Гоффман Владимир Георгиевич

Гоффман В.Г. академик РАЕ, профессор кафедры «ХИМ» Физико-технического института Саратовского государственного технического университета имени Гагарина Ю.А., кандидат физ.-мат. наук, доктор химических наук, член диссертационного совета Д 999.080.03 при Тамбовском, Воронежском и Саратовском технических университетах, член ученого совета ФТИ СГТУ имени Гагарина Ю.А., занимается руководством школьного технопарка при кафедре «ХИМ» ФТИ., научный сотрудник Московского авиационного института, оппонент по ряду докторских и кандидатских диссертаций.

Проф. Гоффман организовал и возглавил школу и направление по выращиванию монокристаллов суперионных проводников. Так впервые были выращены совершенные с высокой ионной проводимостью монокристаллы группы RbAg4I5. В настоящее время занимается исследованием и применением нового класса слоистых композиционных материалов – полититанатов калия.

Под руководством проф. Гоффмана защищено 2 кандидатские диссертации, в настоящее время руководит работой 1 аспиранта и 1 докторанта. Также руководит работами магистрантов и бакалавров.

Гоффманом В.Г. опубликовано более 180 научных работ, из них 16 в журналах рецензируемых в базах SCOPUS и Web of Science , 9 патентов.

Выпущена монография Импедансная спектроскопия композиционных материалов на основе полититаната калия: Монография/ О.С. Телегина, В.Г. Гоффман, А.В. Гороховский, Н.В. Горшков, А.В. Ковнев, Е.В. Колоколова. Саратов: Сарат. гос. техн. ун-т, 2016. 94 с. ISBN 978-5-7433-3059-1.

Под руководством проф. Гоффмана выполнены следующие проекты:

1. Мин.обр. и науки РФ, ФЦП ГК №14.430.12.0002 от 30.09.2013г «Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных приборов нового поколения (оптоэлектронный преобразователь сигнала для ВОЛС в диапазоне частот до 200 ГГц)» 2013-2015. Сумма 18 400 т.руб.

2.ООО "Нанотехпром" х/д №313 от 01.12.2012 "Получение и обработка импедансных спектров и зарядно-разрядных характеристик макетных образцов конденсаторов" 2012-2013 гг., Сумма 400 т.руб.

3. Фонд Бортника СТАРТ-10 ГК №7775р/11340 от 15.04.2010 НИОКР:"Разработка технологии допирования полититаната калия солями меди, серебра, железа, никеля, кобальта, цинка и марганца. Исследование полученных керамик." 2010-2011 гг. , Сумма 1 000 т.руб.

4. ФГБОУ ВПО МАТИ № С185/ВБ-48/12 от 06.2012 "Разработка опытной технологии нанесения твердого электролита и опытной технологии оксидирования" 2012-2013 гг., Сумма 8 200 т.руб.

5. ФГУП «НИЧ МАТИ» Договор № С02-02/14 от 01.02.2014 на поставку оборудования, Сумма 7 500 т.руб., 2014-2015.

В настоящее время В.Гоффман также является руководителем проекта.

В качестве соисполнителя и ответственного исполнителя участвовал в следующих проектах:

В.Гоффманом получены следующие патенты:

1.Патент 2649403 РФ, МПК H01G 4/33, B82B 1/00. Пленочный конденсатор / Гофман В.Г., Гороховский А.В., Ву Дык Хоан; №; заявл. 31.07.2017; опубл. 03.04.2018, Бюл. № 10.

2.Патент 2646531 РФ, МПК H01L 29/92, H01G 9/042. Суперконденсаторная ячейка / Гороховский А.В., Гоффман В.Г., Жуков Н.Д., Митрохин В.В., Скибина Ю.С.;; заявл. 23.09.2016; опубл. 05.03.2018, Бюл. № 7.

