- Технология получения полупроводниковых слоев кремния на сапфировой подложке с заданными электрофизическими параметрами воздействием ионов на диэлектрическую подложку.
- Воздействие облучения высокоэнергетичными электронами полупроводниковых структур изготовленных по различным конструктивно-технологическим вариантам изоляции элементов, позволяющее оптимизировать технологию изготовления и структуру элементов ИС и уменьшить влияние излучения на параметры полупроводниковых структур.
- Технологические режимы получения пленок кремния на сапфире с улучшенной структурой.
- Влияние температуры подложки и дозы внедряемого кислорода, при имплантации ионов, на параметры слоя кремния в КНИ-структуре.
- Технология формирования скрытого изолирующего слоя в КНИ-структурах имплантацией ионов кислорода.
- Технология получения приборного слоя кремния на изолирующих подложках для формирования полупроводниковых приборов на КНИ-структурах с высокими электрофизическими параметрами.
- Новые технологические способы формирования пленок кремния и изготовления полупроводниковых структур на изолирующих подложках обладающих улучшенными параметрами.
1.Мустафаев А.Г., Кумахов А.М., Мустафаев А.Г. Основные процессы происходящие при воздействии ионизирующего излучения на полупроводниковые структуры, и способы повышения их радиационной стойкости. //Вестник ДНЦ РАН, Махачкала, 2002, №13, С.22-28.
2.Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А. Плёнки кремния на сапфире //Вестник ДНЦ РАН, Махачкала, 2006, №25, С.14- 16.
3.Мустафаев А.Г. Конструктивные и технологические способы улучшения параметров КНИ МОП-транзисторов //Нано и микросистемная техника, №6, 2007, С.37- 42.
4.Мустафаев А.Г. Технология формирования кремниевых пластин со скрытым слоем //Нано и микросистемная техника, №10, 2007, С.11- 14.
5.Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А. Исследование дефектов в структурах кремния на изоляторе методом аннигиляции позитронов //Нано и микросистемная техника, №11, 2007, С.17- 19.
6.Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А. Радиационная стойкость КНИ МОП транзисторов к накопленной дозе ионизирующего излучения //Нано и микросистемная техника, №12, 2007, С.47- 49.
7.Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г. Проблемы масштабирования затворного диэлектрика для МОП-технологии //Нано и микросистемная техника, №4, 2008, С.17- 22.
8.Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г. Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы изготовленные по КНС технологии //Нано и микросистемная техника, №9, 2008, С.44-46.
9.Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г.Разработка процесса формирования глубокой изоляции структур кремний на изоляторе //Нано и микросистемная техника, №1, 2009, С.30-32.
10.Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А. Влияние конструкции на характеристики субмикронных КНИ МОП-транзисторов //Нано и микросистемная техника, №7, 2010, С.8-13.
11.Мустафаев А.Г., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г. Способ повышения коэффициента усиления полупроводниковых приборов. Пат. РФ №2168236, Бюл. ФИПС №15, 2001 г.
12.Мустафаев А.Г., Тешев Р.Ш., Способ полирования полупроводников. Пат. РФ №2170991, Бюл. ФИПС №20, 2001 г.
13.Мустафаев А.Г., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г. Способ повышения быстродействия полупроводниковых приборов. Пат. РФ №2197766, Бюл. ФИПС №3, 2003 г.
14.Мустафаев А.Г., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г. Способ изготовления полупроводникового прибора с низкой плотностью дефектов. Пат. РФ №2210141, Бюл. ФИПС №22, 2003 г.
15.Мустафаев А.Г., Кумахов А.М., Мустафаев А.Г. Способ изготовления полупроводникового прибора. Пат. РФ №2256980, Бюл. ФИПС №20, 2005 г.
16.Мустафаев А.Г., Кумахов А.М., Мустафаев А.Г. Способ изготовления полупроводникового прибора. Пат. РФ №2275712, Бюл. ФИПС №12, 2006 г.
17.Мустафаев А.Г., Кумахов А.М., Мустафаев А.Г. Способ изготовления полупроводникового прибора. Патент РФ №2280915, Бюл. ФИПС №21, 2006 г.
18.Мустафаев А.Г., Кармоков А.М., Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А. Способ изготовления полупроводникового прибора. Пат. РФ №2284611, Бюл. ФИПС №27, 2006 г.
19.Мустафаев А.Г., Кумахов А.М., Мустафаев А.Г. Способ изготовления полупроводникового прибора. Пат. РФ №2280915, Бюл. ФИПС №21, 2006 г.
20.Мустафаев А.Г., Кармоков А.М., Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А. Способ изготовления полупроводниковой структуры. Пат. РФ №2292607, Бюл. ФИПС №3, 2007 г.
21.Мустафаев А.Г., Кармоков А.М., Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А. Способ изготовления полупроводниковой структуры. Пат. РФ №2298250, Бюл. ФИПС №12, 2007 г.
