2. - С. 25-29.
23.Дворецкий С.А. Состояние и перспективы молекулярно-лучевой эпитаксии CdxHg1-xTe / В.С.Варавин, А.К.Гутаковски, С.А.Дворецкий, В.А.Карташев, Н.Н.Михайлов, Д.Н.Придачин, В.Г.Ремесник, С.В.Рыхлицкий, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров, В.П.Титов, В.А.Щвец, М.В.Якушев, А.Л.Асеев // Прикладная физика. - 2002. - №6. - С.25-41.
24.Mikchailov N.N. Vasiliev V.V. Dvoretsky S.A. Ovsyuk V.N. Varavin V.S. Suslyakov A.O. Sidorov Yu.G, M. Yakushev, Aseev A.L. CdHgTe epilayers on GaAs: growth and devices. Optoelectronics review, 2003, v.11, №2, p. 99-111
25.Дворецкий С.А. Статус молекулярно-лучевой эпитаксии кадмий-ртуть-теллур в тепловизионной технике / В.М.Белоконев, А.Д.Крайлюк, Е.В.Дегтярев, В.С.Варавин, В.В.Васильев, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, Д.Н.Придачин, Ю.Г.Сидоров, М.В.Якушев, А.Л.Асеев // Изв. Вузов, Приборостроение. – 2004. - Т.47,№9. - С. 7-19.
26.Якушев М.В. Кинетика начальных стадий роста пленок ZnTe на Si(013) / Д.Н.Придачин, Ю.Г.Сидоров, М.В.Якушев, В.А.Швец // Автометрия. - 2005. - №1. - С.104-114.
27.Yakushev M. V-defects at MBE MCT heteroepitaxy on GaAs(310) and Si(310) substrates / M.Yakushev, A.Babenko, D.Ikusov, V.Kartashov, N.Mikhailov, I.Sabinina, Yu.Sidorov, V.Vasiliev // Proc. SPIE. – 2005. - Vol.5957. – Р.59570G.
28.Якушев М.В. Структурные и электрофизические свойства гетероэпитаксиальных пленок CdHgTe, выращенных методом МЛЭ на подложках Si(310) / М.В.Якушев, А.А.Бабенко, В.С.Варавин, В.В.Васильев, Л.В.Миронова, Д.Н.Придачин, В.Г.Ремесник, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров, А.О.Сусляков // Прикладная физика. – 2007. - №4. - С. 108-115.
29.Якушев М.В. Микроморфология поверхности слоев CdTe(310), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / М.В.Якушев, Д.В.Брунев, Ю.Г.Сидоров // Поверхность. – 2010. -№1. - С.89-96.
30.Якушев М.В. Влияние ориентации подложки на условия выращивания пленок HgTe методом молекулярно-лучевой эпитаксии / М.В.Якушев, А.А.Бабенко, Ю.Г.Сидоров // Неорганические материалы. - 2009. - Т.45,№1. - С. 15-20.
31.Варавин В.С. Исследование зависимости электрофизических параметров пленок CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, от уровня легирования индием В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, Д.Г.Икусов, Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Сидоров, Г.Ю.Сидоров, М.В.Якушев // ФТП. - 2008. - Т.42, №6. - С. 664-667.
32.Якушев М.В. Морфология поверхности подложки Si(310), используемой для молекулярно лучевой эпитаксии CdHgTe: I. Чистая поверхность Si(310) / М.В.Якушев, Д.В.Брунев, К.Н.Романюк, А.Е.Долбак, А.С.Дерябин, Л.В.Миронова, Ю.Г.Сидоров // Поверхность. - 2008. -№2. - С. 41-47.
33.Якушев М.В. Морфология поверхности подложки Si(310), используемой для молекулярно лучевой эпитаксии CdHgTe: II. Поверхность Si(310), отожженная в парах As4 / М.В.Якушев, Д.В.Брунев, К.Н.Романюк, Ю.Г.Сидоров // Поверхность. - 2008. - №6. - С. 25-32
34.Сабинина И.В. Наблюдение антифазных доменов в пленках МЛЭ CdxHg1-xTe на кремнии методом фазового контраста в атомно-силовой микроскопии / Ю.Г.Сидоров, А.К.Гутаковский, В.С.Варавин, А.В.Латышев, И.В.Сабинина, М.В.Якушев // Письма в ЖЭТФ. - 2005. - Т.82,№5. - С. 326 – 330.
35.Якушев М.В. Взаимодействие паров кадмия с поверхностью слоёв CdxHg1-xTe при их выращивании на подложках GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии / М.В.Якушев, А.А.Бабенко, Д.В.Брунев, Ю.Г.Сидоров, В.А.Швец // Неорганические материалы. - 2008. -Т.44,№4. - С.431-435.
36.Якушев М.В. Гетероструктуры CdHgTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников / М.В.Якушев, Д.В.Брунев, В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, А.В.Предеин, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров, А.В.Сорочкин, А.О.Сусляков // Автометрия. - 2009. - Т.45,№.4. -С.23-31.
37.Якушев М.В. Контроль состава гетероэпитаксиальных слоев Cd1-zZnzTe методом спектральной эллипсометрии / М.В.Якушев, В.А.Швец, И.А.Азаров, С.В.Рыхлицкий, Ю.Г.Сидоров, Е.В.Спесивцев, Т.С.Шамирзаев // ФТП. - 2010. - Т.44.№1. - С.62-68.
38.Мынбаев К.Д. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев CdHgTe, выращенных на подложках Si / К.Д.Мынбаев, Н.Л.Баженов, В.И.Иванов-Омский, В.А.Смирнов, М.В.Якушев, А.В.Сорочкин, В.С.Варавин, Н.Н.Михайлов, Г.Ю.Сидоров, С.А.Дворецкий, Ю.Г.Сидоров // Письма ЖТФ. - 2010. - Т.36,№11. - С. 39–46.
39.Якушев М.В. Гетероструктуры CdHgTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников средневолнового спектрального диапазона / М.В.Якушев, Д.В.Брунев, В.С.Варавин, В.В.Васильев, С.А.Дворецкий, И.В.Марчишин, А.В.Предеин, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров, А.В.Сорочкин // ФТП. - 2011. - Т.45,№3. - С. 396-402.
40.Якушев М.В. Субматричный фотоприемный модуль на основе гетероструктуры CdHgTe/Si(310) / М.В.Якушев, В.С.Варавин, В.В.Васильев, С.А.Дворецкий, А.В.Предеин, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров, А.В.Сорочкин, А.О.Сусляков // Письма в ЖТФ. - 2011. - Т.37,№4. -С. 1–7.
41.Якушев М.В. Дефекты кристаллической структуры в слоях CdxHg1-xTe выращенных на подложках из Si(310) / М.В.Якушев, А.К.Гутаковский, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров // ФТП. – 2011. - Т.45,№7. - С.956-964.