3.Патент 2613503 РФ, МПК C08L 29/04, C08K 5/053, C08K 3/10, C08K 3/24, C08K 3/32. Состав для получения полимерного композиционного материала / Гоффман В.Г., Гороховский А.В., Горшков Н.В., Слепцов В.В., Третьяченко Е.В., Ковнев А.В.;; заявл. 29.10.2015; опубл. 16.03.2017, Бюл. № 8.

4.Патент 2600634 РФ. Состав для получения полимерного композиционного материала / Гоффман В.Г., Гороховский А.В., Горшков Н.В., Слепцов В.В., Федоров Ф.С., Третьяченко Е.В.; заявл. 09.06.2015; опубл. 03.10.2016, Бюл. № 30.

5.Патент 2593271 РФ, МПК H01B 3/00, B82B 1/00. Жидкий композитный диэлектрик / Гороховский А.В., Гоффман В.Г., Горшков Н.В., Третьяченко Е.В., Ковынева Н.Н., Викулова М.А., Ковалева Д.С., Севрюгин А.В.;; заявл. 30.06.2015; опубл. 10.08.2016, Бюл. №22.

6.Патент 2565688 РФ, МПК C08L 29/04, H01G 9/025, С08J 5/18. Состав и способ получения полимерного протонпроводящего композиционного материала / Гоффман В.Г., Гороховский А.В., Горшков Н.В., Слепцов В.В., Федоров Ф.С., Третьяченко Е.В.;; заявл. 06.11.2014; опубл. 20.10.2015, Бюл. №29.

7.Патент 2556111 РФ, МПК C09C 1/36, C09C 3/10, C10M 113/16, C09D 127/18. Cпособ получения антифрикционного материала / Гороховский А.В., Третьяченко Е.В., Гоффман В.Г., Юрков Г.Ю., Бузник В.М., Кирюхин Д.П.; заявл. 09.01.2014; опубл. 10.07.2015, Бюл. №19.

8.Патент 2529187 РФ, МПК C08L 29/04, B01D 71/38, H01G 9/025, H01M 8/02. Полимерный протонпроводящий композиционный материал / Гоффман В.Г., Гороховский А.В., Слепцов В.В., Горшков Н.В., Телегина О.С., Ковнев А.В., Федоров Ф.С.; заявитель и патентообладатель Гоффман В.Г., Гороховский А.В., Слепцов В.В. – 2013122384/04; заявл. 14.05.2013, опубл. 27.09.2014, Бюл. №27.

9.Патент 2479349 РФ, МПК B01J 23/04, B01J 21/06, B01J 23/50, B01J 37/00, C02F 1/32, B82B 1/00. Способ получения катализатора для очистки воды от загрязнения углеводородами / Гороховский А.В., Третьяченко Е.В., Гоффман В.Г., Викулова М.А., Ковалева Д.С.;, заявл.19.01.2012, опубл. 20.04.2013, Бюл. №11.

Научные публикации

1.Gorshkov N.V. Temperature-dependence of electrical properties for the ceramic composites based on potassium polytitanates of different chemical composition / N.V. Gorshkov, V.G. Goffman, M.A. Vikulova, D.S. Kovaleva, E.V. Tretyachenko, A. V. Gorokhovsky // Journal of Electroceramics, 2018. DOI: 10.1007/s10832-018-0131-4.

2.Kharitonova E.P. Stabilized Bi2O3-based phases in the Bi2O3–Pr2O3–MoO3 system and their electrical properties / E.P. Kharitonova, E.I. Orlova, N.V. Gorshkov, V.G. Goffman, V.I. Voronkova // Ceramics International, Volume 44, Issue 11, 1 August 2018, P. 12886-12895. DOI: 10.1016/j.ceramint.2018.04.099.

3.Гоффман В.Г. Модифицированные титановые электроды для накопителей энергии / В.Г. Гоффман, А.В. Гороховский, Э.П. Бурте, В.В. Слепцов, Н.В. Горшков, Н.Н. Ковынева, М.А. Викулова, Н.В. Никитина // Электрохимическая энергетика.–2017.–Т.17.– № 4.–С. 225–234.

