- Предложены теоретические оценки погрешности МТИ численного решения краевых задач для уравнения Лапласа для двумерных и трехмерных областей со сложной конфигурацией, позволяющие прогнозировать точность разрабатываемых компьютерных моделей.
- Предложен вариант реализации МТИ, основанный на использовании точечных зарядов двойного слоя, диполей, или на совместном использовании диполей и зарядов простого слоя, что позволяет получать более устойчивые и более точные численные решения краевых задач в областях с подвижными границами.
- Разработаны модели с использованием МТИ, различающиеся типами зарядов, моделирующих поле и способами их определения, которые могут использоваться при численном решении стационарных и нестационарных задач, при моделировании физических полей в неоднородных и нелинейных средах.
- Предложено и апробировано комбинированное использование МТИ и сеточного метода, что позволяет повысить эффективность компьютерных моделей физических полей.
- Разработаны компьютерные модели термомиграции дискретных и плоских зон с использованием МТИ, позволяющие исследовать кинетику процесса и его устойчивость при различных режимах и механизмах кристаллизации и растворения.
- Компьютерные модели потенциальных полей в технических устройствах различного назначения, построенные с помощью разработанного комплекса программ для ЭВМ при использовании МТИ.
1.Лозовский, В.Н. Применение бикристаллов для исследования кинетики межфазных процессов с помощью зонной перекристаллизации градиентом температуры / В. Н. Лозовский, С. Ю. Князев, В. А. Юрьев // Заводская лаборатория. - 1986. -Вып. 6. - С. 52-53.
2.Александров, Л.Н. Управление массопереносом легирующей примеси при зонной сублимационной перекристаллизации кремния / Л. Н. Александров, С.В. Лозовский, С. Ю. Князев//Письма в ЖТФ.-1987.- Т. 13.- Вып. 17.- С.1080-1084.
3.Александров, Л.Н. Silicon Zone Sublimation Regrowth = Зонная сублимационная перекристаллизация кремния / Л. Н. Александров, С.В. Лозовский, С. Ю. Князев // Phis. Stat. sol. - 1988. - V. 107. - P. 213.
4.Лозовский, С.В. Перенос легколетучей примеси при перекристаллизации кремния через тонкий вакуумный промежуток / С. В. Лозовский, С. Ю. Князев, В.И. Квасов // Изв. АН СССР. - 1988. - Т. 24. - № 2. - С. 316-318.
5.Князев, С.Ю. Влияние ориентации источника на кинетику процесса зонной перекристаллизации в поле температурного градиента / С. Ю. Князев, С.В. Лозовский//Изв. Вузов. Физика.- 1989.- Т. 32, № 3.-С. 113-115.
6.Князев, С.Ю. Колебательные процессы на межфазных границах при зонной перекристаллизации градиентом температуры в стационарном тепловом поле / С. Ю. Князев, С.В. Лозовский, А.В. Балюк, Л.М. Середин // Изв. вузов. Физика. -1995. - Т. 38, № 5. - С. 68-72.
7.Князев, С.Ю. Особенности кинетики боковой зонной перекристаллизации полупроводниковых кристаллов в поле температурного градиента / С. Ю. Князев, А. В. Балюк, Л. М. Середин // Изв. вузов. Физика. - 1996. - Т. 39, №1. - С. 67-71.
8.Получение сильнолегированных эпитаксиальных слоев кремния на основе процессов в микроразмерных кристаллизационных ячейках / В. Н. Лозовский, С.В. Лозовский, С.Ю. Князев С, Д.Ю. Плющев // Изв. вузов. Цветная металлургия. -1997. - № 1. - С. 68-72.
9.Лозовский, В.Н. Нестационарная жидкофазная эпитаксия кремния в поле температурного градиента / В. Н. Лозовский, С. Ю. Князев, А. С. Нефедов // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. - 1998. - № 2. - С. 58-63.
