-
Ученая степеньДоктор технических наук
-
Ученое званиеДоцент
-
Научное направлениеТехнические науки
-
РегионРоссия / Воронежская область
Доктор технических наук, почетный работник высшего профессионального образования РФ, Валерий Александрович Небольсин родился 5.07.1963 г. в с. Гор.-Выселки Новоусманского района Воронежской области.
Образование:
1985 год — окончил Воронежский политехнический институт, физико-технический факультет, специальность "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы";
1990 год — защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук по специальности 01.04.07 – Физика конденсированного состояния;
2004 год — защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора технических наук по специальности 01.04.07 – Физика конденсированного состояния, тема: "Активируемый капельной жидкостью рост нитевидных кристаллов из газовой фазы".
Основное место работы: декан факультета радиотехники и электроники Воронежского государственного технического университета.
Область научных интересов: физико-химия и технология процессов роста нитевидных микро- и нанокристаллов полупроводниковых материалов по механизму пар-жидкость-кристалл; процессы газофазной эпитаксии, формообразования кристаллов и размерные эффекты, связанные с кристаллизацией; процессы синтеза углеродных нанотрубок; физико-химические аспекты природы графена и его производных; электрохимическое получение тубулярных структур нанопористых пленок оксида титана; теоретические аспекты нуклеации на границе раздела трех фаз; суперконденсаторы, приборы фотовольтаики и сенсорной электроники; технологии пространственно-упорядоченных квазиодномерных эпитаксиальных структур.
Научные публикации
Список научных публикаций насчитывает более 150 наименований, в том числе книг "Рост нитевидных кристаллов" (Воронеж, ВГУ, 2003; совместно со Щетининым А. А.) и "Актуальные аспекты механизма роста нитевидных нанокристаллов пар-жидкость-кристалл" (Воронеж, Научная книга, 2024). Наиболее значимыe из них:
1. Nebol’sin V. A. About the Shape of the Crystallization Front of the Semiconductor Nanowires / V. A. Nebol’sin, E. V. Levchenko, V. Yuryev, N. Swaikat // ACS Omega. – 2023. – V. 8. – P. 8263−8275.
2. Nebol’sin V. A. About Some Fundamental Aspects of the Growth Mechanism Vapor-Liquid-Solid Nanowires / V. A. Nebol’sin, N. Swaikat // J. Nanotechnology. – 2023. – Р. 1-18.
3. Levchenko E. V. Vapor-Liquid-Solid Growth of Nanowires under the Conditions of External Faceting / E. V. Levchenko, V. A. Nebol’sin, V. Yuryev, N. Swaikat // Phys. Stat. Sol. B. – 2023. – P. 2300090.
4. Nebol'sin V. A. On the Stability of Catalyst Drops at the Vapor-Liquid-Solid Contact during the Growth of Nanowires / V. A. Nebol'sin, V. A. Yuriev, N. Swaikat, V. V. Korneeva, E. N. Vasnin // RENSIT. – 2022. – V.14. – N.4. – P.381-392.
5. Nebol'sin V. A. A promising way to improve the efficiency of silicon solar elements - introduction of whiskers with p−n junction / V. A. Nebol'sin, N. Swaikat, A. Yu. Vorobiev, V.A. Yuryev // Tech. Phys. Lett. – 2023. – V. 49. –N.1. – P.75-79.
6. Nebol'sin V. About a fundamental uncertainty of the contact angle of the catalyst drop on the top of the nanowire / V. Nebol'sin, E. V. Levchenko, N. Swaikat, V. Yuryev // J. Appl. Phys. – 2021. – V.129. – P. 164302.
7. Nebol'sin V.A. Graphene oxide and its chemical nature: Multi-stage interactions between the oxygen and graphene / V.A. Nebol'sin, Y.E. Silina, V. Galstyan // Surf. and Interfac. – 2020. – V.21. – P. 100763-100787.