4.Voronkova Valentina. Synthesis and Unusual Properties of Tetragonal Pb-Containing Oxymolybdates Based on La2MoO6 / Valentina Voronkova, Ekaterina Orlova, Nikolay Gorshkov, Vladimir Goffman // European Journal of Inorganic Chemistry, No. 47, 2017, P.5582-5587. DOI: 10.1002/ejic.201701184.

5.Orlova E.I. Phase formation and electrical properties of Bi2O3-based compounds in the Bi2O3-La2O3-MoO3 system / E.I. Orlova, E.P. Kharitonova, N.V. Gorshkov, V.G. Goffman, V.I. Voronkova // Solid State Ionics V.302, April 2017, P.158–164. DOI: 10.1016/j.ssi.2016.11.019.

6.Goffman V.G. Effect of nanosized potassium polytitanate on the properties of proton-conducting composite based on phosphotungstic acid and polyvinyl alcohol / V. G. Goffman, V.V. Sleptsov, N.N. Kovyneva, N.V. Gorshkov, O. S. Telegina, and A. V. Gorokhovsky // Theoretical and Experimental Chemistry, Vol. 52, No. 5, November, 2016, P.318-322. DOI: 10.1007/s11237-016-9484-4.

7.Горшков Н.В. Высокотемпературная техническая керамика на основе сложных титанатов, имеющих структуру голландита / Н.В. Горшков, В.Г. Гоффман, А.С. Хорюков, А.В. Севрюгин, И.Н. Бурмистров, А.В. Гороховский // Новые огнеупоры.–2016. №8.–С.43-47.

8.Гоффман В.Г. Влияние наноразмерного полититаната калия на свойства протонпроводящего композита на основе фосфорновольфрамовой кислоты и поливинилового спирта / В.Г. Гоффман, В.В. Слепцов, Н.Н. Ковынева, Н.В. Горшков, О.С. Телегина, А.В. Гороховский // Теорет. и эксперим. химия.–2016.–Т.52.–№5.–С.316-320.

9.Gorokhovskii A.V. Studying Dispersions of Ferroelectric Nanopowders in Dioctyl Phthalate As Dielectric Media for Capacitive Electronic Components / A.V. Gorokhovskii, N.V. Gorshkov, I.N. Burmistrov, V.G. Goffman, E.V. Tret’yachenko, A.V. Sevryugin, F.S. Fedorov, and N.N. Kovyneva // Technical Physics Letters, 2016, Vol. 42, No. 6, pp. 659–662. DOI: 10.1134/S1063785016060213.

10.Гороховский А.В. Исследование дисперсий нанопорошков сегнетоэлектриков в диоктилфталате в качестве рабочих сред емкостных электронных компонентов / А.В. Гороховский, Н.В. Горшков, И.Н. Бурмистров, В.Г. Гоффман, Е.В. Третьяченко, А.В. Севрюгин, Ф.С. Федоров, Н.Н. Ковынева // Письма в ЖТФ.–2016.–Т.42.–№12.–С.103–110. (Impact Factor 0.583).

11.Gorokhovsky A. V. Preparation and Dielectric Properties of Ceramics Based on Mixed Potassium Titanates with the Hollandite Structure / A. V. Gorokhovsky, E. V. Tretyachenko, V. G. Goffman, N. V. Gorshkov, F. S. Fedorov and A. V. Sevryugin // Inorganic Materials. – 2016, Vol. 52, No. 6, pp. 587–592. DOI: 10.1134/S0020168516060042

12.Гороховский А.В. Получение и диэлектрическая проницаемость полититаната калия со структурой голландита / А.В. Гороховский, Третьяченко Е. В., В.Г. Гоффман, Н.В. Горшков, Ф.С Федоров, А.В.Севрюгин // Неорганические материалы. – 2016, Т. 52, No. 6, С. 638–643.

13.Викулова М.А. Cоотношение сорбционной и фотокаталитической активности модифицированных полититанатов калия к различным органическим красителям / М.А. Викулова, Д.С. Ковалева, Е.В. Третьяченко, В.Г. Гоффман, А.В. Гороховский // Успехи современного естествознания.–2015. №12. – С.17-20.

