Соколов Леонид Владимирович

Соколов Леонид Владимирович родился 08.01.1947г. в г. Баку Азербайджанской ССР.

После окончания восьми классов дневной школы в 1962 г. он устроился работать слесарем «КИП и А» на Волжский завод РТЭ (Радиотехнических элементов для ЭВМ) и продолжил учёбу в вечерней школе рабочей молодёжи (ШРМ), г. Волжский Волгоградской обл. За успешное сочетание работы и учёбы в школе, после окончания ШРМ, был награждён Грамотой директора завода и направлен от завода РТЭ на учёбу в Таганрогский радиотехнический институт. После окончания института в 1969г. он получил специальность «Инженер электронной техники» и вернулся на завод РТЭ, где был аттестован, как офицер запаса, для работы инженером в военном представительстве на заводе. В 1972г. он был избран секретарём комитета ВЛКСМ с правами  райкома комсомола на заводе РТЭ.  С 1975 г. работал в должности начальника технологического бюро сборочного цеха №1, заместителя начальника конструкторско-технологического отдела на заводе РТЭ. В 1982 г. он был направлен от завода РТЭ на учёбу в   аспирантуру Московского института электронной техники, которую успешно завершил в 1985 году. По результатам проведённых в аспирантуре исследований физико-технологических процессов микроконтактирования при монтаже микросхем было получено Авторское свидетельство №1334531 на способ контактной сварки. В 1985 году по целевому направлению Минобразования СССР он был направлен на работу в Лётно-исследовательский институт (ЛИИ им. Громова) в г. Жуковский, Московской обл., где проводил исследования и разработку полупроводниковых датчиков давления для испытаний летательных аппаратов (ЛА). По результатам исследований были спроектированы,  изготовлены, внедрены и запатентованы датчики  давления  для измерения пульсаций давления на несущих поверхностях ЛА, получил Авторское свидетельство №1559862. В 1988 году он был переведён по результатам конкурса на должность научного сотрудника в отделение Микроэлектроники  НИИ Авиационного оборудования (НИИАО), г. Жуковский и получил звание ВАК «Старший научный сотрудник». В НИИАО он продолжал научную деятельность в должности старшего научного сотрудника, главного научного сотрудника, начальника сектора и начальника лаборатории «Микроэлектронные датчики информационно-измерительных и управляющих систем», исполняющего обязанности директора Научно-исследовательского центра «Комплексы специального назначения». Участвовал в выполнении ряда НИОКР в области микроэлектромеханических датчиков и систем и микросистемной техники как ответственный исполнитель или руководитель. В 2016 году в связи с образованием на базе АО «НИИАО» филиала «Комплексов бортового оборудования гражданской авиации»  АО «РПКБ»   (ФКБОГА) был принят на должность Главного специалиста ФКБОГА. Продолжил исследования  и планирует проведение ОКР по инновационным МЭМС-КНИ датчики давления с целю внедрения датчиков в системы управления авиационных двигателей, в системы воздушных сигналов и диагностические системы самолётов в рамках импортозамещения.