22.Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А. Способ изготовления полупроводникового прибора Пат. РФ №2302055, Бюл. ФИПС №18, 2007 г.
23.Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А Способ повышения радиационной стойкости полупроводниковых приборов Пат. РФ №2308785, Бюл. ФИПС №29, 2007 г.
24.Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. Способ изготовления полупроводникового прибора с низкой плотностью дефектов Пат. РФ №2330349, Бюл. ФИПС №21, 2008 г.
25.Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А Способ изготовления полупроводникового прибора Пат. РФ №2340038, Бюл. ФИПС №33, 2008 г.
26.Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. Способ изготовления пленок диоксида кремния. Пат. РФ №2344511, Бюл. ФИПС №2, 2009 г.
27.Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. Способ изготовления полупроводникового прибора. Пат. РФ №2356125, Бюл. ФИПС №14, 2009 г.
28.Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. Способ изготовления полупроводниковой структуры. Пат. РФ №2378740, Бюл. ФИПС №1, 2010 г.
29.Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. Способ изготовления полупроводникового прибора. Пат. РФ №2388108, Бюл. ФИПС №12, 2010 г.
Статьи и материалы конференций
30.Кумахов А.М., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. Радиационные дефекты и параметры полупроводниковых структур// В сб. матер. VIII- Международного совещания “Радиационная физика твердого тела”. –М., 1998, C. 663-665.
31.Кумахов А.М., Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г. Травление поликремния без ухода линейных размеров// В сб. матер. 6-й международной научно-технической конференции ”Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники” – Таганрог, 1999, C.8.
32.Кумахов А.М., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г., Тешев Р.Ш. Влияние импульсного ионизирующего излучения на биполярные транзисторы// В сб. матер. X-Международного совещания “Радиационная физика твердого тела”. - М., 2000, C. 496-498.
33.Кумахов А.М., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. Тешев Р.Ш. Технология изготовления биполярных ИС с самосовмещенными активными элементами из поликремния// В сб. матер. 7-й Международной научно-технической конференции “Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники”.- Таганрог, 2000, C. 55.
34.Мустафаев Г.А., Саркаров Т.Э., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г. Способы получения тонких диэлектрических плёнок для интегральных схем. //Зарубежная электронная техника, Москва, 2000, вып.4, C.62-91.
35.Мустафаев Г.А., Саркаров Т.Э., Мустафаев А.Г. Технология осаждения тонких диэлектрических слоев нитрида кремния//Вестник ДГТУ, Махачкала, 2001, C. 148-150
36.Mustafaev G.A., Teshev P.Sh., Mustafaev A.G. Influence of processing by magnetic field on semiconductor structures parameters // New materials and technologies in 21-st century-Beijing- China oct. 2001 –p. 415.
37.Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш., Саркаров Т.Э., Мустафаев А.Г. Перестройка системы химических связей при росте окисных пленок // В сб. матер. 2-й Российской школы ученых и молодых специалистов по материаловедению и технологиям получения легированных кристаллов кремния – М., 2001, C. 68-69.
38.Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г., Кумахов А.М. Воздействие ионизирующего излучения на цифровые КМОП ИС// В сб. матер. международного научно-технического семинара ”Шумовые деградационные процессы в полупроводниковых приборах” – М. 2001, C. 168-171.
39.Мустафаев А.Г., Саркаров Т.Э., Мустафаев Г.А. Влияние излучений на МДП-структуры //Зарубежная электронная техника. Москва, 2001, вып.4, C.82-102.
40.Мустафаев Г.А., Саркаров Т.Э., Мустафаев А.Г.Свойства тонких диэлектрических плёнок. //Зарубежная электронная техника, Москва, 2001, вып.3, C.74-104.
41.Мустафаев А.Г. Снижение дефектности окисных пленок// В сб. матер. международного симпозиума “Фазовые превращения в твердых растворах и сплавах”.- Сочи, 2002, C. 25-27.
42.Кумахов А.М., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. Тешев Р.Ш. Кинетика образования пленок SiO2// В сб. матер. XIV- Международного симпозиума “Тонкие пленки в оптике и электронике”.- Харьков, 2002, C. 88-90.
43.Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш., Саркаров Т.Э., Мустафаев А.Г. Распределение заряда в тонких диэлектрических плёнках при воздействии ионизирующих излучений //Труды СКГТУ, Владикавказ, 2002, C.129-137.
44.Кумахов А.М., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. Тешев Р.Ш. Воздействие электронного облучения на полупроводниковые гетерокомпозиции// В сб. матер. ХII- международного совещания “Радиационная физика твердого тела”. –М., 2002, C. 99-103.
45.Mustafaev G.A., Kumakhov A.M., Mustafaev A.G. Forming and exploration of light-emitting silicic nanocrystal properties// VII Russian-Chinese symposium «New materials and technologies. - Moscow-Agoy, Sept. 2003, p. 116.