14.Викулова М. А. Влияние условий синтеза на электрофизические свойства слоистых полититанатов калия / М. А. Викулова, Н. В. Горшков, В.Г. Гоффман, Е.В. Третьяченко, А.В. Гороховский // Электрохимическая энергетика.– 2015. № 3. - С.136-142.

15.Goffman V. G. Low-Frequency Impedance in Thin Films near the Metal–Semiconductor Phase Transition / M. E. Kompan, V. A. Klimov, S.E. Nikitin, F.M. Kompan, V.G. Goffman and E.I. Terukov // Physics of the Solid State. – 2015. – V.57. – № 9. – P. 1908–1911. DOI: 10.1134/S1063783415090188.

16.Гоффман В.Г. Низкочастотный импеданс в тонких пленках вблизи фазового перехода металл − полупроводник / М.Е. Компан, В.А. Климов, С.Е. Никитин, Ф.М. Компан, В.Г. Гоффман, Е.И. Теруков // Физика твёрдого тела.–2015.–Т.57.–№ 9.–С.1859-1862.

17.Goffman V.G., A.V. Gorokhovsky, N.V. Gorshkov, F.S. Fedorov, E.V. Tretychenko, A.V. Sevrugin / Data on electrical properties of nickel modified potassium polytitanates compacted powders //Data in Brief.–2015.–V.4.–P.193-198. DOI: 10.1016/j.dib.2015.05.010.

18.В.Г. Гоффман, А.В. Гороховский, М.Е. Компан, Н.В. Горшков, В.В. Слепцов, А.В. Ковнев, О.С. Телегина, Е.В. Третьяченко, Н.Н. Ковынева / Импедансная спектроскопия полититаната калия, модифицированного сульфатом кобальта (II). Область высоких температур // Электрохимическая энергетика.–2015.–Т.15–№2.–С.64–70.

19.В.Г. Гоффман, А.В. Гороховский, Е.В. Третьяченко, Н.В. Горшков, В.В. Слепцов, А.А. Шиндров, Н.Н. Ковынева, А.В. Ковнев/ Проводимость и диэлектрическая проницаемость полититаната калия, модифицированного сульфатом железа (III) // Электрохимическая энергетика.–2015.–Т.15–№2.–С.99–103.

20.В.Г. Гоффман, А.В. Гороховский, М.Е. Компан, Н.В. Горшков, В.В. Слепцов, А.В. Ковнев, О.С. Телегина, Е.В. Третьяченко, Н.Н. Ковынева /Характер проводимости в аморфном полититанате калия// Электрохимическая энергетика.–2015.–№1.–С.23–28.

21.Goffman V.G. Electrophysical properties of ceramic articles based on potassium polytitanate nanopowder modified by iron compounds / A.V. Gorokhovskii, V.G. Goffman, N.V. Gorshkov, E.V. Tret’yachenko, O.S. Telegina and A.V. Sevryugin // Glass and Ceramics.– 2015.–V.72.–№1–2.–P.54-56. DOI 10.1007/s10717-015-9722-6.

22.Гоффман В.Г. Электрофизические свойства керамических изделий на основе нанопорошка полититаната калия, модифицированного соединениями железа / А.В. Гороховский В.Г. Гоффман, Н.В. Горшков, О.С. Телегина, А.В. Севрюгин // Стекло и керамика.–2015.–№2.–С.15-18.

23.Ковнев А.В. Импедансная спектроскопия полититаната калия, модифицированного солями кобальта / А.В. Ковнев, В.Г. Гоффман, А.В. Гороховский, Н.В. Горшков, М.Е. Компан, О.С. Телегина, Е.В. Третьяченко, В.В. Слепцов, А.М.Баранов // Электрохимическая энергетика.–2014.–№ 3.– С.149–157.

