Васильев Владислав Юрьевич

Васильев Владислав Юрьевич, род. 8 октября 1953 года в г. Саратов, Российская Федерация.

В августе 1976 года после окончания отделения химии факультета Естественных наук Новосибирского Государственного университета поступил на работу в качестве инженера в ОКБ при Новосибирском заводе полупроводниковых приборов (ОКБ при НЗПП). Работал в качестве ведущего инженера, научного руководителя НИР и главного конструктора ОКР, начальника сектора, начальника отдела, главного инженера научно-производственного комплекса, советника генерального директора предприятия по технологическим вопросам. Основная область интересов: технология и оборудование изделий микроэлектроники и микроэлектромеханических систем, тонкопленочные покрытия, осаждение из газовой фазы, оборудование и методология получения тонких пленок, методы анализа тонкопленочных покрытий, применение тонких пленок и др.

В 1996-2000 годах работал в должности Principal Engineer в отделе Research and Development предприятия ”Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.”, Сингапур (в настоящее время входит в состав предприятия "Global Foundries").

В 2002-2005 годах работал ведущим научным сотрудником Института физики полупроводников Российской Академии наук (ИФП СО РАН).

С 2003 года по настоящее время ведет занятия в качестве профессора на кафедре Полупроводниковых приборов и микроэлектроники Новосибирского Государственного технического университета (НГТУ). Доцент ВАК (2020). Руководил ВКР магистрантов и аспирантами.

Является членом диссертационного совета 24.2.347.01 (НГТУ).

С 2006 года работает заместителем Генерального директора ООО «СибИС» (Новосибирск), первого в восточной части России дизайн-центра проектирования субмикронных интегральных микросхем и устройств на их основе. Руководил рядом научно-исследовательских работ, выполняемых по государственным контрактам с Министерством образования и науки РФ.

В 2006-2008 годах в рамках государственной программы Республики Корея “Brain Pool” был приглашен на должность приглашенного профессора в Корейский Политехнический университет, отделение Нано-оптической инженерии, для выполнения перспективного научно-технического проекта по разработке технологии осаждения сверхтонких слоев металлического рутения методами атомно-слоевого и импульсного осаждения из газовой фазы для субмикронных интегральных микросхем с проектно-технологическими нормами 60 - 40 нм.

В рамках области интересов является автором (соавтором) более 200 публикаций в отечественных и зарубежных научно-технических изданиях, в том числе в реферируемых журналах, 7 авторских свидетельств СССР и 8 патентов России, 7 патентов США и 1 патента Республики Китай (Тайвань). Является постоянным участником тематических отечественных и международных научных конференций, в том числе с приглашенными докладами.

Сведения о диссертациях:

в 1990 защитил кандидатскую диссертацию по специальности «физическая химия», «Синтез слоев нитрида и диоксида кремния осаждением из газовой фазы на основе хлорпроизводных моносилана», СОАН СССР, Новосибирск;

в 2002 защитил докторскую диссертацию по специальности «химия твердого тела», «Процессы химического осаждения из газовой фазы и свойства фосфор- и боросиликатных стеклообразных слоев», СО РАН, Новосибирск.

Почетный член (Emeritus Member) общества “The Electrochemical Society”.

Биография включена в ”Marquis Who’s Who in Science and Engineering” США.

Подробная информация д.х.н. о В.Ю. Васильеве приведена на сайтах научной библиотеки НГТУ (библиографический указатель 1976 – 2013 г.г.).

Научные публикации

Учебные публикации:

Васильев В.Ю. Учебное пособие: Технологии формирования изолирующих областей интегральных микросхем с использованием тонких диэлектрических пленок // Новосибирск, изд-во НГТУ, 2025, с. 1-106. ISBN 978-5-7782-5365-0.

Васильев В.Ю. Учебное пособие: Введение в технологию химического осаждения из газовой фазы тонких пленок для электроники: оборудование, методология, особенности роста // Санкт-Петербург, Изд-во "Лань", с.1–344. ISBN 978-5-507-48885-8.

Васильев В.Ю. Учебное пособие: Методы и возможности in-line контроля тонкопленочных материалов в производстве субмикронных интегральных микросхем // Новосибирск, изд-во НГТУ, 2023, с.1–128. ISBN 978-5-7782-4926-4.

Васильев В.Ю. Учебное пособие: Технологии многоуровневой металлизации интегральных микросхем // Новосибирск, изд-во НГТУ, 2022, с. 1–130. ISBN 978-5-7782-4726-0.

