Величко Александр Андреевич

Величко Александр Андреевич , д.т.н., профессор кафедры полупроводниковых приборов и микроэлектроники Новосибирского государственного технического университета.

Преподаваемые дисциплины:

Современные проблемы науки и производства в микроэлектронике,

Физика твердого тела и полупроводников.

Сведения о диссертации:

К.Ф.М.Н. 1981 Исследование кинетических явлений в примесной зоне p-арсенида галлия,

Д.Т.Н. 1999Разработка технологии отпоэлектронных ИС на гетероструктурах полупроводник - (Ga,Sr,Ba)F2 - полупроводник.

Направления научных исследований:

Нанотехнологии в электронике и оптоэлектронике.

Научные публикации

1. Влияние электронного пучка на морфологию поверхности плёнок свинец-олово-теллур в процессе МЛЭ / Л. А. Борыняк, А. А. Величко, В. А. Илюшин, Д.И. Остертак, Ю. Г. Пейсахович, Н. И. Филимонова // Микроэлектроника -2008 -т.37, №3.- с.169-180

2. Инжекционное излучательное устройство / А. А. Величко, В. А. Илюшин, Ю. Г. Пейсахович, А. А. Штыгашев // Тезисы Совещания «Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники (Нанофотоника-2008)»

3. Величко А. А. Влияние температурных режимов роста на морфологию поверхности пленок CaF2/Si / А. А. Величко // Научный вестник НГТУ. – 2007. – № 3 (28). – С. 197–202.

4. Величко А. А. Влияние температурных режимов роста на морфологию поверхности пле-нок CaF2/Si(100) полученных МЛЭ / А. А. Величко, В. А. Илюшин, Н. И. Филимонова // Научный вестник НГТУ. – 2007. – № 3 (28). – С. 197–202.

5. Величко А. А. Влияние электронного пучка дифрактометра быстрых электронов на морфологию поверхности гетероструктур CaF2/Si / А. А. Величко // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2007. – № 8. – С. 1–9.

6. Величко А. А. Система неразрушающих методов контроля полупроводниковых струк-тур / А. А. Величко // Высокие технологии, фундаментальные и прикладные исследования, образование : сб. тр. третьей междунар. науч.-практ. конф. «Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности». – СПб : Изд-во Политехн. ин-та, 2007. – Т. 8. – С. 66–70.

7. Величко А. А. Создание матричного интегрального фотоприемного устройства на ос-нове PbSnTe/BaF2/CaF2/Si / А. А. Величко // Высокие технологии, фундаментальные и прикладные исследования, образование : сб. тр. третьей междунар. науч.-практ. конф. «Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности». – СПб : Изд-во Политехн. ин-та, 2007. – Т. 8. – С. 57–60.

8. 7. Влияние электронного пучка дифрактометра быстрых электронов на мор-фологию поверхности гетероструктур CaF2/Si(100) / А. А. Величко, В. А. Илюшин, Д.И. Остертак, Ю. Г. Пейсахович, Н. И. Филимонова // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2007. – № 8. – С. 1–9.

9. Автоматизированный стенд для неразрушающего контроля параметров гетероэпитаксиальных структур / А. А. Величко, А. А. Корнилович, Е. И. Уваров, С. П. Хабаров // Кремний 2006

10. Автоматизированный стенд для неразрушающего контроля параметров гетероэпитаксиальных структур. / А. А. Величко, А. А. Корнилович, Е. И. Уваров, С. П. Хабаров // Материалы совещания «Кремний 2006», сборник тезисов, Красноярск, 04-06 июля 2006 г.

11. Величко А. А. Влияние амплитуды тестирующего сигнала на точность измерения резких профилей концентрации носителей заряда методом двух гармоник. / А. А. Величко, А. А. Корнилович, Е. И. Уваров // Материалы VIII международной конференции актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП-2006, в 7 томах, Том 2, Новосибирск, 26-28 сентября, 2006 г.

12. Величко А. А. Влияние амплитуды тестирующего сигнала на точность измерения резких профилей концентрации носителей заряда методом двух гармоник / А. А. Величко, А. А. Корнилович, Е. И. Уваров // Актуальные проблемы электронного приборостроения. АПЭП-2006

13. Влияние температурных режимов роста на морфологию поверхности многослойных структур PbSnTe/BaF2/CaF2/Si(100), полученных мето-дом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. А. Величко, В. А. Илюшин, Д. И. Остертак, Н. И. Филимонова // Научный вестник НГТУ. – 2006.

14. Влияние температурных режимов роста на морфологию поверхности многослойных структур PbSnTe/BaF2/CaF2/Si(100), полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. А. Величко, В. А. Илюшин, Д.И. Остертак, Н. И. Филимонова // Научный вестник НГТУ №4(25) Физика и математика с.131-138.

---