10.Лозовский, В.Н. Применение метода зонной перекристаллизации градиентом температуры для получения высоколегированных слоев кремния / В. Н. Лозовский, С. Ю. Князев, А. С. Нефедов // Изв. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. - 1998.-№ 1. - С. 111-114.
11.Анализ массопереноса при нанесении и снятии слоев в едином технологическом цикле / В. Н. Лозовский, С.Ю. Князев, С.В. Лозовский, Д.Ю. Плющев //Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. - 1999. - 4. - С. 73 -76.
12.Атомная кинетическая модель массопереноса при зонной сублимационной перекристаллизации / В. Н. Лозовский, С.Ю. Князев, С.В. Лозовский, Д.Ю. Плющев//Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Естеств. науки. - 2000. - № 1. - С. 60-63.
13.Князев, С.Ю. Компьютерное моделирование кинетики движения жидкой зоны при термомиграции / С. Ю. Князев, В. Н. Лозовский, А. В. Малибашев // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. - 2002. - Спецвып. - С. 49-52.
14.Князев, С.Ю. Применение метода конечных разностей для анализа кинетики миграции линейной зоны при зонной перекристаллизации градиентом температуры / С. Ю. Князев, А. В. Малибашев // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. - 2002. - Спецвып. - С. 67-69.
15.Численное моделирование теплового поля градиентного нагревателя для жидкофазной эпитаксии кремния / С. Ю. Князев, Л.М. Середин, А.В. Балюк, Б.М. Середин//Изв. вузов.Сев.-Кавк. регион. Техн. науки.- 2002.- Спецвып.- С. 80-83.
16.Лозовский В.Н. Влияние поверхностной диффузии на кинетику термомиграции дискретного жидкого включения / В. Н. Лозовский, С. Ю. Князев, А. В. Малибашев //Изв. вузов.Сев.-Кавк. регион. Техн. науки.-2004.- Спец. вып. - С. 65-66.
17.Князев, С.Ю. Компьютерное моделирование процессов, определяющих миграцию жидкого включения в поле температурного градиента / С. Ю. Князев, А. В. Малибашев // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. - 2005. - Спец. вып.: Математическое моделирование и компьютерные технологии. - С. 67-70.
18.Князев, С.Ю. Моделирование термомиграции с помощью метода граничных элементов и точечных источников поля / С. Ю. Князев // Изв. вузов. Электромеханика. - 2006. - № 8. - С. 67-71.
19.Князев, С.Ю. Одномерная модель конвекции при термомиграции / С. Ю. Князев, В. С. Лозовский // Известия вузов. Физика. - 2006. - № 8. - С. 71-74.
20.Князев, С.Ю. Решение задач тепло- и массопереноса с помощью метода тотечных источников поля / С. Ю. Князев, Е. Е. Щербакова // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. - 2006. - № 4. - С. 43-47.
21.Бахвалов, Ю.А. Компьютерное моделирование физических полей методом точечных источников / Ю. А. Бахвалов, С. Ю. Князев // Вестн. ВГУ / Воронеж. гос. ун-т. - 2007. - Т. 3, № 8. - С. 36-38.
22.Бахвалов, Ю.А. Расчет двумерных потенциальных полей методом интегрированных фундаментальных решений / Ю. А. Бахвалов, С. Ю. Князев, А. А. Щербаков // Вестн. ВГУ / Воронеж. гос. ун-т. - 2007. - Т. 3, № 8. - С. 39-41.
23.Князев С.Ю. Решение граничных задач математической физики методом точечных источников поля / С. Ю. Князев, Е. Е. Щербакова // Изв. вузов. Электромеханика. - 2007. - № 3. - С. 11-15.
24.Князев, С.Ю. Численное исследование стабильности термомиграции плоских зон / С. Ю. Князев, Е. Е. Щербакова // Изв. вузов. Электромеханика. - 2007. - № 1. - С. 14-19.