46.Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г. Легированные диэлектрические плёнки диоксида кремния //Труды молодых учёных, Владикавказский научный центр РАН, Владикавказ, 2003, вып. 4, С.21-26.
47.Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г. Ионное легирование структур металл-оксид-полупроводник //Труды молодых учёных, Владикавказский научный центр РАН, Владикавказ, 2003, вып. 3, С.11-15.
48.Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г. Формирование радиационно-стойких КНИ - структур //Труды молодых учёных, Владикавказский научный центр РАН, Владикавказ, 2004, вып. 3, С.18-21.
49.Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г. Улучшение структур кремний- на- изоляторе ионной имплантацией //Труды молодых учёных, Владикавказский научный центр РАН, Владикавказ, 2005, вып. 3, С.36-40.
50.Мустафаев А.Г., Авакимянц А.Г., Мустафаев А.Г. Проводимость структур кремния на сапфире// В сб. матер. Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологии получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе - М. 2005, С. 190-191.
51.Мустафаев А.Г., Авакимянц А.Г., Мустафаев А.Г. Регулирование подвижности заряда ионным легированием// В сб. матер. 5-й Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологии получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе - М. 2005, С. 154.
52.Мустафаев Г.А., Кармоков А.М., Мустафаев А.Г. Особенности влияния технологии на дефектность и параметры КНИ-структур // В сб. матер. V-Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». Кисловодск, 2005, C. 235-237.
53.Мустафаев А.Г., Авакимянц А.Г., Мустафаев А.Г. Особенности МДП-транзисторов, изготовленных по КНИ-технологии //Труды Северо-Кавказского государственного технологического университета, Владикавказ, 2006, C.132-135.
54.Мустафаев А.Г. Формирование структуры кремния на изоляторе с низкой плотностью дефектов// В сб. матер. VI- Международной научной конференции ”Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии”. Кисловодск, 2006, C. 95.
55.Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г., Кармоков А.М., Мустафаев Г.А. КНИ-КМОП полевые транзисторы с поликремниевыми затворами// В сб. матер. VI- Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». Кисловодск, 2006, C. 328-329.
56.Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г., Кармоков А.М. Мустафаев Г.А. Создание структур кремний –на – изоляторе с пониженной дефектностью //Известия ВУЗов Северо-Кавказского региона. Технические науки, 2006, Приложение №7, С.41-42.
57.Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г., Кармоков А.М., Мустафаев Г.А. Распределение атомов кислорода в структурах кремний -на- изоляторе при имплантации и отжиге// В сб. матер. 10-й Международной научной конференции и школы- семинара “Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники”. Таганрог, 2006, C. 170-171.
58.Мустафаев А.Г. Исследование радиационной стойкости КНИ МОП транзисторов //В сб. матер. VII- Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», Кисловодск 2007, C. 81-82.
59.Мустафаев А.Г. Радиационные эффекты в КНИ МОП транзисторах // В сб. матер. VII- Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», Кисловодск 2007, C. 82-83.
60.Тешев Р.М., Мустафаев А.Г., Кармоков А.М., Мустафаев Г.А. Формирование КНИ- структур на основе пористого кремния // В сб. матер. VII- Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», Кисловодск 2007, C. 117-118.
61.Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г. Материалы затворного диэлектрика для КМОП-технологии. Электронный журнал "Исследовано в России", 175, С.2027-2037, 2007. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2007/175.pdf
62.Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г. Воздействие ионизирующих излучений на биполярные структуры. Электронный журнал "Исследовано в России", 016, С.203- 208, 2008. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2008/016.pdf
63.Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г. Разработка структур кремний на изоляторе на основе пористого кремния. Электронный журнал "Исследовано в России", 093, С.1027-1037, 2008. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2008/093.pdf
64.Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш. Радиационные эффекты и альтернативные затворные диэлектрики. Труды VIII Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», Кисловодск 2008, С.395-396.
65.Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А., Уянаева М.М. Затворные материалы для субмикронных транзисторов. Материалы международной научно-технической конференции «Микро- и нанотехнологии в электронике», 21- 27 сентября 2009 г. Нальчик: КБГУ, 2009, С. 209- 212.
66.Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А. Формирование SIMOX структур имплантацией сверхстехиометрических доз кислорода VI Международная конференция и V школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе ("Кремний-2009")", Новосибирск 2009, С. 156.
67.Мустафаев А.Г., Тешев Р.Ш., Мустафаев Г.А., А.М. Кармоков, Д.В. Панченко Электрические свойства наноразмерных пленок нитрида кремния Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах: Материалы международного научно-методического семинара (Москва 25- 27 ноября 2008 г.) М.: МНТОРЭС им. А.С. Попова, МЭИ, 2009. С. 175- 177.