Участвовал в выполнении ряда НИОКР как ответственный исполнитель или руководитель в НИИ Авиационного оборудования. Область научных интересов - твердотельная электроника, микросистемная техника, микроэлектромеханические датчики и системы.  Разработаны концептуальные основы и создана инновационная методология проектирования и изготовления кремниевых интегральных мультисенсоров давления-температуры, пьезорезистивных сенсоров давления с трёхмерными микромеханическими мембранными структурами, а также КНИ сенсоров давления на основе авторской концепции "изолированная монолитная кремниевая тензорамка - на кремнии" и датчиков давления на их основе. Руководитель или ответственный исполнитель ряда научно-исследовательских работ в области инновационных технологий, в том числе, НИР по созданию микроэлектромеханических преобразователей на основе гетероструктуры кремний-на-изоляторе в рамках государственной программы "Датчик ВВТ" на 2006-2015 годы, прогнозные исследования развития науки, техники и технологий в авиаприборостроении на 2016-2020 годы и на период до 2025 года. Научная деятельность поддержана двумя грантами РФФИ. Сформированное на базе научно-технического задела и запатентованных в ОАО "НИИАО" технических решений научное направление по созданию интеллектуальных датчиков давления на основе нового поколения измерительных тензопреобразователей физико-механических величин с гетероструктурой кремний-на-изоляторе включено в "Форсайт развития авиационной науки и технологий до 2030 года и на дальнейшую перспективу" и внесено в Реестр новых научных направлений (№0355 от 31.05.2022) Основные результаты научных исследований представлены в монографии, в учебном пособии МАИ, в шести изобретениях и в более чем в 150 научных трудах, а также опубликованы в ведущих российских и зарубежных изданиях, обсуждались на международных и всероссийских научно-технических симпозиумах, конференциях и выставках. Научные работы были представлены на международных книжных выставках в Москве, Лондоне и Мюнхене и на других выставках. Результаты исследований внедрены и практически использованы головными институтами авиационной промышленности: ЦАГИ  им. проф. Н.Е. Жуковского, ЛИИ им. М.М. Громова и другими предприятиями России. По результатам исследований спроектированы,  изготовлены  и внедрены датчики  давления  для измерения пульсаций давления на несущих поверхностях ЛА,  для измерения дифференциального давления в аэродинамической трубе Т-128,  для измерения давлений жидкостей и газов в электронных системах. Кроме этого,  спроектированы тензомодули высокотемпературных датчиков абсолютного давления, а также и изготовлена пилотная партия тензомодулей для систем управления авиационных двигателей. По результатам выполненных исследований в рамках Национального плана развития науки и технологий в авиастроении на период до 2025г. (подпрограмма «Приборостроение») получили развитие физико-технологические основы проектирования КНИ микроэлектромеханических тензопреобразователей давления, кремниевых интегральных мультисенсоров давления-температуры. На этой базе разработаны новые конструктивно-технологические решения и изготовлены опытные партии высокостабильных высокотемпературных тензомодулей, соответствующих по техническому уровню лучшим зарубежным аналогам и позволяющих осуществить импортное замещение  зарубежных датчиков в бортовых электронных системах и комплексах самолётов. Полученные результаты отмечены дипломами, в числе которых диплом Военно-промышленной комиссии при Правительстве РФ за решение основных проблем создания конкурентоспособных высокостабильных датчиков давления нового поколения, а также диплом международной выставки ПТА-2015 в Москве, как победителю конкурса инновационных проектов в номинации "Лучшая перспективная разработка".

27 лет преподавательской работы в Жуковском филиале «Стрела» МАИ, из них 20 лет в должности профессора МАИ.Награждён грамотами ректора МАИ "За высокий профессиональный уровень преподавания и подготовку высококвалифицированных специалистов в области радиоэлектронных систем и комплексов".

Государственные награды, в числе которых Знак почёта "Ударник 9 пятилетки" 1975г., медаль «За отличие» Госкорпорации Ростехнологии, 2021г.                                                                                                

Читал лекции инженерам АО «ЭОКБ Сигнал им. Глухарёва»,  г. Энгельс, в рамках Программы по повышению квалификации.

С 2006 по 2017 годы был членом, а затем заместителем председателя Диссертационного Совета ДС403.018.01 по защите докторских и кандидатских диссертаций.

Курировал докторанта и 3 аспирантов НИИАО, был научным руководителем дипломников двух базовых кафедр МАИ «Стрела». 19 лет член ГАК.

Входил в состав ведомственной экспертной группы в качестве руководителя  по тематике «Датчики давления» на предприятиях КРЭТ. Представил Отчёт в КРЭТ.

 Преподавал по совместительству 26 лет на базовых кафедрах  филиала «Стрела» МАИ.

Участвовал в работе международных конгрессов и конференций в США, Японии, Польше по Грантам РФФИ, Стажировка в Германии по направлению МАИ. делал доклады на международных конгрессах и конференциях по Грантам РФФИ: в США, Японии и Польше. Стажировался в Университете  (г. Гёпинген, Германия) по направлению из МАИ, общался на английском.

Презентации докладов на конференциях и конгрессах в 2023-2024 годах:

 1. Соколов Л.В. «Оптимизация конструкции микроэлектромеханического КНИ тензопреобразователя давления с изолированной 3d кремниевой тензорамкой по распределению   упругих напряжений на чипе преобразователя». Тезисы докладов Всесоюзного конгресса по сенсорике. с.26,27. Санкт-Петербург-Кронштадт, 30-31мая 2023г.

2. Соколов Л.В. «Исследование остаточных упругих напряжений на чипе тензопреобразователя давления методом Рамановской микроскопии» на ХXXII международной научно-техничес­кой конференции «Современные технологии в задачах управления, автоматики и обработки информации», с.137-138, пос. Дивноморское Краснодарского края, 14-20 сентября 2023г.