25.Князев, С.Ю. Численное решение уравнений Пуассона и Гельмгольца с помощью метода точечных источников / С. Ю. Князев // Изв. вузов. Электромеханика. - 2007. - № 2. - С. 77-78.
26.Бахвалов, Ю.А. Математическое моделирование физических полей методом точечных источников / Ю. А. Бахвалов, С. Ю. Князев, А. А. Щербаков // Изв. РАН. Сер. физическая. - 2008. - Т. 72, № 9. - С. 1259-1261.
27.Князев, С.Ю. О погрешности метода точечных источников поля / С. Ю. Князев // Изв. вузов. Электромеханика. - 2008. - № 3. - С. 69-70.
28.Расчет двумерных электрических полей в изоляции пазовых частей обмоток тяговых электродвигателей методом эквивалентных зарядов / А. В. Киреев, Н.И. Березинец, А.Ю. Бахвалов, С.Ю. Князев, А.А. Щербаков // Изв. вузов. Электромеханика. - 2008. - № 5. - С. 3 -7.
29.Применение зарядов двойного слоя в методе точечных источников поля/ А. Ю. Бахвалов, С.Ю. Князев, В.С. Лозовский, А.А. Щербаков // Системы управления и информационные технологии. -2009.- № 3.1 (37).- С. 108-112.
30.Расчет электрических полей в изоляции тяговых электродвигателей методом эквивалентных зарядов / А. В. Киреев, А.Ю. Бахвалов, С.Ю. Князев, А.А. Щербаков // Электротехника. - 2009. - № 3. - С. 35-39.
31.Князев, С.Ю. Устойчивость и сходимость метода точечных источников поля при численном решении краевых задач для уравнения Лапласа / С. Ю. Князев // Изв. вузов. Электромеханика. - 2010. - № 1. - С. 3-12.
32.Бахвалов, Ю.А. Исследование устойчивости термомиграции с помощью трехмерной модели, построенной на основе метода точечных источников поля / Ю.А. Бахвалов, С.Ю. Князев, В.С. Лозовский // Системы управления и информационные технологии – 2010.- № 1.2 (39) –С. 289-291.
Авторские свидетельства, патент
33.А.с. 1398482 СССР. Способ получения кремниевых структур с диэлектрической изоляцией / Лозовский В.Н., Князев С.Ю., Крыжановский В.П., Юрьев В.А., Овчаренко А.Н., Кукоз В.Ф., Хулла В.Д. - № 4071683; заявл. 26.05.86; зарег. 22.01.88.
34.А.с. 1135226 СССР. Способ обработки подложек . Лозовский В.Н., Зур-наджян В.С., Буддо В.И., Зурнаджян Л.Ш., Глушков Е.А., Князев С.Ю. №1135226; заявл. 04.04.83; зарег. 15.09.84.
35.А.с. 1526299 СССР, МКИ С 30 В 19/02, 29/06. Способ получения каналов сложной конфигурации в полупроводниковых пластинах / Лозовский С.В., Князев С.Ю., Кукоз В.Ф., Маноцкая И.И. - № 4357159; заявл. 09.11.87; зарег. 01.08.89.
36.А.с. 1725692 СССР, МКИ Н 01 L 21/205. Способ получения эпитакси-альных слоев кремния, легированного галлием / Лозовский С.В., Князев С.Ю., Ку-коз В.Ф., Хулла В.Д., Дементьев Ю.С., Кравцов А.А. - № 4759240; заявл. 17.11.89; зарег. 08.12.91.
37.А.с.1358486 СССР. Способ зонной перекристаллизации кремния / Лозовский В.Н., Зурнаджян В.С., Гуров Б.М., Князев С.Ю. и др. - № 3972054; заявл. 04.11.85; зарег. 08.08.87.
38.Пат. 2038646 РФ, МПК Р 01 L 21/208. Способ молекулярно-лучевой эпи-таксии / Шенгуров В.Г., Лозовский С.В., Князев С.Ю.,Шабанов В.Н. - № 5017568; заявл. 18.07.91; опубл. 27.06.95, Бюл. 18.