24.Гоффман В.Г. Импедансная спектроскопия полимерного композита на основе базового полититаната калия / В.Г. Гоффман, А.В. Гороховский, Н.В. Горшков, О.С. Телегина, А.В. Ковнев, Э.Э. Орозалиев, В.В. Слепцов // Электрохимическая энергетика.–2014.–№3.–С.141–148.

25.Kompan M. E. Low-Frequency Oscillations of the Impedance of Electrolyte Moving in an Electro-Osmotic Regime / M. E. Kompan, V.G. Malyshkin and V.G. Goffman // Technical Physics Letters.–2014.–V.40.–№7.–P.541–544. (Impact Factor 0.583). DOI: 10.1134/S1063785014070050.

26.Goffman V.G. Electrical properties of the potassium polytitanate compacts / V.G. Goffman, A.V. Gorokhovsky, M.Е. Kompan, E.V. Tretyachenko, O.S. Telegina, A.V. Kovnev, F.S. Fedorov // Journal of Alloys and Compounds.–2014.–V.615.–№12.– P.S526-S529. (Impact Factor 2,72). DOI: 10.1016/j.jallcom.2014.01.121.

27.Компан М.Е. Низкочастотные осцилляции импеданса движущегося электролита в режиме электроосмоса / М.Е. Компан, В.Г. Малышкин, В.Г. Гоффман // Письма в ЖТФ.–2014.–Т.40.–№13.–С.1–9. (Impact Factor 0.583).

28.Gorokhovsky A.V. Modified amorphous layered titanates as precursor materials to produce heterostructured nanopowders and ceramic nanocomposites / A.V. Gorokhovsky, E.V. Tretyachenko, J.I. Escalante-Garcia, G.Yu. Yurkov, V.G. Goffman // Journal of Alloys and Compounds.–2014.–V.586.–P. S494–S497. (Impact Factor 2.40). DOI: 10.1016/j.jallcom.2012.10.054.

29.Орозалиев Э.Э., Гороховский А.В., Гоффман В.Г., Ковнев А.В. Влияние поливинилбутираля на электрофизические свойства компактированных нано- порошков ротонированного полититаната калия // Фундаментальные исследования. 2014. № 9. С.1673-1676.

30.Телегина О.С. Изучение электрохимических и электрофизических свойств титаната калия, интеркалированного AgI методом импедансной спектроскопии / О.С. Телегина, В.Г. Гоффман, А.В. Гороховский, М.Е. Компан, Е.В. Третьяченко, Н.В. Горшков, А.В. Ковнев // Электрохимическая энергетика.–2013.– Т.13 – №2.–С.64–69.

31.Гороховский А.В. Получение синтетического серпентина, оптические и трибологические характеристики олеофильных дисперсий / А.В. Гороховский, О.А. Смирнова, А.С. Азаров, В.В. Сафонов, Е.В. Третьяченко, В.Г. Гоффман, А.А. Шиндров, Т.В. Колбасина // Вестник СГТУ.–2012.–№4.–С.85–90.

32.Гороховский А.В. Влияние добавок поливинилового спирта на электрохимические и электрофизические свойства компактированных нанопорошков протонированного полититаната калия / А.В. Гороховский, В.Г. Гоффман, Э.Э. Орозалиев, А.В. Ковнев, Н.В. Архипова // Нанотехника.– 2012.–№4.–С.73–76.

33.Gorokhovsky A. V. Ceramic membranes for photocatalytic water purification / A.V. Gorokhovsky, E.V. Tretyachenko, V.G. Goffman, N. N. Shcherbakova // Glass and Ceramics.-2011.-V.68.-№ 5–6. P.187–190.

34.Гороховский А.В. Керамические мембраны для фотокаталитической очистки воды / А.В. Гороховский, В.Г. Гоффман, Е.В.Третьяченко, Н.Н. Щербакова // Стекло и керамика.–2011.–№6.–С.20–24.

35.Гоффман В.Г. Синтез и электрохимические свойства полититаната калия допированного серебром / В.Г. Гоффман, А.В. Гороховский, Н.В. Горшков, Е.В. Третьяченко, О.С. Телегина, А.В. Ковнев //Вестник СГТУ.–2011.–№4 (60). Вып. 2.–С.107 – 111.