Васильев В.Ю. Учебное пособие: Свойства и применение диэлектрических тонких пленок в технологиях микроэлектроники // Новосибирск, изд-во НГТУ, 2021, с. 1–100. ISBN 978-5-7782-4389-07.

Васильев В.Ю. Учебное пособие: Технология тонких пленок для микро- и наноэлектроники // Новосибирск, изд-во НГТУ, 2019, с.1–107. ISBN 978-5-7782-3915-9.

Васильев В.Ю. Учебное пособие: Современное производство изделий микроэлектроники // Новосибирск, изд-во НГТУ, 2019, с. 1–88. ISBN 978-5-7782-3907-4.

Избранные научные публикации в обратном порядке, монографии и рецензируемые журналы

Vasilyev V.Yu. A Review -CVD/PECVD/HDP-CVD/ALD thin film growth conformality and gap-fill capability in high aspect ratio semiconductor device structures: historical aspects, issues, methodology, process evaluation, prospects (ref.103, Fig.37, Tab.4). Preprint, ResearchGate website, 2024, September 13.

Васильев В.Ю. Эволюция GAP-FILL методов создания изолирующих областей в интегральных микросхемах тонкими пленками диоксида кремния. Часть 1. Проблемы и хронология решений // Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2025, вып. 1(193), с. 26-39.   

Vasilyev V. Yu. Composition, structure, and functional properties of thin silicon nitride films grown by atomic layer deposition for microelectronics applications (review of 25 years of research) // Journal of Structural Chemistry, 2022, vol. 63, № 7, p.p. 1019-1050.

Vasilyev V. Yu. Features of atomic layer deposition of silicon dioxide thin films // Тезисы 3-го международного семинара «Атомно-слоевое осаждение: Россия 2021» (“ALD Russia 2021”), Санкт-Петербург, 27-30 сентября 2021, с. 79-80.

Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 5. Особенности роста пленок в соответствии с моделями гидроксила на кремнеземе // Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2021, вып. 2(182), С. 10-16.

Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 4. Температурные зависимости скоростей осаждения и плотности пленок // Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2021, вып. 1(181), с. 18-26.

Глава в монографии. Vasilyev V.Yu. CVD technologies and basic properties of SiNH-contained thin films for applications in electronic devices // In “Chemical Vapor Deposition (CVD): Methods and Technologies”. Ed. L. Karlsson // Nova Science Publishers Inc., 2021, p.p. 1-103. ISBN: 978-1-53619-949-9.

Vasilyev V. Yu. Review – Atomic layer deposition of silicon dioxide thin films // ECS J. Solid State Science and Technology, 2021, vol. 10, # 053004.

Vasilyev V. Yu., Kittilsland G. Mechanical Stress in Chemically Vapor Phase Deposited Boron- and Phosphorus-Contained Silicate Glass Thin Films: A Review // ECS J. Solid State Science and Technology, 2020, vol. 9. # 043003.

Васильев В.Ю. Конформность роста тонких слоев из газовой фазы на рельефных микро- и наноструктурах. Часть 3. Процессы атомно-слоевого осаждения // Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2020, вып. 3(179), С. 26-37.

Васильев В.Ю. Конформность роста тонких слоев из газовой фазы на рельефных микро- и наноструктурах. Часть 2. Процессы химического осаждения из газовой фазы // Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2020, вып. 3(179), С. 16-25.

Васильев В.Ю. Конформность роста тонких слоев из газовой фазы на рельефных микро- и наноструктурах. Часть 1. Проблематика и методология оценки роста слоев на рельефах // Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2020, вып. 2(178), С. 16-25.

Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких слоев нитрида кремния для микро- и наноэлектроники // Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2020, вып. 1(177), С. 31-41.

Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 3. Процессы с азотсодержащими предшественниками // Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2020, вып. 1(177), С. 19-30.

Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 2. Процессы с силанами, цианатами, хлорсиланами, кислородсодержащими реагентами // Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2019, вып. 4(176), С. 54-64.

Васильев В.Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 1. Постановка задач, методология осаждения пленок // Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2019, вып. 4(176), С. 45-53.

Васильев В.Ю. О методологии оценки конформности атомно-слоевого осаждения тонких пленок в высокоаспектных наноструктурах // Наноиндустрия, 2019, Т. 12, № 3-4, с. 194-204.