3. Соколов Л.В. «Анализ основных причин временной нестабильности кремниевых
пьезорезистивных датчиков и инновационные решения проблемы» на ХXXIII международная научно-техничес­кая конференция «Современные технологии в задачах управления, автоматики и обработки информации», с.114, пос. Вишневка Краснодарского края, 13-19 сентября 2024г.

4. Соколов Л.В. «Исследование поверхности по границе раздела кремния со слоем стекловидного диэлектрика на образце МЭМС-КНИ чипа преобразователя давления методом растровой электронной микроскопии».  Сб. тезисов, Международный форум природоподобных технологий, с.48, Курчатов ФСНЭ-2024, Курчатовский научный центр, Москва, 21-23 октября 2024г.

Результаты исследований и новизна разработок подтверждены 6 патентами и авторскими свидетельствами на изобретение.

Научные публикации

1. Л.В. Соколов. Анализ основных причин временной нестабильности КНИ пьезорезистивных датчиков и МЭМС и инновационные решения проблемы // Нано- и микросистемная техника, 2024, Том 26, № 3, с.145-148.

2. Sokolov L. V. Topology Optimization for the 3D Micromechanical Structure of SOI Pressure Sensor from Silicon Crystallography // Crystallography Reports. 2021. Vol. 66, N. 6. Pleiades Publishing Inc., 2021. Ведущий международный журнал.

3. Л.В. Соколов. Исследование упругих напряжений на границах раздела КНИ-гетероструктуры микроэлектромеханического преобразователя давления с изолированной тензорамкой //  Известия РАН. Серия Физическая, 2019, том 83, № 11, с.1474-1477.

 Sokolov L. V. Research of Elastic Stress on SOI Heterostructure Interfaces of Microelectromechanical Pressure transducer with Isolated Tensoframe // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2019. Vol. 83, N. 11. Р. 1345—1348. Allerton Press. Inc. 2019. Ведущиймеждународныйжурнал.

4. Л.В. Соколов,  М.Ю. Сорокин. Отечественные инновационные разработки датчиков давления в задачах измерения высоты // Научно-технический сборник. Оборонная техника. №11-12, 2015, с.87-92.

5. Соколов Л.В. Введение в технологию проектирования  и производства микроэлектромеханических тензопреобразователей с гетероструктурой «кремний на изоляторе» для авиационной и ракетно-космической техники. Учеб. пособие. Москва. Издательство УМО МАИ. 2015. 84с.

6.  Л.В. Соколов, А.А. Жуков, Н.М. Парфёнов, А.Е. Ануров. Анализ современных технологий объёмного микропрофилирования кремния для производства чувствительных элементов датчиков и МЭМС // Нано- и  микросистемная техника, №10, 2014, с.27-35.

7. С. П. Тимошенков, В. В. Калугин, Л. В. Соколов, Н. М. Парфенов. Исследование и оптимизация электрофизического процесса сращивания элементов тензомодуля на основе гетероструктуры кремний_на_изоляторе методом термоэлектростимулированного соединения // Изв. РАН.                 Сер. физ. 2011, том 75, № 9, с. 1323—1325.

8. Leonid V. Sokolov. Conceptual basis for creating new-generation high-stable high-temperature microelectromechanical sensors based on a silicon-on-isolator heterostructure with a monolithic integral tensoframe for intelligent transducers // Proc. 9th  Int. Symp. Measurement Technology and Intelligent Instruments ISMTII-2009. S-Petersburg, 2009.V. 3. P. 248-251

9. Соколов Л.В.  Высокостабильные  высокотемпературные микроэлектромеханические преобразователи нового поколения на основе гетероструктуры кремний-на-изоляторе // Измерительная техника № 9, 2009, с. 18-20.

10. Соколов Л.В. Основы проектирования кремниевых микроэлектромеханических интегральных тензопреобразователей давления и микросистем с профилированной трёхмерной мембранной структурой. Научное издание. Жуковский. Издательство «Петит», 2009, 367с.

11. Leonid V. Sokolov. Research of  SOI  Microelectromechanical  Sensors with a Monolithic  Tensoframe  for  High-Temperature  Pressure  Transducers //  Proc. 219th ECS Meeting Transactions. Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and    Related     Physics 15.    Edited   by  Y. Omura.  2011, Montreal, QC, Canada, Volume   35, Issue 5,  pp.  135-141.

Соколов Леонид Владимирович имеет награды

---