Прочие работы по теме диссертации
39.Князев, С.Ю. Компьютерное моделирование термомиграции : монография /С.Ю. Князев, В.Н. Лозовский, А.В. Малибашев; Сев.-Кавк. науч. центр высш. шк.;Юж.-Рос.гос.техн. ун-т(НПИ).-Новочеркасск: Набла,2005.-183 с.
40.Моделирование диффузионной модификации наносенсора / С.Ю. Князев, С.В. Лозовский - Свидетельство о гос. регистр. программы для ЭВМ № 2010614316 .- 2010612463 ; заявл. 06.05.2010 ; зарег. в Реестре программ для ЭВМ 05.07.2010.
41.Моделирование термомиграции линейных зон в изотропном кристалле / С.Ю. Князев. - Свидетельство о гос. регистр. программы для ЭВМ № 2010614285.-2010612461 ; заявл. 06.05.2010 ; зарег. в Реестре программ для ЭВМ 01.07.2010.
42.Моделирование процесса термомиграции плоской зоны в кристалле / С.Ю. Князев, В.С. Лозовский, А.А. Слепцов. - Свидетельство о гос. регистр. программы для ЭВМ № 2010614286. 2010612462 ; заявл. 06.05.2010 ; зарег. в Реестре программ для ЭВМ 01.07.2010.
43.Расчет потенциального поля с помощью метода точечных и интегрированных источников поля / С.Ю. Князев, А.А. Щербаков. - Свидетельство о гос. регистр. программы для ЭВМ № 2010614284.- 2010612460 ; заявл. 06.05.2010 ; зарег. в Реестре программ для ЭВМ 01.07.2010.
44.Лозовский, С.В. Рост и легирование эпитаксиальных слоев легколетучими примесями при перекристаллизации кремния через тонкий вакуумный промежуток / С. В. Лозовский, С. Ю. Князев, В. Н. Квасов // VII конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок, г. Новосибирск, 9-13 июня 1986 г. : тез. докл. - Новосибирск, 1986. - Т. 1. - С. 141.
45.Лозовский, С.В. Массоперенос примесей при зонной сублимационной перекристаллизации кремния /С.В. Лозовский, С. Ю. Князев // II Всесоюз. науч. конф. по моделированию роста кристаллов, г. Рига, 3-5 нояб. 1987 г. : тез. докл. - Рига, 1987. - Т. 1. - С. 225.
46.Лозовский, С.В. Управление планарным распределением легирующей примеси в эпитаксиальных слоях, полученных перекристаллизацией кремния через тонкий вакуумный промежуток / С.В. Лозовский, С. Ю. Князев // XII Всесоюз. науч. конф. по микроэлектронике, г. Тбилиси, 26-28 окт. 1987 г. : тез. докл. - Тбилиси, 1987. - Ч. VI.- С.83..
47.Анизотропия скорости кристаллизации и растворения кремния при ЭПГТ / С. Ю. Князев, С.В. Лозовский, В. Крыжановский, В.А. Юрьев // Физика кристаллизации : межвуз. сб. - Калинин : КГУ, 1988. - С. 12-18.
48.Зонная сублимационная перекристаллизация как метод осаждения совершенных эпитаксиальных слоев кремния в неглубоком вакууме / С.В. Лозовский, С. Ю. Князев, А.С. Авилов, Э.К. Ковьев // VII Всесоюз. конф. по росту кристаллов, г. Москва, 14-19 нояб. 1988 г. - М., 1988. - Т. 1. - С. 90-91.
49.Выращивание и свойства эпитаксиальных слоев кремния, легированного галлием и индием в широком диапазоне концентраций / В.Н. Лозовский, С. Ю. Князев, А.Л. Кравцов, Н.И. Лобода//VIII Всесоюзная конференция по росту кристаллов: расшир. тез. докл.,г. Харьков, 2-8 февр.1992 г.-Харьков, 1992.-Т. II, ч. II.- С. 284-285.