Vasilyev V. Yu. Estimating the interrelation between the rate of atomic layer deposition of thin platinum-group metal films and the molecular mass of reactant precursors // Russian Microelectronics, 2019, vol. 48, iss. 4, p.p. 208-219.

Васильев В.Ю. Оценка взаимосвязи скорости атомно-слоевого осаждения тонких пленок металлов платиновой группы и молекулярной массы реагентов-предшественников // Микроэлектроника, 2019, Т. 48, Вып. 4, с. 249-262.

Васильев В.Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Ч. 8. Влияние водорода в пленках на их свойства // Нано- и микросистемная техника, 2019, Т. 21, № 6, с. 352-367.

Васильев В.Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Ч. 7. Обобщение информации по методам осаждения и свойствам пленок // Нано- и микросистемная техника, 2019, Т. 21, № 3, с. 131-142.

Васильев В.Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Ч. 6. Каталитическое осаждение в проточных реакторах // Нано- и микросистемная техника. 2019. Т. 21. № 1. С. 3-13.

Васильев В.Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Ч. 5. Плазмоактивированные процессы в реакторах циклического действия // Нано- и микросистемная техника, 2018, Т. 20, № 11, с. 659-675.

Васильев В.Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Ч. 4. Процессы в проточных реакторах с активацией плазмой высокой плотности // Нано- и микросистемная техника, 2018, Т. 20, № 10, с. 585-595.

Васильев В.Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Ч. 3. Плазмоактивированные процессы в проточных реакторах // Нано- и микросистемная техника, 2018, Т. 20, № 9, с. 524-554.

Васильев В.Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Ч. 2. Термически активированные процессы в реакторах циклического действия // Нано- и микросистемная техника, 2018, Т. 20, № 6, с. 329-339.

Васильев В.Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Ч. 1. Термически активированные процессы в проточных реакторах // Нано- и микросистемная техника, 2018, Т. 20, № 5, с. 287-296.

Vasilyev V. Yu. Comparative Analysis of ALD/CVD Features of Platinum Group Metals Thin Films // Тезисы 2-го международного семинара «Атомно-слоевое осаждение: Россия 2017» (“ALD Russia 2017”), Санкт-Петербург, 24-30 сентября 2017, с. 62.

Антонов А.А., Попов Ю.Н., Васильев В.Ю. Разработка интегральных микросхем по высоковольтным субмикронным технологиям для силовой электроники // Наноиндустрия. 2017. Спецвыпуск (74). с. 265-274.

Глава в монографии. Vasilyev V.Yu. Ruthenium Thin Film Growth Kinetics under Thermally-Activated Pulsed Chemical Vapor Deposition Conditions // In “Advances in Chemistry Re-search”, Vol.39, Ed. J.C. Taylor / Nova Science Publishers Inc., 2017, p.p. 109-140. ISBN: 978-1-53612-613-6 (hardcover).

Васильев В.Ю. Структура, состав и электрическое сопротивление тонких слоев металлического рутения, полученных импульсным осаждением из газовой фазы // Журнал структурной химии, 2017, Т. 58, № 8, с. 1589-1596.

Васильев В.Ю. Тренды развития технологий и производства компонентов и узлов нано- и микросистемной техники // Нано- и микросистемная техника, 2016, Т. 18, № 7, с. 403-415.

Васильев В.Ю. Сверхтонкие пленки металлов платиновой группы для применения в нано- и микротехнологиях // Нано- и микросистемная техника, 2016, Т. 18, № 7, с. 454-464.

Глава в монографии. Vasilyev V.Yu. Application of Ozone for Pulsed Chemical Vapor Deposition and Atomic Layer Deposition of Thin Films used in Integrated Circuit Technology // In “Advances in Chemistry Research”, Vol.27, Ed. J.C. Taylor // Nova Science Publishers Inc., 2015, p.p. 63-88. ISBN: 978-1-63482-545-0 (hardcover).

Чернов А.С., Чебанов М.А., Гридчин В.А, Васильев В.Ю. Исследование закономерностей формирования 3D островковых структур Si(100) при травлении кремния в водном растворе КОН // Нано- и микросистемная техника, 2015, Т.17, № 9, с. 34-40.

Антонов А.А., Карпович М.С., Пичугин И.В., Васильев В.Ю. Разработка и верификация интегральной микросхемы драйвера «мягкой» коммутации силовых ключей для мощных источников электропитания // Нано- и микросистемная техника, 2015, Т. 17, № 9, с. 57-64.