36.Телегина О.С. Синтез и электрохимические свойства нанокомпозита RbAg4I5-0,2Rb2AgI3 / О.С. Телегина, А.В. Ковнев, Н.В. Горшков, В.Г. Гоффман // Вестник СГТУ.–2011.–№4(59).– Вып. 1. - С.114–118.

37.Гоффман В.Г. Импедансная спектроскопия допированного полититаната калия / В.Г. Гоффман, А.В. Гороховский, Н.В. Горшков, О.С. Телегина, Е.В. Третьяченко, А.В. Ковнев // Вестник СГТУ.– 2011.–№4(60).– Вып. 2.– С.121–126.

38.Гороховский А.В. Синтез висмутата бария в солевых расплавах. / А.В. Гороховский, Н.В. Архипова, В.Г. Гоффман, Е.В. Третьяченко // Башкирский химический журнал.–2009.–№3.–Т.16.–С.98–101.

39.Goffman V.G. Diffusion Processes in Silver-Conducting Solid Electrolyte in Terms of the Grafov–Ukshe Model of Adsorption Relaxation of Double Layer / V.G. Goffman, A.M. Mikhailova, D.V. Toporov, O.S. Telegina. // Elektrokhimiya.–2007.–Vol.43.–No.6.–Р.657–664.

40.Гоффман В.Г. Диффузионные процессы в серебропроводящем твёрдом электролите в концепции модели Графова-Укше адсорбционной релаксации двойного слоя / В.Г. Гоффман, А.М. Михайлова, Д.В. Топоров, О.С. Телегина // Электрохимия.–2007.–Т.43.–№ 6.–С. 657–664.

41.Михайлова А.М. Полимерный композит на основе гетерополикислот для водородной энергетики / А.М. Михайлова, Е.В. Колоколова, Р.В. Лапшов, Д.В. Топоров, В.Г. Гоффман. // Альтернативная энергетика и экология.–2006.–№6.–С.60–61.

42.Михайлова А.М. Новый тип мембран на основе волокнистых материалов / А.М. Михайлова, Е.В. Колоколова, В.В. Симаков, В.Г. Гоффман // Альтернативная энергетика и экология.–2006.–№6.–С.71–73.

44.Гоффман В.Г. Исследование гетеропереходов с нанокристаллическим материалом RbAg4J5*0.2Rb2AgJ3 / В.Г. Гоффман, Р.В. Лапшов, А.М. Михайлова, Д.В. Топоров // Интеллектуальный потенциал высшей школы - железнодорожному транспорту. Научная книга.–Саратов.–2006.–Т.1.–С.49–52.

45.Гоффман В.Г. Информатизация лабораторного практикума / В.Г. Гоффман, И.Д. Кособудский, Ю.Н. Сычев, И.Д., Д.В. Топоров. // Интеллектуальный потенциал высшей школы - железнодорожному транспорту. Научная книга.–Саратов.–2006.–Т.1.– С.138–139.

46.Гоффман В.Г. Импеданс твёрдого электролита RbAg4J5 в атмосфере йода / В.Г. Гоффман, А.М. Михайлова, А.А. Базанов, Д.В. Топоров // Электрохимическая энергетика.–2001.–№ 3.–С.21–25.

47.Гоффман В.Г. Электрохимический сенсор для определения элементарного йода в газовых средах / В.Г. Гоффман, И.М. Котелкин, А.М. Михайлова, Ю.А. Добровольский, Б.У. Шаймерденов // Электрохимия.–1993.–Т.29.–№12.– С.1511–1513.

48.Укше А.Е. Эффект постоянства фазового сдвига на гетеропереходе золото-суперионный проводник RbAg4I5 / А.Е. Укше, Н.Г. Букун, В.Г. Гоффман // ФТТ.–1988.–Т.30.–№10.–С.3096–3099.