50.Механизм переноса примесей и легирование эпитаксиальных слоев при зонной сублимационной перекристаллизации кремния / С.В. Лозовский, С. Ю. Князев, В.Д. Хулла, Н.И. Лобода // Физика кристаллизации : сб. науч. тр. / Твер. гос. унт. - Тверь, 1992. - С. 39-44.
51.Лозовский, В.Н. Эпитаксия примесного кремния на основе процессов перекристаллизации градиентом температуры с использованием жидких и вакуумных зон / В.Н. Лозовский, С. Ю. Князев, С. В. Лозовский // Конференция по электронным материалам : тез. докл. г. Новосибирск, 9-15 авг. 1992 г. - Новосибирск, 1992. - С. 101-102.
52.Князев, С.Ю. Особенности кинетики зонной перекристаллизации с переменным градиентом температуры / С. Ю. Князев, А. В. Балюк, Л. М. Середин // Кристаллизация и свойства кристаллов : межвуз. сб. науч. тр. / Новочерк. гос. техн. ун-т (НПИ). - Новочеркасск : НГТУ, 1993. - С. 79-83.
53.Лозовский, С.В. О массопереносе в плоскости вакуумного капилляра при зонной сублимационной перекристаллизации / С. В. Лозовский, С. Ю. Князев, Д. Ю. Плющев // Вакуумная наука и техника : тез. докл. науч.-техн. конф. с участием зарубежных специалистов, Гурзуф, окт. 1995г. - Гурзуф, 1995. - С. 47.
54.Князев, С.Ю. О применении атомарно-кинетической и диффузионной моделей для исследования массопереноса при зонной сублимационной перекристаллизации / С. Ю. Князев, С. В. Лозовский, Д. Ю. Плющев // Кристаллизация и свойства кристаллов: межвуз. сб. науч. тр. - Новочеркасск : НГТУ; Изд-во "Набла", 1996. - С. 90-93.
55.Князев, С.Ю. Условие стационарности при зонной перекристаллизации градиентом температуры / С. Ю. Князев, А. С. Нефедов, А. В. Юрьев // Кристаллизация и свойства кристаллов: межвуз. сб. науч. тр. - Новочеркасск : НГТУ; Изд-во "Набла", 1996. - С. 11-14.
56.Князев, С.Ю. Численное моделирование кинетики миграции жидкой зоны методом зонной перекристаллизации градиентом температуры в переменном тепловом поле / С. Ю. Князев, В. С. Зурнаджян, А. С. Нефедов // Кристаллизация и свойства кристаллов : межвуз. сб. науч. тр. - Новочеркасск : НГТУ; Изд-во "Набла", 1996. - С. 94-99.
57.Князев, С.Ю. Численное моделирование массопереноса при зонной сублимационной перекристаллизации / С. Ю. Князев, С. В. Лозовский, Д. Ю. Плющев // Кристаллизация и свойства кристаллов : межвуз. сб. науч. тр. / Новочерк. гос. техн. ун-т (НПИ). - Новочеркасск : НГТУ; Изд-во "Набла", 1996. - С. 7-10.
58.Зонная сублимационная перекристализация как средство определения параметров твердотельных материалов и исследования поверхностных явлений / С.В. Лозовский, С.Ю. Князев, Д.Ю. Плющев, В. Д. Хулла// Методы и стредства измерений физических величин : тез. докл. 2-й всерос. науч.-техн. конф., г. Н. Новгород, 18-19 июня 1997 г. - Н. Новгород, 1997. - С. 29.
59.Моделирование массопереноса при зонной сублимационной перекристаллизации из составного источника / В.Н. Лозовский, С. Ю. Князев, С.В. Лозовский, Д.Ю. Плющев // Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур : тез. докл. 2-го Рос. симпозиума, г. Обнинск 22-24 сент. 1997 г. - Обнинск, 1997. - С. 56.
