Любимский Владимир Михайлович
  1. Ученая степень
    доктор технических наук
  2. Ученое звание
    профессор
  3. Научное направление
    Технические науки
  4. Регион
    Россия / Новосибирская область

Любимский Владимир Михайлович , д.т.н., профессор кафедры Прикладная и теоретическая физика Новосибирского государственного технического университета.

Преподаваемые дисциплины:

Физика.

Сведения о диссертации:

К.Ф.М.Н. 1980Исследование энергетического спектра электронов в карбиде кремния методом пьезосопротивления,

Д.Т.Н. 2005Проблемы проектирования интегральных тензопреобразователей давления на основе слоев поликристаллического кремния.

Направления научных исследований:

Теоретические и технологические проблемы проектирования датчиков давления на расширенный температурный диапазон.

Научные публикации

1. Любимский В. М. Изгиб длинной прямоугольной многослойной пластинки при изменении температуры и равномерном давлении. / В. М. Любимский // Нано и микросистемная техника.-2009.N.3. С. 17 - 23.

2. Любимский В. М. Изгиб длинной прямоугольной двухслойной пластинки при изменении температуры. / В. М. Любимский // Нано- и микросистемная техника.№12.

3. Любимский В. М. Изгиб длинной прямоугольной многослойной пластинки при изменении температуры и равномерном давлении / В. М. Любимский // Материалы IX международной конфеенции - Актуаль¬ные проблемы электронного прибо¬ростроения АПЭП-2008”, т.2, c. 54-57.

4. Любимский В. М. Прямоугольная многослойная пластинка под сосредоточенной нагрузкой / В. М. Любимский // Электроника Сибири. в.3. с. 41-42.

5. Гридчин В. А. Microelectronic Transducers for Heat-Power Engineering / В. А. Гридчин, В. М. Любимский // Porosed. Of the second International Forum on Strategic Technology IFOST -2007, 3-5 October 2007, Ulaanbaator, Mongolia, 1-56-58.

6. Любимский В. М. Изгиб изотропной длинной прямоугольной пластинки под действием электростатического притяжения и поперечной нагрузки / В. М. Любимский // Нано – и микросистемная техника, №4, 2007, с. 41 – 44

7. Любимский В. М. Изгибы круглой и прямоугольной диафрагм при действии электростатического притяжения и поперечной нагрузки / В. М. Любимский // Нано – и микросистемная техника, №5, 2007, с. 43 – 48

8. Любимский В. М. Особенности деформации резистора в виде мезаструктуры / В. М. Любимский // Нано – и микросистемная техника №2, 2007, с. 47 – 52

9. Любимский В. М. Особенности передачи деформации от подложки к тензорезистору в виде мезаструктуры / В. М. Любимский // Микроэлектроника т.36, №5, 2007, с.1-8.

10. Любимский В. М. Сравнение прогибов центров круглых и квадратных диафрагм, вычисленных в нелинейном приближении и уточнение критерия применимости линейной теории при расчетах прогибов и деформаций квадратных диафрагм / В. М. Любимский // Нано – и микросистемная техника, №7, 2007, с. 46-51

11. Любимский В. М. Анализ вероятности рассеяния носителей заряда на неупорядоченной сетке атомов и потенциальных барьерах на поверхностях кристаллитов изотропного поликристаллического кремни / В. М. Любимский, А. Г. Моисеев // Научный вестник НГТУ. -2006. –№. 3(24). -C. 123-130.

12. Любимский В. М. Исследование зависимости дифференциальной термо-ЭДС от температуры в изотропном поликремнии р-типа / В. М. Любимский, А. Г. Моисеев // Информатика и проблемы телекоммуникаций. Материалы конференции. Новосибирск, Россия, Апрель, -2006. -Т. 1. -C. 245-247.

13. Любимский В. М. Модель проводимости поликристаллического кремния р- типа, учитывающая растекание тока в кристаллитах / В. М. Любимский // ФТП, т. 40, в.3, 2006, С. 307-313.

14. Любимский В. М. Расчет времени релаксации носителей заряда, холловского фактора и дифференциальной термо-ЭДС в изотропном поликремнии р-типа / В. М. Любимский, А. Г. Моисеев // Известия вузов ФИЗИКА. -2006. –№. 7. –C. 87-96

15. Гридчин В. А. Влияние импульсного токового отжига на электрофизические характеристики поликристаллического кремния p – типа. / В. А. Гридчин, В. М. Любимский // ФТП, т. 39

16. Механические напряжения у краев квадратных кремниевых диафрагм. / В. А. Гридчин, В. В. Грищенко, В. М. Любимский, А. В. Шапорин // Микроэлектроника, т.34, в.3


Последняя редакция анкеты: 2 октября 2010