Vasilyev V.Yu., Morozova N.B., Basova T.V., Igumenov I.K., Hassan A. Chemical Vapour Deposition of Ir-based coatings: chemistry, processes and applications // RSC Advances, 2015, vol. 5, p.p. 32034-32063.

Vasilyev V.Yu. Evaluation of Low Temperature TEOS-Ozone Silicon Dioxide Thin Film CVD under Sub-Atmospheric Pressure Using Consecutively Pulsed Reactant Injection // ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2015, vol. 4, N.1, p.p. N3164-N3167.

Монография. Vasilyev V.Yu. Thin Film Chemical Vapor Deposition in Integrated Circuit Technology: Equipment, Methodology and Thin Film Growth Experience // Nova Science Publishers, Inc., 2013, p.p. 1-314. ISBN: 978-1-63321-150-6 (hardcover), ISBN: 978-1-63321-186-5 (ebook).

Васильев В.Ю., Морозова Н.Б., Игуменов И.К. Осаждение рутенийсодержащих тонких пленок из газовой фазы // Успехи химии, 2014, Т.83, №8, с.758-782.

Васильев В.Ю. Тренды развития методов химического осаждения из газовой фазы тонкопленочных материалов для прецизионных технологий // Нано- и микросистемная техника, 2014, Т. 16, № 9, с. 37-44.

Антонов А.А., Карпович М.С., Пичугин И.В., Курленко А.А., Васильев В.Ю. Интегральная микросхема драйвера «мягкой» коммутации силовых ключей для мощных источников электропитания // Нано- и микросистемная техника, 2014, Т. 16, № 6, с. 37-42.

Васильев В.Ю. Низкотемпературное осаждение из газовой фазы при субатмосферном давлении слоев диоксида кремния окислением тетраэтоксисилана смесью озон-кислород для применения в субмикронных интегральных микросхемах. Часть 2. Исследование роста слоев в условиях непрерывного напуска реагентов // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы, 2014, Вып. 1(232), с. 49-58.

Коллективная монография в соавторстве: Источники вторичного электропитания с «мягкой» коммутацией силовых ключей // Под ред. Ю.Д. Козляева, 2014, изд-во СО РАН, г. Новосибирск, 113 c.

Гридчин В.А., Васильев В.Ю., Чебанов М.А., Бялик А.Д., Чернов А.С. Численное моделирование элементов фотоэлектрического волоконно-оптического сенсора давления // Нано- и микросистемная техника, 2014, Т.16, № 6, с. 3–7.

Монография. Vasilyev V.Yu. Borophosphosilicate Glass Films in Electronics // Nova Science Publishers, Inc., 2013, p.p. 1-243. ISBN: 978-1-62618-034-5 (ebook).

Глава в монографии. Vasilyev V.Yu. Application of Nitrous Oxide for Chemical Vapor Deposition of Thin Films Used in Integrated Circuit Technology // In “Advances in Chemistry Research”, Vol.19, Ed. J.C. Taylor / Nova Science Publishers Inc., 2013, p.p. 55-84. ISBN: 978-1-62618-236-3 (hardcover).

Гридчин В.А., Чебанов М.А., Васильев В.Ю. Влияние термических деформаций на температурную стабильность характеристик кремниевых резонансных сенсоров давления // Нано- и микросистемная техника, 2013, Т. 15, №3, с. 41-44.

Васильев В.Ю. Низкотемпературное осаждение из газовой фазы при субатмосферном давлении слоев диоксида кремния окислением тетраэтоксисилана смесью озон-кислород для применения в субмикронных интегральных микросхемах. Часть 1. Обзор состояния, направлений и задач исследования // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы, 2013, вып. 1(230), с. 76-87.

Гридчин В.А., Чебанов М. А., Васильев В.Ю. Моделирование влияния конструктивно-технологических параметров на характеристики кремниевых резонансных сенсоров давления // Известия вузов. Электроника, 2012, № 2(94), с. 61-66.

Хабаров П.С., Шлемин Д.Л., Лысь В.Д., Лебедев Ю.П., Васильев В.Ю., Попов Ю.Н. Проектирование сложно-функциональных блоков смешанного сигнала на основе субмикронной технологии на примере микросхемы видеодекодера. Часть 2. Верификация микросхемы «на кремнии» // Вестник СибГУТИ, 2011, вып. 3, с. 3-13.