60.Microtechnologi of Layer-on-Layer and Growing Layers = Микротехнология послойного нанесения и снятия слоев / Л. С. Лунин, В.Н. Лозовский, С.Ю. Князев, С.В. Лозовский, Д.Ю. Плющев // 44-th Scientifik Colloquium Technical Uni-versiti of Ilmenau, sept. 20-22. - Ilmenau (Germany), 1999. - V. 2. - P. 371-375.
61.Князев, С.Ю. Влияние осциляций температуры на закономерности роста слоев кремния из жидкой фазы методом термомиграции / С. Ю. Князев, В. Н. Лозовский, А. С. Нефедов // НКРК 2000 : IX нац. конф. по росту кристаллов, г. Москва, 16-20 окт. 2000 г. : тез. докл. - М. : ИК РАН, 2000. - С. 220.
62.Кинетика зонной перекристаллизации градиентом температуры кремния плоскими и линейными зонами при прямом нагреве полупроводниковой композиции электрическим током / В. Н. Лозовский, С.Ю. Князев, А.С. Нефедов, Е.Г. Страданченко // Кремний-2000 : тез. докл. II Рос. конф. по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния, г. Москва, 9-11 февр. 2000 г. - М. : МИСиС, 2000. - С. 150.
63.Лозовский, В.Н. Кинетика миграции линейных зон в кристалле кремния при ЗПГТ / В. Н. Лозовский, С. Ю. Князев, А. В. Малибашев // Кремний-2002 : тез. докл. Совещания по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния, г. Новосибирск, 9-12 июля 2002 г. - Новосибирск, 2002. - С. 32.
64.Князев, С.Ю. Построение математической модели термомиграции жидкого включения / С. Ю. Князев, А. В. Малибашев // Математические методы в технике и технологиях : ММТТ-15 : сб. тр. ХV Междунар. науч. конф. / Тамбовский гос. техн. ун-т. - Тамбов : Изд-во ТГТУ, 2002. - С. 134-137.
65.Князев, С.Ю. Исследование стабильности движения плоских зон с помощью компьютерной модели термомиграции / С. Ю. Князев, В. С. Лозовский // XII национальная конференция по росту кристаллов (НКРК-2006) : тез. докл., Москва. 23-27 окт. 2006 г. / Ин-т кристаллографии РАН. - Москва : ИК РАН, 2006. - С. 132.
66.Князев, С.Ю. Исследование эволюции формы дискретных зон с помощью компьютерной модели термомиграции / С. Ю. Князев, А. В. Малибашев // XII национальная конференция по росту кристаллов (НКРК-2006) : тез. докл., Москва. 23-27 окт. 2006 г./Ин-т кристаллографии РАН. - М. : ИК РАН, 2006. - С. 499.
67.Князев, С.Ю. Получение сверхтонких эпитаксиальных слоев при термомиграции капель раствора-расплава по поверхности кристалла / С. Ю. Князев, Е. Е. Щербакова // Нанотехнологии - производству-2006: тез. докл. конф.,г. Фрязино, 29-30 нояб.2006 г./ЗАО "Концерн Наноиндустрия". - М.: "Янус-К", 2006.-С. 132.
68.Бахвалов, Ю.А. Компьютерное моделирование физических полей методом точечных источников / Ю. А. Бахвалов, С. Ю. Князев // Компьютерное моделирование электромагнитных процессов в физических, химических и технических системах : материалы V Междунар. семинара, Воронеж, 26-27 мая 2007 г. / ГОУ ВПО "Воронеж. гос. техн. ун-т". - Воронеж, 2007. - С. 169-174.