49.Афанасьев М.М. Фотолюминесценция монокристаллов суперионного проводника RbAg4I5 аддитивно окрашенных йодом / М.М. Афанасьев, В.Г. Гоффман, М.Е. Компан // ФТТ.–1987.–Т.29.–№3.–С.940–941.

50.Волков А.А. Субмиллиметровые спектры проводимости и диэлектрической проницаемости суперионного проводника AgJ / А.А. Волков, В.Г. Гоффман, Г.В. Козлов, Г.И. Мирзоянц, Ю.Г. Гончаров // ФТТ.–1986.–Т.28.– №7.–С.2207–2210.

51.Волков А.А. Новые низкотемпературные фазовые переходы в суперионном проводнике RbAg4J5 / А.А. Волков, Г.В. Козлов, Г.И. Мирзоянц, Ю.Г. Гончаров, В.И. Торгашев, В.Г. Гоффман // Письма в ЖЭТФ.–1986.–Т.43.– №6.–С.280–282.

52.Волков А.А. Спектр проводимости - и -RbAg4I5 на частотах 2-33 см-1 / А.А. Волков, В.Г. Гоффман, Г.В. Козлов, Г.И. Мирзоянц // ФТТ.–1985.– Т.27.–№6.–С.1874–1877.

53.Тараскин С.А.Калориметрическое исследование монокристаллического суперионного проводника RbAg4J5 в широком интервале температур / С.А. Тараскин, Б.А. Струков, В.Г. Гоффман, Б.У. Шаймерденов // ФТТ.–1985.–Т.27.–№6.–С.1904–1906.

54.Kozlov G.V. The splitting of the infrared vibrational spectra of RbAg4I5 in the low-temperature -phase / G.V. Kozlov, G.I. Mirzoyants, A.A. Volkov and V.G. Goffman // Physics Letters.–1984.– V.105A.–№ 6.–P.324–326.

55.Ованесян Н.С. Рэлеевское рассеяние мёссбауэровского излучения в суперионном проводнике RbAg4I5 / Н.С. Ованесян, В.Г. Гоффман, В.Б. Соколов, В.В. Ткачёв // ФТТ.–1984.–Т.26.–№4.–С.1197–1199.

56.Букун Н.Г. Импеданс обратимой границы серебро /монокристаллический твёрдый электролит Ag4RbI5 / Н.Г. Букун, В.Г. Гоффман, Е.А. Укше // Электрохимия.–1983.–Т.19.–№6.–С.731–736.

57.Байрамов Б.Х. Стабильность и спектры комбинационного рассеяния света суперионного проводника RbAg4J5 / Б.Х. Байрамов, В.Г. Гоффман, М.Н. Дьяконов, В.П. Кузнецов, Н.В. Личкова, В.Д. Тимофеева, Д.В. Топоров // Письма в ЖЭТФ.–1983.–Т.9.–№17.–С.1081–1085.

58.Андреев В.Н. Поглощение света в кристаллах RbAg4I5, окрашенных йодом / В.Н. Андреев, В.Г. Гоффман // ФТТ.–1983.–Т.25.–№11.–С.3480–3482.

59.Андреев В.Н. Доменная структура RbAg4I5 ниже точки фазового перехода 208К / В.Н. Андреев, В.Г. Гоффман, А.А. Гурьянов, Ф.А. Чудновский // ФТТ.–1983–Т.25.–№9.–С.2636–2643.

60.Афанасьев М.М. Фотолюминесценция низкотемпературной фазы суперионого проводника RbAg4I5 / М.М. Афанасьев, В.Г. Гоффман, М.Е. Компан // ЖЭТФ.–1983.–Т.84.–№4.–С.1310–1318.

61.Волков А.А. Субмиллиметровые колебательные спектры суперионного проводника RbAg4I5 / А.А. Волков, Г.В. Козлов, Г.И. Мирзоев, В.Г. Гоффман // Письма в ЖЭТФ.–1983.–Т.38.–№4.–С.182–185.

62.Букун Н.Г. Комплексное сопротивление границы графит/твёрдый электролит Ag4RbI5 / Н.Г. Букун, Е.А. Укше, В.Г. Гоффман // Электрохимия.–1982.– Т.18.–№5.–С.653–656.