Хабаров П.С., Шлемин Д.Л., Лысь В.Д., Лебедев Ю.П., Васильев В.Ю., Попов Ю.Н. Проектирование сложно-функциональных блоков смешанного сигнала на основе субмикронной технологии на примере микросхемы видеодекодера. Часть 1. Конструкция и топология микросхемы // Вестник СибГУТИ, 2011, № 2, с. 23–34.

Глава в монографии. Vasilyev V. Yu. Low-Temperature Thermally-Activated Pulsed Chemical Vapor Deposition of Ruthenium Thin Films Using Carbonyl-Diene Precursor / In “Ruthenium: Properties, Production and Applications”, Ed. David B. Watson // Nova Science Publishers Inc., 2011, p.p. 2-85. ISBN: 978-1-61761-617-4 (ebook).

Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 5. Схемы роста и корреляция закономерностей осаждения и свойств тонких слоев // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2012, вып. 2(229), с. 54-69.

Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 4. Обобщенная методология анализа закономерностей процессов роста тонких слоев // Электронная тех-ника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 2012, вып. 1(228),. с. 3-18.

Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 3. Закономерности роста слоев в промышленных реакторах // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 2011, вып. 1(227), с. 24-36.

Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоев из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,.35 – 0,18 мкм. Часть 2. Аппаратура и методология осаждения слоев // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 2011, вып. 1(226), с.51-66.

Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоев из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35 – 0,18 мкм. Часть 1. Основные тенденции развития методов // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 2010, вып. 1(224), с. 67-82.

Vasilyev V., Mogilnikov K.P., Song Y.W. Properties of thermally annealed ruthenium thin films grown on seed layers in low temperature selective deposition region // Current Applied Physics, 2009, v. 9, p.p. е148-е151.

Vasilyev V., Mogilnikov K.P., Song Y.W. Surface selective growth of ruthenium films under low temperature pulsed CVD conditions // Electrochem. Solid State Letters, 2008, vol. 11, N 12, p.p.D89-D93.

Vasilyev V., Mogilnikov K.P., Song Y.W. Nucleation and growth of pulsed CVD Ruthenium films from tricarbonyl[eta4-cyclohexa-1,3-diene]ruthenium // J. Electrochem. Soc., 2008, vol. 115, N 12, p.p. D763-D770.

Vasilyev V., Chung S.-H., Song Y.W. Quantifying ALD technology for High Aspect Ratio Structures // Solid State Technology, 2007, vol. 50, N 8, p.p. 53, 54, 56.

Васильев В.Ю., Репинский С.М. Осаждение диэлектрических слоев из газовой фазы // Успехи химии, 2005, Т. 74, №5, С. 452-483.

Васильев В.Ю. Применение процессов химического осаждения из газовой фазы в техно-логии изготовления микросхем с технологическими нормами 0.35-0.18 мкм // Электронная промышленность, 2005, вып. 2, с. 20-32.

Vasilev V.Yu. Relationships between gas-phase film deposition, properties and structures of thin SiO2 and BPSG films // J. Electrochem. Soc., 2003, vol. 150, N 12, p.p. F211-F218.

Васильев В.Ю. Заполнение ультрамалых зазоров в интегральных микросхемах осажденными из газовой фазы тонкими диэлектрическими материалами на основе диоксида кремния // Микроэлектроника, 2002, Т. 31, №4, С. 224-230.

Vassiliev V.Yu., Sudijono J.L., and Cuthbertson A. Trends in Void-Free Pre-Metal CVD Dielectrics // Solid State Technology, 2001, vol. 44, N 3, p.p. 129-136.

Vassiliev V.Yu., Lin C., Fung D., Hsieh J., and Sudijono J.L. Properties and gap-fill capability of high-density plasma chemically vapor deposited phosphosilicate glass films for subquarter micrometer ULSI device technology // Electrochem. and Solid State Letters, 2000, vol. 3, N 2, p.p. 80-83.

Vassiliev V.Yu., Zheng J.Z., Tang S.K., Lu W., Hua J., and Lin Y.S. Growth kinetics and deposition-related properties of subatmospheric-pressure chemically vapor deposited borophosphosilicate glass films // J. Electrochem. Soc., 1999, vol. 146, N 8, p.p. 3039-3051.

Tang S.K., Vassiliev V.Yu., Mridha S., Chan L. Investigation of borophosphosilicate glass roughness and planarization with the atomic force microscope technique // Thin Solid Films, 1999, vol. 352, N 1-2, pp. 77-84.

---