8. Nebol’sin V. A. Development of Growth Theory for Vapor–Liquid–Solid Nanowires: Wetting Scenario, Front Curvature, Growth Angle, Linear Tension, and Radial Instability / V. A. Nebol’sin, N. Swaikat, A. Yu. Vorob’ev // J. Nanotechnol. – 2020. - P. 5251823.
9. Nebol'sin V. A. Thermodynamics of oxidation and reduction during the growth of metal catalyzed silicon nanowires / V. A. Nebol'sin, J. Johansson, D. B. Suyatin, B. A. Spiridonov // J. Cryst. Growth. – 2019. – V.505. – P. 52–58.
10. Nebol’sin V. A., Swaikat N., Vorob’ev A. Yu. Black Silicon: a New Manufacturing Method and Optical Properties // Tech. Phys. Lett. – 2018. – V.44. – N.12. – Р.1055–1058.
11. Nebol’sin V.A. Capillary stability of VLS crystallization processes and its comparison to Czochralski and Stepanov growth methods / V.A. Nebol’sin, D.B. Suyatin, A.I. Dunaev, A.F. Tatarenkov // J. Cryst. Growth. – 2017. – V.463. – P. 46-53.
12. Suyatin D. B., Jain V., Nebol’sin V.A.,Trägårdh J., Messing M. E., Wagner J. B., Persson O. Strong Schottky barrier reduction at Au-catalyst/GaAs-nanowire interfaces byelectric dipole formation and Fermi-level unpinning // Nature Commun. -2014. - N.5. - P. 3221-3226.
13. Silina Y.E., Meier F., Nebol’sin V.A., Koch M., Volmer D.A. Novel Galvanic Nanostructures of Ag and Pd for Efficient Laser Desorption/Ionization of Low Molecular Weight Compounds // J. Am. Soc. Mass Spectrometry. - 2014. - N.25. - P. 841-851.
14. Nebol’sin V.A. Effect of the Electronic Structure of Metal Solvents on Silicon Whisker Growth / V.A. Nebol’sin, M. A. Zavalishin, E. V. Zotova, A. N. Korneeva, V. P. Gorshunova // Inorg. Mater. – 2012. – V.48. – N.1. – P. 1–6.
15. Nebol’sin V.A. Role of surface energy in the growth of carbon nanotubes via catalytic pyrolysis of hydrocarbons / V.A. Nebol’sin, A.Yu. Vorob’ev // Inorg. Mater. - 2011. - V.47. - N.2. - P. 128–132.
16. Nebol’sin V. A. A Mechanism of Quasi-One-Dimensional Vapor Phase Growth of Si and GaP Whiskers / V. A. Nebol’sin, A. A. Shchetinin // Inorg. Mater. – 2008. – V.44. – N.10. – P. 1033–1040.
17. Nebol’sin V. A. On the general regularities of the growth of micro- and nanoscale Si whiskers / V.A. Nebol’sin, A.A. Dolgachev, A.I. Dunaev, M.A. Zavalishin // Bull. Russ. Acad. Scie.: Physics. – 2008. – V.72. – N.9. – P.1217-1220.
18. Nebol’sin V. A. Effect of the nature of the metal solvent on the vapor-liquid-solid growth rate of silicon whiskers / V. A. Nebol’sin, A. A. Shchetinin, A. A. Dolgachev, V. V. Korneeva / Inorg. Mater. – 2005. – 41. – N.12. – Р. 1256–1259.
19. Nebol’sin V. A. Role of Surface Energy in the Vapor–Liquid–Solid Growth of Silicon / V. A. Nebol’sin, A. A. Shchetinin // Inorg. Mater. – 2003. – V.39. – N.9. – P. 1050–1055.
20. Nebol’sin V. A. Constant growth angle of silicon whiskers / V. A. Nebol’sin, A. A. Shchetinin, T.I., Sushko, P. Yu Boldyrev // Inorg. Mater. – 1996. – V.32. – N.9. – P.905-907.