63.Андреев В.Н. Температурный гистерезис и скрытая теплота при фазовом переходе 208К в суперионном проводнике RbAg4I5 / В.Н. Андреев, В.Г. Гоффман, А.А. Гурьянов, Б.П. Захарченя, Ф.А. Чудновский // Письма в ЖЭТФ.–1982.–Т.36.–№3.–С.61–63.

64.Афанасьев М.М. Люминесценция ионного проводника RbAg4I5 / М.М. Афанасьев, В.Г. Гоффман, М.Е. Компан // ФТТ.–1982.–Т.24.–№5.–С.1540–1542.

65.Гоффман В.Г. Профили концентрации и коэффициенты диффузии йода в Ag4RbI5 / В.Г. Гоффман, Е.А. Укше // Электрохимия.–1981.–Т.17.–№3.–С.380–383.

66.Гоффман В.Г. Импеданс ячеек с монокристаллическим твёрдым электролитом Ag4RbI5 / В.Г. Гоффман, Н.Г. Букун, Е.А. Укше // Электрохимия.–1981.–Т.17.–№7.–С.1098–1102.

67.Гоффман В.Г. Диффузия ионов I- в твёрдом электролите Ag4RbJ5 / В.Г. Гоффман, А.А. Скуиня, Ю.Е. Тиликс, Е.А. Укше // Электрохимия.–1981.–Т.17.– №8.–С.1261–1263.

68.Гоффман В.Г. Растворение йода в твёрдом электролите Ag4RbI5 / В.Г. Гоффман, Е.А. Укше // Электрохимия.–1981.–Т.17.–№9.–С.1402–1404.

69.Тиликс Ю.Е. Коэффициент диффузии ионов Ag+ в твёрдом электролите Ag4RbI5 / Ю.Е. Тиликс, В.Г. Гоффман, А.А. Скуиня, Ю.Р. Дзелме, В.К. Луговской, Е.А. Укше // Электрохимия.–1979.–Т.15.–№6.–С.922–924.

70.Гоффман В.Г. Диффузия йода в монокристаллах твёрдого электролита Ag4RbI5 / В.Г. Гоффман, Ю.Р. Дзелме, А.А. Скуиня, В.К. Луговской, Ю.Е. Тиликс, Е.А. Укше // Электрохимия.–1979.–Т.15.– №8.–С.1252–1255.

71.Мищенко А.В. Выращивание и свойства монокристаллов твёрдого электролита RbAg4I5. II / А.В. Мищенко, А.К. Иванов-Шиц, В.Г. Гоффман, В.С. Боровков // Электрохимия.–1977.–Т.13.–№12.–С.1858–1859.

72.Гоффман В.Г. Высокотемпературный фазовый переход в кристалле дигидроарсената цезия / В.Г. Гоффман, М.Д. Ивченкова, А.В. Мищенко, Б.У. Шаймердинов // Кристаллография.–1977.–Т.22.–№5.–С.1107–1109.

73.Рашкович Л.Н. Выращивание монокристаллов дигидрофосфата цезия и их некоторые свойства / Л.Н. Рашкович, К.Б. Метева, Я.Э. Шевчик, В.Г. Гоффман, А.В. Мищенко // Кристаллография.–1977.–Т.22.–№5.–С.1075–1079.

74.Иванов-Шиц А.К. Электропроводность и фазовые переходы в твёрдом электролите RbAg4J5 / А.К. Иванов-Шиц, В.С. Боровков, А.В. Мищенко, В.Г. Гоффман // Докл.АН СССР.–1976.–Т.228.–№6.–С.1376–1379.

75.Мищенко А.В. Выращивание и свойства монокристаллов твёрдого электролита RbAg4I5. I / А.В. Мищенко, А.К. Иванов-Шиц, В.Г. Гоффман, В.С. Боровков // Электрохимия.–1975.–Т.11.–№2.–С.333–335.

---