69.Бахвалов, Ю.А. Расчет двумерных потенциальных полей методом интегрированных фундаментальных решений / Ю. А. Бахвалов, С. Ю. Князев, А. А. Щербаков // Компьютерное моделирование электромагнитных процессов в физических, химических и технических системах : материалы V Междунар. семинара, г. Воронеж, 26 -27 мая 2007 г. / ГОУ ВПО "Воронеж. гос. техн. ун-т". - Воронеж, 2007. - С. 175-180 (0.38 п.л., из них лично автора – 0.2).
70.Бахвалов, Ю.А. Моделирование плоскомеридианных потенциальных полей методом интегрированных фундаментальных решений / Ю. А. Бахвалов, С. Ю. Князев // Исследования по дифференциальным уравнениям и математическому моделированию : [сб. докл. VI Междунар. конф. "Порядковый анализ и смежные вопросы мат. моделирования", Владикавказ, 29 июня - 4 июля 2008 г. / Юж. мат. ин-т ВНЦ РАН]. - Владикавказ : ВНЦ РАН, 2008. - С. 48-52.
71.Князев, С.Ю. Моделирование потенциальных полей методом интегрированных источников поля / С. Ю. Князев // Математические методы в технике и технологиях : ММТТ-21 : сб. тр. XXI Междунар. науч. конф., 27-30 мая 2008 г. : в 10 т./Саратов. гос. техн. у-т.-Саратов : СГТУ, 2008. - Т. 1, секц. 1. - С. 184-186.
72.Князев, С.Ю. Применение метода мгновенных точечных источников поля при численном решении граничных задач для уравнения теплопроводности / С. Ю. Князев, А. А. Щербаков // Физико-математическое моделирование систем : материалы V Междунар. семинара (г. Воронеж, 28-29 ноября 2008 г.) / Воронеж. гос. техн. ун-т. - Воронеж, 2008. - Ч. 2. - С. 47-54..
73.Князев, С.Ю. Трехмерная компьютерная модель термомиграции, построенная на основе метода интегрированных источников поля / С. Ю. Князев, В. С. Лозовский, Г. А. Демиденко//XIII национальная конференция по росту кристаллов (НКРК-2008): тез.докл., Москва, 17-21 нояб. 2008 г./Ин-т общей физики РАН; Национальный комитет российских кристаллографов.-М.:ИК РАН,2008.-С. 116.
74.Князев, С.Ю. Численное решение уравнений параболического типа с помощью метода интегрированных источников поля / С. Ю. Князев // Исследования по дифференциальным уравнениям и математическому моделированию : [сб. докл. VI Междунар. конф. "Порядковый анализ и смежные вопросы мат. моделирования", Владикавказ, 29 июня - 4 июля 2008 г. / Юж. мат. ин-т ВНЦ РАН]. - Владикавказ : ВНЦ РАН, 2008. - С. 119-123 (0.25 п.л.).
75.Князев, С.Ю. Исследование эволюции межфазных границ при термомиграции плоских зон с помощью численной модели на основе метода интегрированных источников поля / С. Ю. Князев, В. С. Лозовский, А. В. Цапколенко // Исследования по дифференциальным уравнениям и математическому моделированию : [сб. докл. VII Междунар. конф. "Порядковый анализ и смежные вопросы математического моделирования", Волгодонск, 24-29 авг. 2009 г.] / Юж. мат. ин-т ВНЦ РАН и РСО-А ; Юж. федер. ун-т ; Юж.-Рос. гос. ун-т экономики и сервиса. - Владикавказ: ВНЦ РАН и РСО-А, 2009. - С. 69-76.
76.Бахвалов, Ю.А. Исследование устойчивости термомиграции с помощью компьютерной модели, построенной на основе метода точечных источников поля / Ю. А. Бахвалов, С. Ю. Князев, В. С. Лозовский // Физико-математическое моделирование систем : материалы VI Междунар. семинара, г. Воронеж, 27-28 нояб. 2009 г./Воронежск. гос. техн. ун-т. - Воронеж : ВГТУ, 2010. - Ч. 3. - С. 12-17.